TRANSISTOR U503 Search Results

2sa564 transistor

Abstract: 2SA564 transistor 2sa564 datasheet 2sa564 hfe1 2SA564 Q 2SA564 R
Contextual Info: PNP 三极管/PNP TRANSISTOR 2SA564 特点：HFE 高 符合 RoHS 规范 FEATURES: •HIGH HFE ■ROHS COMPLIANT 应用：通用一般放大 APPLICATION: ■GENERAL AMPLIFIER APPLICATION 最大额定值 / ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（TA=25℃） 参数/ PARAMETER

H547

Abstract: BC547 45V 100mA NPN Transistor BC547 4,5V 100mA NPN Transistor BC547
Contextual Info: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 BC547 H547 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 开关和射频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

HIT5610

Abstract: H5610 H5610 transistor
Contextual Info: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 HIT5610 H5610 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作音频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

VCEO160V

Abstract: HS669A 14014B 2SD669A transistor 160v 1.5a npn
Contextual Info: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SD669A HS669A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作低频功率放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-126 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

13005a

Abstract: transistor 13005a 13005A TRANSISTOR IC2A 3dd13005a H424-31 H214 3DD13005 A1 transistor
Contextual Info: NPN 广州金永利电子有限公司 SILICON 对应国外型号 3DD13005A 13005A A1 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 高压快速开关 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

transistor bc557

Abstract: H557 BC557 500mW 5v transistor
Contextual Info: PNP SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 TRANSISTOR 对应国外型号 BC557 H557 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 开关视频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

H928S

Abstract: H928 KSA928A DSA0045619 transistor ksA928A
Contextual Info: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 KSA928A H928S █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作音频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

Transistor 2sb772

Abstract: 2SB772 HS772 VCEO-30V 2SB772 TRANSISTOR
Contextual Info: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SB772 HS772 █ 主要用途 █ 外形尺寸及引脚排列 音频放大开关功率放大 █ 极限值（Ta=25℃） TO-126 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

transistor 2222a

Abstract: transistor 2222a to-92 2222A transistor 2222A 10AIE H2222A VCB-60V mps2222a npn transistor MPS2222AH MPS2222A
Contextual Info: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 MPS2222A H 2222A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作音频功率放大，激励级放大开关应用 TO-92 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM33404CA-S •概要 ■特点 ELM33404CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=3A ·Rds on < 85mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 115mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目

ELM32403LA

Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM32403LA-S •概要 ■特点 ELM32403LA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-40V ·Id=-8A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值

ELM34408AA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM34408AA-N •概要 ■特点 ELM34408AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=8A ·Rds on < 18mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目

ELM32430LA

Abstract: p45n02ldg
Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32430LA-S •概要 ■特点 ELM32430LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=25V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=45A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=7V) ■绝对最大额定值 项目

p1003E

Abstract: p1003ev
Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM34415AA-N •概要 ■特点 ELM34415AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 •Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-13A ·Rds on < 10.5mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 16mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值

ELM34403AA

Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM34403AA-N •概要 ■特点 ELM34403AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 •Vds=-55V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-4.5A ·Rds on < 80mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值

ELM34804AA

Contextual Info: 双 N 沟道 MOSFET ELM34804AA-N •概要 ■特点 ELM34804AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=4.5A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值

Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM32401LA-S •概要 ■特点 ELM32401LA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-60V ·Id=-7A ·Rds on < 90mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 135mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值

ELM32424LA

Abstract: ELM32424LA-S
Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32424LA-S •概要 ■特点 ELM32424LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=25V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=50A ·Rds on < 9.5mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 16mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目

ELM32408LA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32408LA-S •概要 ■特点 ELM32408LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=40V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=10A ·Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目

ELM34405AA

Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM34405AA-N •概要 ■特点 ELM34405AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 •Vds=-40V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-5.5A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值

ELM32420LA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32420LA-S •概要 ■特点 ELM32420LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=45A ·Rds on < 14mΩ (Vgs=5V) ·Rds(on) < 26mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目

ELM34411AA

Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM34411AA-N •概要 ■特点 ELM34411AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 •Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-12A ·Rds on < 14mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 22mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值

ELM34802AA

Contextual Info: 双 N 沟道 MOSFET ELM34802AA-N •概要 ■特点 ELM34802AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=4.5A ·Rds on < 68mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 98mΩ (Vgs=5V) ■绝对最大额定值

ELM3F401JA

Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM3F401JA-S •概要 ■特点 ELM3F401JA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-30V ·Id=-8A ·Rds on < 20mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值