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    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    MCH6635

    Contextual Info: MCH6635 注文コード No. N 8 2 1 7 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8217 をさしかえてください。 MCH6635 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長


    Original     		mch6635n8217900mm2400ma+3200mait09190it09191 PDF

    CPH5810

    Abstract: MCH3312
    Contextual Info: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5810 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）


    Original     		cph5810mch3312sbs001600mm2+412805peta-100105it09167it09166 PDF

    CPH5831

    Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
    Contextual Info: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用


    Original     		cph5831mch3406sbs010m600mm2+512805peta-100797it08545it00625cph58 PDF

    MCH6635

    Contextual Info: MCH6635 Ordering number : EN8217A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6635 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing high-density mounting.


    Original     		mch6635en8217a900mm20 PDF

    CPH5835

    Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M
    Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに


    Original     		cph5835mch3309sbs010m600mm2+512805petb-00001006it05882it05881mch5835 PDF

    82074

    Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
    Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに


    Original     		cph5835mch3309sbs010m600mm2+612805petb-00001006it05882it0588182074mch5835 PDF

    ENN8206

    Abstract: CPH5810 MCH3312
    Contextual Info: CPH5810 Ordering number : ENN8206 CPH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS001)


    Original     		cph5810enn8206mch3312sbs001 PDF

    CPH5810

    Abstract: MCH3312
    Contextual Info: CPH5810 注文コード No. N 8 2 0 6 三洋半導体データシート N CPH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3312）


    Original     		cph5810mch3312sbs001600mm2+412805peta-100105it09167it09166 PDF

    MCH6635

    Contextual Info: MCH6635 Ordering number : ENN8217 P-Channel Silicon MOSFET MCH6635 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing high-density mounting.


    Original     		mch6635enn8217900mm2 PDF

    CPH6320

    Contextual Info: CPH6320 Ordering number : ENN8208 P-Channel Silicon MOSFET CPH6320 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol


    Original     		cph6320enn82081200mm225ltd PDF

    MCH3406

    Abstract: SBS010M CPH5831
    Contextual Info: CPH5831 Ordering number : ENN8220 CPH5831 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converters. Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained


    Original     		cph5831enn8220mch3406sbs010m PDF

    CPH3309

    Abstract: CPH5835 MCH5835 SBS010M
    Contextual Info: CPH5835 Ordering number : ENN8207 CPH5835 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET CPH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained


    Original     		cph5835enn8207cph3309sbs010m+1mch5835 PDF

    SCH2807

    Abstract: MARKING QG
    Contextual Info: SCH2807 Ordering number : ENN8215 SCH2807 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET SCH1407 and a schottky barrier diode (SS05015)


    Original     		sch2807enn8215sch1407ss05015+1marking qg PDF