IT05881 Search Results

diode N1004

Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674
Contextual Info: CPH5812 Ordering number : ENN7467A CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.

74682

Abstract: 74684 74685 CPH5813 MCH3318 SBS010M
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 6 8 CPH5813 No. N 7 4 6 8 32803 新 CPH5813 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3318）とショットキバリアダイオード（SBS010M）を

74674

Abstract: CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787
Contextual Info: Ordering number : ENN7467 CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5812 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5812] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

Contextual Info: Ordering number : ENN7472 SBS010M Schottky Barrier Diode SBS010M 15V, 2A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305A [SBS010M] 0.15 2 1 0.65 0.07 1.6 3 0.25 • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.32V)

Contextual Info: CPH5822 Ordering number : ENN7702 CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General Purpose Switching Device Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)

N7472

Abstract: SBS010M
Contextual Info: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

CPH5831

Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
Contextual Info: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用

diode N1004

Abstract: N1004 diode CPH5812 n1004 TA-3787 MCH3317 SBS010M N2603
Contextual Info: CPH5812 Ordering number : EN7467B SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)

diode N1004

Abstract: CPH5822 MCH3312 N1004 SBS010M
Contextual Info: CPH5822 Ordering number : ENN7702A CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)

AN 7468

Abstract: diode N1004 ic 74682 TA-3804 CPH5813 MCH3318 N1004 SBS010M 74682
Contextual Info: CPH5813 Ordering number : ENN7468A CPH5813 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3318 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.

CPH5835

Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに

74674

Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M N2603
Contextual Info: CPH5812 注文コード No. N 7 4 6 7 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7467A をさしかえてください。 CPH5812 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

82074

Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに

AN 7468

Abstract: CPH5813 MCH3318 SBS010M TA-3804 IT00 74684
Contextual Info: Ordering number : ENN7468 CPH5813 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5813 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5813] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET

N1004

Abstract: N7468 74682 CPH5813 MCH3318 SBS010M 74685 TA-3804
Contextual Info: CPH5813 注文コード No. N 7 4 6 8 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7468 とさしかえてください。 CPH5813 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

N1004

Abstract: CPH5822 MCH3312 SBS010M cph58
Contextual Info: CPH5822 注文コード No. N 7 7 0 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7702 とさしかえてください。 CPH5822 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

N7472

Abstract: SBS010M
Contextual Info: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体ニューズ 半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

MCH3406

Abstract: SBS010M CPH5831
Contextual Info: CPH5831 Ordering number : ENN8220 CPH5831 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converters. Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained

CPH3309

Abstract: CPH5835 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 Ordering number : ENN8207 CPH5835 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET CPH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained