50N06 Search Results
50N06 Datasheets (30)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 50N06 | Unisonic Technologies | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 145.71KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 50N06 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 50N06 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 50N06LE | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 50N06LE | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 50N06L-X-TA3-T | Unisonic Technologies | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 145.7KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 50N06-TA3-T | Unisonic Technologies | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 145.7KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 50N06-TF3-T | Unisonic Technologies | 50 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 145.7KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTI50N06B
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel Enhancement Mode Power MOSFET JMTI50N06B with 60V drain-source voltage, 50A continuous drain current, RDS(on) less than 17mΩ at VGS=10V, and TO-251S package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLS50N06G
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Maplesemi | 60V N-Channel MOSFET with 50A continuous drain current, 10.3mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, suitable for low voltage DC/DC converters and high efficiency power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLD50N06G
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Maplesemi | 60V N-Channel MOSFET with 50A continuous drain current, 8.6mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, designed for low voltage DC/DC converters and high efficiency power management applications requiring fast switching and high ruggedness. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJU50N06A
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JCET Group | 60V N-channel Power MOSFET in TO-252-2L package with 50A continuous drain current, 17mΩ on-resistance at 4.5V VGS, low gate charge, fast switching capability, and avalanche energy specified. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLP150N06G
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Maplesemi | 60V N-Channel MOSFET with 150A continuous drain current, 2.1mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, suitable for low-voltage DC/DC converters and high-efficiency power management applications requiring fast switching and high ruggedness. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLP150N06T
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Maplesemi | 60V N-Channel MOSFET with 150A continuous drain current, 3.1mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, suitable for high-efficiency power switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HKTD50N06
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel Power MOSFET HKTD50N06 with 60V drain-source voltage, 50A continuous drain current, 17mΩ on-resistance at 10V VGS, TO-252 package, suitable for high-density power applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AKZE50N06
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AK Semiconductor | N-Channel 60 V MOSFET in TO-252 package with 175 °C junction temperature, 50 A continuous drain current, 0.009 ohm RDS(on) at VGS = 10 V, and 200 W power dissipation capability. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HSU50N06
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Huashuo Semiconductor | HSU 50N06 is a 60V N-channel trench MOSFET with 16 mΩ RDS(ON), 55A continuous drain current, low gate charge, and fast switching for synchronous buck converters. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SL50N06D
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SLKOR | VDS=60V, ID=50A, RDS(ON) TYP=14mΩ @VGS=10V. Low gate charge, fast switching, high ruggedness. Applications: DC/DC converters, telecom, industrial, UPS. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLB150N06T
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Maplesemi | 60V N-Channel MOSFET with 150A continuous drain current, 3.1mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, TO-263 package, designed for high-efficiency power management, load switching, and PWM applications requiring fast switching and low conduction loss. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HSBA50N06
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Huashuo Semiconductor | N-channel 60V MOSFET with 50A continuous drain current, 12mΩ typical RDS(ON), low gate charge, and high cell density trench technology for fast switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
50N06 Price and Stock
Select Manufacturer
Goodwork Semiconductor Co Ltd 50N06NF60V 50A 11m@10V DFN-8L(5x6) |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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50N06NF | Tape & Reel | 30,000 | 5,000 |
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Goodwork Semiconductor Co Ltd 50N06(TO-252)60V 45A 11m@10V TO-252 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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50N06(TO-252) | Tape & Reel | 30,000 | 2,500 |
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Infineon Technologies AG IPD350N06LGBTMA1MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IPD350N06LGBTMA1 | Digi-Reel | 10,337 | 1 |
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| IPD350N06LGBTMA1 | Tape & Reel | 10,337 | 2,500 |
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| IPD350N06LGBTMA1 | Cut Tape | 337 | 1 |
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IPD350N06LGBTMA1 | 7,464 | 1 |
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Rochester Electronics LLC RF1S50N06LEN-CHANNEL POWER MOSFET |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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RF1S50N06LE | Bulk | 4,042 | 190 |
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Essentra Components 23EZS0450N0625CBL CLIP TWIST LOCK NAT PUSH IN |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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23EZS0450N0625 | Bulk | 4,000 | 1 |
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23EZS0450N0625 | Bulk | 4 Weeks | 1,000 |
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23EZS0450N0625 |
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