TRANSISTOR U503 Search Results

2sa564 transistor

Abstract: 2SA564 transistor 2sa564 datasheet 2sa564 hfe1 2SA564 Q 2SA564 R
Contextual Info: PNP 三极管/PNP TRANSISTOR 2SA564 特点：HFE 高 符合 RoHS 规范 FEATURES: •HIGH HFE ■ROHS COMPLIANT 应用：通用一般放大 APPLICATION: ■GENERAL AMPLIFIER APPLICATION 最大额定值 / ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（TA=25℃） 参数/ PARAMETER

H547

Abstract: BC547 45V 100mA NPN Transistor BC547 4,5V 100mA NPN Transistor BC547
Contextual Info: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 BC547 H547 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 开关和射频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

A94 TRANSISTOR

Abstract: KSP94 transistor A94 A94 TRANSISTOR PNP
Contextual Info: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 KSP94 H A94 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 高压控制应用 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

transistor BD140

Abstract: BD140 HSBD140
Contextual Info: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON HSBD140 █ 主要用途 TRANSISTOR 对应国外型号 BD140 █ 外形图及引脚排列 中功率线性开关 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

H2907A

Abstract: h2907 KTN2907A SAT-2
Contextual Info: PNP SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 TRANSISTOR 对应国外型号 KTN2907A H2907A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 放大开关应用。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

HIT5610

Abstract: H5610 H5610 transistor
Contextual Info: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 HIT5610 H5610 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作音频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

VCEO160V

Abstract: HS669A 14014B 2SD669A transistor 160v 1.5a npn
Contextual Info: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SD669A HS669A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作低频功率放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-126 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

transistor bc558

Abstract: H558 500mW 5v transistor BC558
Contextual Info: PNP SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 TRANSISTOR 对应国外型号 BC558 H558 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 开关视频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

13005a

Abstract: transistor 13005a 13005A TRANSISTOR IC2A 3dd13005a H424-31 H214 3DD13005 A1 transistor
Contextual Info: NPN 广州金永利电子有限公司 SILICON 对应国外型号 3DD13005A 13005A A1 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 高压快速开关 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

transistor bc557

Abstract: H557 BC557 500mW 5v transistor
Contextual Info: PNP SILICON 汕头华汕电子器件有限公司 TRANSISTOR 对应国外型号 BC557 H557 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 开关视频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

H928S

Abstract: H928 KSA928A DSA0045619 transistor ksA928A
Contextual Info: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 KSA928A H928S █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作音频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

2545a

Abstract: transistor irf830 HFP830 vdss500v transistor PDTC IRF830
Contextual Info: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 IRF830 HFP830 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 高压高速电源开关。 TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃

Transistor 2sb772

Abstract: 2SB772 HS772 VCEO-30V 2SB772 TRANSISTOR
Contextual Info: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 2SB772 HS772 █ 主要用途 █ 外形尺寸及引脚排列 音频放大开关功率放大 █ 极限值（Ta=25℃） TO-126 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

DTC144E

Abstract: 2SC3399 HC144E KSR1204
Contextual Info: N PN 汕头华汕电子器件有限公司 D I G I TAL TRANSISTOR 对应国外型号 DTC144E,2SC3399,KSR1204 HC144E █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 开关接口电路等。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92S T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

HD880

Abstract: HB834 KSB834
Contextual Info: PNP 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 KSB834 HB834 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 低频功率放大，伴音帧输出及电源调整 与 HD880 互补 TO-220 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

H8050

Abstract: transistor ss8050 SS8050 ss8050 TRANSISTOR transistor TO-92 SS8050 Transistor h8050 h8050 transistor Transistor 25V 1.5A, 1W H8050 equivalent NPN Transistor TO92 25v
Contextual Info: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON H8050 █ 主要用途 TRANSISTOR 对应国外型号 SS8050 █ 外形图及引脚排列 作便携式收音机 B 类推挽输出 2W 放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

transistor 2222a

Abstract: transistor 2222a to-92 2222A transistor 2222A 10AIE H2222A VCB-60V mps2222a npn transistor MPS2222AH MPS2222A
Contextual Info: NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 MPS2222A H 2222A █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 作音频功率放大，激励级放大开关应用 TO-92 █ 极限值（Ta=25℃） T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

TRANSISTOR tip122

Abstract: transistorTIP122 HP122 TIP122 100V transistor npn 5a
Contextual Info: NPN SILICON TRANSISTOR 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 TIP122 HP122 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 该器件为达林顿三极管内含阻尼二极管，用于高增益电路。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

HP127

Abstract: TIP127
Contextual Info: PNP SILICON TRANSISTOR 汕头华汕电子器件有限公司 对应国外型号 TIP127 HP127 █ 主要用途 █ 外形图及引脚排列 该器件为达林顿三极管内含阻尼二极管，用于高增益电路。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-220 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃

ELM32434LA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32434LA-S •概要 ■特点 ELM32434LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=600V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=2A ·Rds on < 4.4Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃

ELM34404AA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM34404AA-N •概要 ■特点 ELM34404AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=5.5A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目

ELM33405CA

Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM33405CA-S •概要 ■特点 ELM33405CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-30V ·Id=-2A ·Rds on < 150mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 250mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值

ELM32404LA

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32404LA-S •概要 ■特点 ELM32404LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=12A ·Rds on < 25mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 37mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32402LA-S •概要 ■特点 ELM32402LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=20A ·Rds on < 50mΩ (Vgs=5V) ·Rds(on) < 85mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目