LEISTUNGSTRANSISTOR Search Results

BUW58

Abstract: BUW57 BUW73 Q62702 Q62901-B11-A Q62901-B50 Q62702-U263
Contextual Info: BUW 57 BUW 58 BUW 73 N P N -S iliziu m -Leistu n g stra n sisto ren V o r lä u f ig e D a te n B U W 57, B U W 58 und B U W 73 sind N PN -Silizium -Leistungstransistoren in D reifachdiffu­ sionstechnik im Gehäuse 3 A 2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch

l 129 v

Abstract: BD129 bd127 128bd bd128 0477A2 BD 127 V2412 127BD TFK BD 128
Contextual Info: BD 127 BD 128 BD 129 'V Silizium-NPN-Planar-Leistungstransistoren Silicon NPN Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein bei hohen Betriebsspannungen Applications: General at high supply voltages Features: Besondere Merkmale: • Hohe Sperrspannung • High reverse voltage

BD237

Abstract: BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors
Contextual Info: BD 233 * BD 235 - BD 237 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung Features: • High peak power

2N3054

Abstract: U116 transistor 2n
Contextual Info: 2 N 3054 N icht für N e u e n t w ic k l u n g NPIM -Leistungstransistor fü r IM F-Verstärkerund S c halteran w en dungen 2 N 3 0 5 4 ist ein ein fa c h d iffu n d ie rte r N P N -S iliz iu m -T ra n s is to r im G e h ä u s e T O -6 6 . D er K ollektor

BD436

Abstract: BD 434 B0436 d341 LT 436 BD434
Contextual Info: BD 434 - BD 436 'W Silizium-PNP-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon PNP Epibase Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Niedrige Betriebsspannung speziell für Autoradiobetrieb Features: • Low supply voltage especially tor automobil radio

KT922B

Abstract: kt322a Funkamateur kt922 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation IC 922 IC f 922 KT912 kt922a HF Leistungstransistor
Contextual Info: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation KT 922 Silizium-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie TGL 35408 UdSSR Grenzwerte P a r a m e te r B e d in g u n g e n Kurzcharakteristik T yp K u r z z e ic h e n K o lle k to r/B a s is -S p a n n u n g 1

tfk 135

Abstract: bd139 tfk BD 139 140 BD 139 N tfk bd 137 j BD 139 TFK bd139 tfk 136 BD139 bd 135
Contextual Info: V BD 135 • BD 137 • B D 139 Silicon NPN Epitaxial Planar Power Transistors Anw endungen: Allgemein Im NF-Bereich Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Verlustleistung 8 W

TRR25-10XX2

Abstract: TRR 100-12xx2 transistor c282 trr 30-06xx2 TRANSISTOR BIPOLAIRE 75-10xx2 06XX2 50-10XX2 5012-X ISOLA DE 156
Contextual Info: A S E A B R Oü JN /AB B □□40300 S.ENICOÎ' □□□□SOS Transistor-Module T R R . Transistor-Modules TRR. 2 Leistungstransistoren mit 2 Freilaufdioden 2 Power transistors with 2 free wheeling diodes 1 J V - 5 3 ' o I Transistor Type/Type ATRR ATRR

Contextual Info: Vorwort Mit diesem neuen Datenbuch stellen wir Ihnen das aktuelle Produktspektrum der SIPMOS-Leistungstransistoren und Di­ oden vor. Das Buch beinhaltet alle derzeit bekannten Neuerungen, Verbesserungen und W eiterentwicklungen auf diesem Ge­ biet. Mit der Herausgabe dieses Buches wer­

leistungstransistoren

Abstract: bup314d buz 342 G siemens 230 95 O BUP 307D BUZ,350 BUZ,271 BUP400D bup313d BUP314
Contextual Info: SIEMENS Gehäuseübersicht Package Information N-Kanal Leistungstransistoren N Channel Power Transistors D i A PN \ ° s TO-220 AB *D S ^ D S o n V 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 60 60 60 60 60 100 100 100 100 100 100 100 100 Q 10 18 23 28 m

siemens dioden

Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter
Contextual Info: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .

siemens BSM b2

Abstract: smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R
Contextual Info: Technische Angaben SIPMOS-Leistungstransistoren und Dioden SIPMOS-Leistungstransistoren Transistoren im Bereich 50 V . 1000 V, 1,5 A . 60 A und 18 mQ . 8 Q. P -K a n a l N-Kanal Produktpalette • • • • • N- und P-Kanal-Anreicherungstypen FREDFET

siemens dioden

Abstract: siemens datenbuch
Contextual Info: SIEMENS SIPMOSHalbleiter Leistungstransistoren und Dioden Datenbuch 1993 / 94 SIPMOS Semiconductors Power Transistors and Diodes Data Book 1993 / 94 Herausgegeben von Siemens AG, Bereich Halbleiter, Marketing-Kommunikation, Balanstraße 73, 81541 München.

AD149

Abstract: ad 149 valvo transistoren valvo OC 74 germanium transistor valvo oc 26 valvo transistor valvo transistoren germanium AD-149 valvo germanium
Contextual Info: AD 149 GERMANIUM - PNP - NF - LEISTUNGSTRANSISTOR Mechanische Da ten; Gehäuse: Metall, JEDEC T0-3 3 A 2 DIN 41 872 Der Kollektor ist mit dem Gehäuse leitend verbunden. Für isolierten Einbau können Gl immerscheibe Typ P und Isolier­ buchsen (Typ C) gelie­

216-CB

Abstract: MICA WAFER snap RIVET msts boitier to3 to220 mica 212-CB cb mica Leistungstransistor
Contextual Info: Montagesätze zur Isolation von Leistungstransistoren Mounting kits for insulation of power transistors MST 3 Art. Nr. Art. No. Art. n° MST 220 Ausführung Version Modele Gehäuse Case Boîtier Lieferumfang MSTS 220 Contents of delivery Matériel livré 1 Glimmerscheibe bzw.

Contextual Info: ASSMANN Transistor-Fassungen E le ctro n ic C o m p o n e n ts Fassungen fur Leistungstransistoren im Gehause Sockets Transistor-Fassungen Transistor sockets for power-transistors TO-3 „ 010.3 * 40 -3 0 ,2 22.5 - M 3 {2 x R 0,5 •£ 5,08 Art. Nr. Part no.

of mosfet BUZ 384

Abstract: BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR
Contextual Info: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht 1 Overview 1.1 SIPMOS-Leistungstransistoren 1.1 SIPMOS Power Transistors Leistungstransistoren im Bereich 50 V . 1000 V und 10 mΩ . 8 Ω Power transistors in the 50 V to 1000 V and 10 mΩ to 8 Ω range

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: elektronik DDR Leistungsdiode Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator CSSR silizium diode
Contextual Info: Tunneldiode HF-Transistor Diode Kapazitätsdiode NF-Transistor NF-Leistungstransistor Ptot >1W Bauelement 2.Element Hall-Feldsonde CSSR: Silizium Hall-Generator CSSR: Galliumarsenidphosphid HF-Leistungstransistor Hall-Generator DDR: MIS-Transistor strahlungsempfindliches

tfk 138

Abstract: tfk 136 tfk 140 BD 140 tfk 135 3 TFK 140 BD 139 140 72050 tfk bd 138 BD136
Contextual Info: BD 136 • BD 138 • BD 140 Silicon PNP Epitaxial Planar Power Transistors Anwendungen: Allgemein Im NF-Berelch Applications: General in AF-range Besondere Merkmale: • Verlustleistung 8 W Features: • Power dissipation 8 W

BC 677

Abstract: Tfk 680 BD675 bc 681 BD677 BD681 BD 677 BD 681 2DIN125A 2mA80
Contextual Info: V BD 675 • BD 677 • BD 679 •BD 681 Silizium-NPN-Darlington-Leistungstransistoren Silicon NPN Darlington Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: • Sehr hohe Stromverstärkung Features: • Very high current transfer ratio

BD NPN transistors 177

Abstract: IC 74157 BD 2418 BD179 BD175 BD177 bd 175 236 TFK BD176 din 125a
Contextual Info: BD 175 • BD 177 • BD 179 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anw endungen: Audio-Verstärker, -Treiber und -Endstufen Applications: Allgemein im NF-Bereich Audio amplifier, driver and output stages General in AF-range

buy 95

Abstract: BUY77 U151 BUY78 BUY79 Q62901-B11-A Q62901-B50
Contextual Info: BUY 77 BUY 78 BUY 79 NPN-Silizium -Leistungstransistoren B U Y 77, B U Y 78 und B U Y 79 sind dreifachdiffundierte NPN-Siiizium-Leistungstransistoren im Gehäuse 3 A2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Die Transistoren eignen sich besonders als schnelle Leistungsschalter bei hohen Spannungen,

BD441

Abstract: bd 426 BD 440 NPN transistors BD437 BD - 100 V BD 439 437 bd ic 437 BD439 B0439
Contextual Info: « BD 437 • BD 439 • BD 441 'W Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Allgemein Im NF-Berelch Applications: General in AF-range Features: Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung • High peak power

A1306 TRANSISTOR

Abstract: t a1306 A1306A A3206A A1316-A3 A1318 A1309 a1328 A1013 A1300 transistor
Contextual Info: IEMENS AKTIENGESELLSCHAF 03E J> • -fZ 3 ? - û l ÔB3SbQS DOlSfciBR û BISIEG Leistungstransistoren Power Transistors N-Kanal Anreicherungstypen im Kunststoffgehäuse T0-220 AB N channel enhancement types in plastic package T0-220 AB Typ Type ^DS max fc(max)