2SD1356 Search Results

2SB996

Abstract: 2SD1356
Contextual Info: isc Product Specification INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SB996 DESCRIPTION •Collector-Emitter Breakdown Voltage: V BR CEO= -80V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SD1356 APPLICATIONS ·Power amplifier applications.

b1375

Abstract: 2sk270a 2SK150A MG15G1AL2 2SA1051b MG50G2CL1 mg100g1al2 2SA1015 A1265N MG100G1AL1
Contextual Info: •D IS C O N TIN U E D TYPE LIST Type No. 2N3713 2N3714 2N3715 2N3716 2N3789 2N3790 2N3791 2N3792 2N4340 2N4340S 2N4391 2N4392 2N4393 2 N 4398 2N4399 2N5038 2N5039 2N5301 2N5302 2N5303 2N6249 2N6250 2N6251 2N6546 2N6547 2SA27 2SA28 2SA29 2SA37 2SA38 2SA39

2SK 150A

Abstract: mg100g1al2 2SD1365 2SC2461 B 2sk30 2SC102 C366G b1375 MG15G1AL2 1265N
Contextual Info: ♦D ISC O N TIN U E D TYPE LIST T y p e No. 2N3713 R ecom m end R e p la c e m e n t T y p e N o. - 2N3714 T y p e N o. R ecom m end R e p la c e m e n t T y p e N o. T y p e No. R ecom m end R e p la c e m e n t T y p e N o. 2SA52 2SA1015 2SA282 2SA1015

2SD1388

Abstract: 2SD1387 2SD1370 2SD1369 2SD1307 2SD1331 2SD1360 2SD1346 2SD1333 2SD1371
Contextual Info: Absolutes maximum ratings Ta=25ºC Electrical characteristics (Ta=25ºC) VCBO VEBO Ic Pc Tj DC Current Gain hFE fab/ft* Cob PartNumber ºñ°í VCE Ic (V) (V) (mA) (mW) (ºC) (MHz) (pF) (V) (mA) 45W 2SD1301 1500 5 2A 130 3-12 10 1A (Tc=25ºC) 2SD1302 25

386D

Abstract: 2SB996 2SD1356
Contextual Info: "5b TOSHIBA {DISCRETE/OPT0> DeT J t O ^ E S D 00073flb 3 | y 9097250 TOS HIB A {D I S C R E T E / O P T O •' 56C Ö7 386 D f - 3 3 ‘W S IL IC O N PNP T R IP LE D IF F U SE D TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. Unit in mm l a 3 MAX. FEATURES: 03.2*0.2

2SB996

Abstract: 2SD1356 300X300X8
Contextual Info: TOSHIBA {DISCRETE/OPTO} 9097250 TOSHIBA '• DE J T □=!7 S S 0 □ □ □ 7 ci54 S | ~ 5òC '0 7 9 Z* <D I S CR ET E/O PT O SILICON NPN T R IP LE 'D IFFU SE D TVPË; r t.u -r-> ? 1 ; POWER AMPL-IFIER .APPLICATIONS. Unit in Iran m g FEATURES i V •»„

TOSHIBA MG150N2YS40

Abstract: mg75n2ys40 MG15N6ES42 mg150n2ys40 2SK150A toshiba s2530a 2sk270a MG8N6ES42 MG15G1AL2 mg75j2ys40
Contextual Info: 小信号トランジスタ SMD ● 当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動した り故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製 品の誤作動や故障により､生命･身体･財産が侵害されることのないように､購入

2SD369A

Abstract: to-53 2SC1025 MJE2491 KT816V matsua
Contextual Info: POWER SILICON TRANSISTORS Item Number Part Number Manufacturer Type Ic Max A PD r 'CBO Max hFE fT on ON) Min (Hz) 35 35 35 35 35 35 35 35 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 25 40 40 40 40 40 60 60 10 10 10 10 10 20 20 20 20 25 25 2 0M 10M 10M 1 0M 3 0M

mg75n2ys40

Abstract: MG15N6ES42 2SK150A 2sk270a MG150n2ys40 MG8N6ES42 MG15G1AL2 mg75j2ys40 MG30G1BL2 S2530A
Contextual Info: 廃止品種一覧表 [ 10 ] [ 10 ] 廃止品種一覧表 次の品種が廃止品種となっております。新規採用は代替品種にてご検討くださいますようお願い申し上 げます。 廃止品種 1 形 名 02BZ2.2~4.7 代替品種

2sc3181

Abstract: 2SC2987A 2SD1354 2sD1413 2sc2236 2SC3180 2sd1176 2SD2061 2SD970 1329K
Contextual Info: - m % Type No. 2SD 1308 ^ 2SD 1309 2 SD 1310 / 2SD 1311 2SD 1312 / 2SD 1314 ^ 2SD 1315 2SD 1316 2SD 1317 2SD 1318 2SD 1319 2SD 1320 2SD 1321 2SD 1322 2SD 1323 2SD 1324 2SD 1325 / 2SD 1326 2SD 1327 2SD 1 3 2 ! ^ 2 SD 1329 2S0 132 9K 2SD 1330 2S0 1331 2SD 1332 ^

mg75n2ys40

Abstract: 2N3055 TOSHIBA mg150n2ys40 TLR103 TOSHIBA 2N3055 MG15N6ES42 2SK150A TOSHIBA MG150N2YS40 2sk270a S2530A
Contextual Info: 小信号ダイオード SMD ● 当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動した り故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製 品の誤作動や故障により､生命･身体･財産が侵害されることのないように､購入

Contextual Info: ß F I ^ O T T a S D 0 0 0 73f l b 3 ~5Í TOSHIBA {DISCRETE/OPTO} y 9097250 TOSHIBA <DISC R E T E / O P T O 56C 07 3 8 6 O T '3 3 * ) ? SILICON PNP TRIPLE DIFFUSED TYPE POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. Unit in mm ao .3 Max , FEATURES: . Good Linearity of hpg