2SD1355 Search Results

2SB995

Abstract: 2SD1355
Contextual Info: isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB995 DESCRIPTION •Collector-Emitter Breakdown Voltage: V BR CEO= -100V(Min) ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= -2.0V(Max)@ IC= -4A ·Complement to Type 2SD1355

b1375

Abstract: 2sk270a 2SK150A MG15G1AL2 2SA1051b MG50G2CL1 mg100g1al2 2SA1015 A1265N MG100G1AL1
Contextual Info: •D IS C O N TIN U E D TYPE LIST Type No. 2N3713 2N3714 2N3715 2N3716 2N3789 2N3790 2N3791 2N3792 2N4340 2N4340S 2N4391 2N4392 2N4393 2 N 4398 2N4399 2N5038 2N5039 2N5301 2N5302 2N5303 2N6249 2N6250 2N6251 2N6546 2N6547 2SA27 2SA28 2SA29 2SA37 2SA38 2SA39

2SK 150A

Abstract: mg100g1al2 2SD1365 2SC2461 B 2sk30 2SC102 C366G b1375 MG15G1AL2 1265N
Contextual Info: ♦D ISC O N TIN U E D TYPE LIST T y p e No. 2N3713 R ecom m end R e p la c e m e n t T y p e N o. - 2N3714 T y p e N o. R ecom m end R e p la c e m e n t T y p e N o. T y p e No. R ecom m end R e p la c e m e n t T y p e N o. 2SA52 2SA1015 2SA282 2SA1015

2SD1388

Abstract: 2SD1387 2SD1370 2SD1369 2SD1307 2SD1331 2SD1360 2SD1346 2SD1333 2SD1371
Contextual Info: Absolutes maximum ratings Ta=25ºC Electrical characteristics (Ta=25ºC) VCBO VEBO Ic Pc Tj DC Current Gain hFE fab/ft* Cob PartNumber ºñ°í VCE Ic (V) (V) (mA) (mW) (ºC) (MHz) (pF) (V) (mA) 45W 2SD1301 1500 5 2A 130 3-12 10 1A (Tc=25ºC) 2SD1302 25

TOSHIBA MG150N2YS40

Abstract: mg75n2ys40 MG15N6ES42 mg150n2ys40 2SK150A toshiba s2530a 2sk270a MG8N6ES42 MG15G1AL2 mg75j2ys40
Contextual Info: 小信号トランジスタ SMD ● 当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動した り故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製 品の誤作動や故障により､生命･身体･財産が侵害されることのないように､購入

2SB995

Abstract: tosh1ba 30WHigh
Contextual Info: T O S H I B A -CDISCRETE/OPTO} 9097250 TOSHIBA ^ T G T 7 E S D 0007=125 C D ISCRETE/OPTO SILICON NPN TRIPLE DÌFFUSED TYPE . V- POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. Unit in mm 1 0 .3 MAX FEATURES: 0a.z±az s?-. . High Breakdown Voltage : V qjjo=100V n . Low Collector Saturation Voltage : VcE sat):=2 .0V(Max.)

mg75n2ys40

Abstract: MG15N6ES42 2SK150A 2sk270a MG150n2ys40 MG8N6ES42 MG15G1AL2 mg75j2ys40 MG30G1BL2 S2530A
Contextual Info: 廃止品種一覧表 [ 10 ] [ 10 ] 廃止品種一覧表 次の品種が廃止品種となっております。新規採用は代替品種にてご検討くださいますようお願い申し上 げます。 廃止品種 1 形 名 02BZ2.2~4.7 代替品種

mg75n2ys40

Abstract: 2N3055 TOSHIBA mg150n2ys40 TLR103 TOSHIBA 2N3055 MG15N6ES42 2SK150A TOSHIBA MG150N2YS40 2sk270a S2530A
Contextual Info: 小信号ダイオード SMD ● 当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動した り故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製 品の誤作動や故障により､生命･身体･財産が侵害されることのないように､購入

2SB5950

Abstract: 2SD5250 2SB616 NEC 2SD586 to-53 2SC940 NEC 2sb616 2SB595Y 2SB616 2SD586 2SD52
Contextual Info: POWER SILICON TRANSISTORS Item Number Part Number Manufacturer Type Ic Max V BR CEO (A) (V) PD Max hFE *T ON) Min (Hz) 'CBO t0N r (CE)sat Toper Max Max (A) (s) Max (Ohms) Max (°C) Package Style Devices 20 Watts or More, (Cont'd) . . . .5 . . . -10 . . .15

STRS6307

Abstract: STR5412 2N3055 TO-220 S2000A3 STRS6309 S2000a2 BDW36 2SC3883 strs6308 STR6020
Contextual Info: 2N3054 TO-66 2N32741 TO-66 2N4240 TO-66 2N4908 TO-3 2N3054A TO-66 2N3766 TO-66 2N4273 TO-66 2N4909 TO-3 2N3055 TO-3 2N3767 TO-66 2N4298 TO-66 2N4910 TO-66 2N3171 TO-3 2N3771 TO-3 2N4347 TO-3 2N4911 TO-66 2N3172 TO-3 2N3772 TO-3 2N4348 TO-3 2N4912 TO-66 2N3173

Contextual Info: jjF lT C m B S O ~5Í TOSHIBA { D IS CR ETE/ OP TO* QDD73Ö4 O / 9 0 9 7 2 50 T O S H I B A D I S C R E T E /OPTO 56C 07384 SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. Unit in mm FEATURES: . High Breakdown Voltage : Vq e o =~100V . Low Collector-Emitter Saturation Voltage

2SB995

Abstract: 2SD1355 a03 audio amplifier
Contextual Info: jqY h IBA Tb {DISCRETE/OPTO! DE 1 =10^7550 □ □ □ 7 3 öM 0 / 9 0 9 7 2 50 T O S H I B A <D I S C R E T E / O P T O 5ò C 07 3 8 4 t>T"3B^9 S I LICON PNP T R IP L E D IF F U S E D T Y P E POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. Unit in mm FEATURES: . High Breakdown Voltage ; V c e O=~100V