IT00625 Search Results

SBS804

Abstract: ENN6595 SBS004
Contextual Info: Ordering number : ENN6595 SBS804 Schottky Barrier Diode SBS804 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1294 [SBS804] • 0.6 2.8 0.05 2 0.95 0.4 0.7 4 0.15 3

2SJ560

Abstract: CPH6801 SBS004 TA2492
Contextual Info: Ordering number:EN6419 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH6801 DC/DC Converter Applications Package Dimensions unit:mm 2172 [CPH6801] 5 4 0.6 6 0.2 0.15 2.9 2.8 0.05 0.6 • The CPH6801 consists of a P-channel MOSFET that features low ON resistance, ultrahigh-speed switching, and low-voltage drive, and a shottky barrier

SBS004

Abstract: 62722
Contextual Info: Ordering number:ENN6272 Schottky Barrier Diode SBS004 15V, 1A Rectifier Applications Package Dimensions • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit:mm 1293 [SBS004] 2.9 · Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V) (IF=1.0A, VF max=0.4V).

MCH3307

Abstract: SBS004 ENN8235 2171A
Contextual Info: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)

diode N1004

Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674
Contextual Info: CPH5812 Ordering number : ENN7467A CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.

74682

Abstract: 74684 74685 CPH5813 MCH3318 SBS010M
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 6 8 CPH5813 No. N 7 4 6 8 32803 新 CPH5813 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3318）とショットキバリアダイオード（SBS010M）を

74674

Abstract: CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787
Contextual Info: Ordering number : ENN7467 CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5812 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5812] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

Contextual Info: Ordering number : ENN7472 SBS010M Schottky Barrier Diode SBS010M 15V, 2A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305A [SBS010M] 0.15 2 1 0.65 0.07 1.6 3 0.25 • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.32V)

Contextual Info: CPH5822 Ordering number : ENN7702 CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General Purpose Switching Device Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)

N7472

Abstract: SBS010M
Contextual Info: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

CPH5821

Abstract: MCH3312 SBS004
Contextual Info: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 三洋半導体データシート N CPH5821 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

CPH5831

Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
Contextual Info: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用

CPH5811

Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
Contextual Info: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.

SBS004

Abstract: SBS804
Contextual Info: 注文コード No. N 6 5 9 5 SBS804 No. N 6 5 9 5 63000 新 SBS804 ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい IF=0.5A, VF max=0.35V (IF=1.0A, VF max=0.4V)。

diode N1004

Abstract: CPH5822 MCH3312 N1004 SBS010M
Contextual Info: CPH5822 Ordering number : ENN7702A CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)

AN 7468

Abstract: diode N1004 ic 74682 TA-3804 CPH5813 MCH3318 N1004 SBS010M 74682
Contextual Info: CPH5813 Ordering number : ENN7468A CPH5813 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3318 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.

CPH5835

Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに

CPH5802

Abstract: MCH3306 SBS004
Contextual Info: Ordering number : ENN6899 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5802 DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 0.6 5 0.05 2.8 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

Contextual Info: Ordering number : ENN6899 CPH5802 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 2.8 0.6 5 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

CPH6801

Abstract: 2SJ560 SBS004 IT00783 TA2492
Contextual Info: 注文コード No. N 6 4 1 9 CPH6801 No. N 6 4 1 9 N1999 新 CPH6801 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間

MCH3406

Abstract: SBS004 CPH5811 2171A 4863s
Contextual Info: CPH5811 注文コード No. N 8 2 3 4 三洋半導体データシート N CPH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3406 とショットキバリアダイオード(SBS004)を 1 パッケージに

74674

Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M N2603
Contextual Info: CPH5812 注文コード No. N 7 4 6 7 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7467A をさしかえてください。 CPH5812 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

82074

Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに

CPH5821

Abstract: MCH3312 SBS004 marking qx
Contextual Info: CPH5821 Ordering number : ENN7701 CPH5821 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)