2SC2379 Search Results

2SC2379

Contextual Info: 2SC2379 SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TY P E Unit in mm UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES : . Output Power : P0=6W Min. (f=470MHz, VCC=12.6V, Pi=lW) . 100% Tested for Load Mismatch Stress at All Phase Angles with 30:1 VSWR @ VCC=12.5V, P0-6.5W, f=470MHz

2SC144

Abstract: 2SD466 2sc5266
Contextual Info: • t o M f i i t i ' i - i a ’f m m»mm s&<D?ay#miz w z y y - i - y p m u / ®>7 I V -E7 - 7 V U ' I / 'A w J V Z S T J - / K S 6 3 6 9 * > U - X T258-OMI # ® l|£ f tt» H # 5 5 a i TEL.5465 89 2825 FAX,5465(89)2826 ffxX * i t * «* • s •s* * *

TOSHIBA MG150N2YS40

Abstract: mg75n2ys40 MG15N6ES42 mg150n2ys40 2SK150A toshiba s2530a 2sk270a MG8N6ES42 MG15G1AL2 mg75j2ys40
Contextual Info: 小信号トランジスタ SMD ● 当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動した り故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製 品の誤作動や故障により､生命･身体･財産が侵害されることのないように､購入

2SC2379

Abstract: 453 opto 10ID
Contextual Info: ~Sh TOSHIBA {DISCRETE/OPTO} DE I ^ O T T S S D 0D07S2a 7 J 9097250 TOSHIBA D I S C R E T E /O P T O > SIL IC O N NPN E P IT A X IA L P LA N A R TYPE Unit in mm UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES : . Output Power : P 0 = 6 W(Min. (f=470MHz, VCC=12.6V, Pi=lW)

S1854

Abstract: s1854 a mp4002 MP3009 2SC3303 2SC520A 2SC519A MP4004 S2055 mp4001
Contextual Info: •A L P H A N U M E R IC A L IN D E X # Page Type No. Type No. 2SA473 121 2SB553 2SA656A 2SB554 2SA657A 123 2SB595 2SA658A 2SB596 2SA739 127 2SB673 2SA940 130 2SB674 2SA1012 132 2SB675 2SA1195 135 2SB676 2SA1225 136 2SB677 2SA1241 138 2SB679 2SA1242 142 2SB686

mg75n2ys40

Abstract: MG15N6ES42 2SK150A 2sk270a MG150n2ys40 MG8N6ES42 MG15G1AL2 mg75j2ys40 MG30G1BL2 S2530A
Contextual Info: 廃止品種一覧表 [ 10 ] [ 10 ] 廃止品種一覧表 次の品種が廃止品種となっております。新規採用は代替品種にてご検討くださいますようお願い申し上 げます。 廃止品種 1 形 名 02BZ2.2~4.7 代替品種

y51 h 120c

Abstract: bd124 KT368 BFQ59 Silec Semiconductors BD214 al103 AFY18 bd192 MM1711
Contextual Info: Towers' International Transistor Selector ! o Towers’ International Transistor Selector Specification data for the identification, selection and substitution of transistors by T D Towers, MBE, MA, BSc, C Eng, MIERE Revised Edition U pdate Three London: NEW YORK

mg75n2ys40

Abstract: 2N3055 TOSHIBA mg150n2ys40 TLR103 TOSHIBA 2N3055 MG15N6ES42 2SK150A TOSHIBA MG150N2YS40 2sk270a S2530A
Contextual Info: 小信号ダイオード SMD ● 当社は品質､信頼性の向上に努めておりますが､一般に半導体製品は誤作動した り故障することがあります｡当社半導体製品をご使用いただく場合は､半導体製 品の誤作動や故障により､生命･身体･財産が侵害されることのないように､購入

2SC2407A

Abstract: 2SC2348 2SC2366 2SC2407 2-10H1A 2SC2381 2sc2373 2SC2388 2SC2395 2SC2349
Contextual Info: - 122 - m % ft £ iÉ M X Ë fà 11 V 2SC2348 m s VHF RF 2SC2349 jícs 2SC2351 s 2SC2352 2SC2353 2SC2356 2SC2359 2 S C 2 3 6 0 (H) 2SC2362 2SC2362K 2SC2366 2SC2367 2SC2368 2SC2369 2SC2371 2SC2373 n BW. BM Ü±Ü siriË m H# 3$ â± Ü BM BM BM BU BM 2SC2377

Contextual Info: "Sb ^ 1 ^ 0 ^ 7 5 5 0 0007535 TOSHIBA -CDISCRETE/OPTOJ 9097250 TOSHIBA CDIS C R E T E / O P T O > SILICON NPN EPITAXIA L PLANAR TYPE U n it in mm UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. FEATURES : . O utput Power : P 0 = 6W Min. (f=470MHz, VCC=12.6V, Pi=lW)