ID003 Search Results

Contextual Info: Ordering number : EN3614B SB05-03C Schottky Barrier Diode http://onsemi.com 30V, 0.5A, Low IR, Single CP Applications • • Universal-use rectifier High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • • • • Fast reverse recovery time (trr max=10ns)

Contextual Info: Ordering number : ENA0408A SB02-09C Schottky Barrier Diode http://onsemi.com 90V, 0.2A, Low IR, Single CP Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • • • Fast reverse recovery time (trr max=10ns)

Contextual Info: SS0503SH Ordering number : EN8067A SANYO Semiconductors DATA SHEET SS0503SH Schottky Barrier Diode 30V, 0.5A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.42V) (IF=0.5A, VF max=0.47V)

rectifier sc-62

Contextual Info: SB05-05P Ordering number : EN2999C SANYO Semiconductors DATA SHEET SB05-05P Schottky Barrier Diode 50V, 500mA Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • • • Fast reverse recovery time (trr max=10ns)

A0408

Contextual Info: SB02-09C 注文コード No. N A 0 4 0 8 三洋半導体データシート N SB02-09C ショットキバリアダイオード 90V, 200mA 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

CPH5862

Contextual Info: CPH5862 注文コード No. N A 0 4 6 4 三洋半導体データシート N CPH5862 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

A1006

Abstract: d1207
Contextual Info: SCH2825 注文コード No. N A 1 0 0 6 三洋半導体データシート N SCH2825 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオ−ドを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ

A0780

Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M a07801
Contextual Info: MCH5836 注文コード No. N A 0 7 8 0 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0780 をさしかえてください。 MCH5836 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

SCH1417

Abstract: SCH2817 SS05015SH Vgs mosfet TB-00001069
Contextual Info: SCH2817 注文コード No. N 8 1 5 5 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード SCH2817 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1417）

SS0503SH

Contextual Info: SS0503SH 注文コード No. N 8 0 6 7 三洋半導体データシート N SS0503SH ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

SB02-03S

Contextual Info: 注文コード No. N 2 9 8 4 A SB02-03S No. N 2 9 8 4 A N2000 半導体ニューズ No.2984 とさしかえてください。 SB02-03S ショットキバリアダイオード 30V200mA 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

Contextual Info: SCH2825 Ordering number : ENA1006A SANYO Semiconductors DATA SHEET MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode SCH2825 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

ic 74243

Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841
Contextual Info: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195

CPH5810

Abstract: MCH3312
Contextual Info: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5810 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）

SB07W03P

Contextual Info: SB07W03P Ordering number : ENN3616B SB07W03P Schottky Barrier Diode Twin Type • Cathode Common 30V, 700mA Rectifier Applications • • General rectifier. High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers). Features • • •

74243

Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を

D2000

Abstract: SB10W05P
Contextual Info: 注文コード No. N 4 1 7 0 A SB10W05P No. N 4 1 7 0 A D2000 半導体ニューズ No.4170 とさしかえてください。 SB10W05P ショットキバリアダイオード（ツインタイプ・カソードコモン） 50V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

77191

Abstract: SS05015SH
Contextual Info: SS05015SH 注文コード No. N 7 7 1 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N7719 とさしかえてください。 SS05015SH ショットキバリアダイオード 15V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

SCH1406

Abstract: SCH2806
Contextual Info: SCH2806 注文コード No. N 7 7 4 4 三洋半導体データシート N SCH2806 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1406）

ECSP1608-4

Abstract: SS0503EJ 8172-1
Contextual Info: SS0503EJ 注文コード No. N 8 1 7 2 三洋半導体データシート N SS0503EJ ショットキバリアダイオード 30V, 500mA 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

SCH2821

Contextual Info: SCH2821 注文コード No. N 8 3 6 8 三洋半導体データシート N SCH2821 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した

D2000

Abstract: SB05W05P
Contextual Info: 注文コード No. N 3 6 1 3 A SB05W05P No. N 3 6 1 3 A D2000 半導体ニューズ No.3613 とさしかえてください。 SB05W05P 用途 ショットキバリアダイオード（ツインタイプ・カソードコモン） 50V500mA 整流素子

Contextual Info: MCH5839 Ordering number : ENA2165 SANYO Semiconductors DATA SHEET MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5839 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode

Contextual Info: SS0503SH Ordering number : EN8067A SANYO Semiconductors DATA SHEET SS0503SH Schottky Barrier Diode 30V, 0.5A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.42V) (IF=0.5A, VF max=0.47V)