2097B Search Results

2097B

Abstract: 2SC4520 FP207 marking 207
Contextual Info: Ordering number:ENN6457 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors FP207 Push-Pull Circuit Applications Package Dimensions unit:mm 2097B [FP207] 1.5 5 4 3 2 1 0 to 0.1 0.2 0.3 1.75 1 : Base 1 PNP TR 2 : Collector 1 (PNP TR) 3 : Emitter Common 4 : Collector 2 (NPN TR)

D2493

Abstract: 2097B 2SA1416 2SC3646 FP205 ITR10922 ITR10923
Contextual Info: 注文コード No. N 4 4 9 4 FP205 No. N4494 81000 FP205 特長 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ プッシュプル回路用 ・PNP トランジスタ , NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が

2097B

Abstract: 2SA1729 2SC4520 FP207
Contextual Info: 注文コード No. N 6 4 5 7 FP207 N6457 60100 新 FP207 特長 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ プッシュプル回路用 ・PNP トランジスタ , NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が

2097B

Abstract: p323s C400
Contextual Info: PACKAGE DIAGRAM OUTLINES PLASTIC DIP C o n tin u e d REVISIONS DESCRIPTION DATE APPRO VED 00 INITIAL R ELE ASE 03/03/92 T. VU 01 R EDRAW TO JEDEC FORM AT 03/15/85 DCN REV 20978 27651 A A A — _L A *2 •, ; n n n n n I— .045/.065 □ n n n I 1.010 I H IA IBSH

D2493

Abstract: ITR-1100 2SC3467 FP212 ITR11001 ITR11002 ITR11003 ITR11004 ITR11005 2097B
Contextual Info: 注文コード No. N 4 4 9 7 FP212 No. N 4 4 9 7 81000 FP212 特長 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ 高耐圧ドライバ用 ・PNP トランジスタ , NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が

BX-1387

Abstract: BX1387 2097B 2SB1121 FP208
Contextual Info: Ordering number:EN4535A FP208 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Driver Applications Features Package Dimensions • Composite type with 2 PNP transistors in one package, facilitating high-density mounting. · The FP208 is composed of 2 chips each equivalent

Contextual Info: O rdering number : EN 4919 FP216 N o.4919 N P N E p i t a x i a l P l a n a r S i l ic o n T r a n s i s t o r SA S.YO i LCD B acklight Drive A pplications F e a tu re s - C o m p o s i t e t y p e w i t h 2 t r a n s i s t o r s c o n t a i n e d in t h e P C P 5 p a c k a g e c u r r e n t l y i n u s e , i m p r o v i n g t h e

mosfet k 2038

Abstract: TO-40-040 PCP MOSFET 2sd1851 TRANSISTOR transistor 2SA transistor 2 sa 72 2SB1205 2SC5155
Contextual Info: Produci Selection Guide by Function High-Voltage Applications Absolute maximum ratings Package Electrical characteristics T a = 2 5 t ICBO max @ VCB Type No. Page Type Drawing num ber VCBO (V ) VCEO (V ) vebo (V ) 1C (m A ) PC (m W ) A ICBOmax ( * A) VCB

BX-1387

Abstract: BX1387 2097B 2SB1121 FP208 ITR10957 ITR10958 ITR10959 ITR10960
Contextual Info: 注文コード No. N 4 5 3 5 A FP208 No. N 4 5 3 5 A 81000 半導体ニューズ No.4535 とさしかえてください。 FP208 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ 各種ドライブ用 ・PNP トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

BX-1387

Abstract: BX1387 4535A 2097B
Contextual Info: Ordering num ber: EN 4535A FP208 N 0 .4535 A P N P E pitaxial P lan ar Silicon T ransisto r Driver Applications F e a tu re s • Com posite type w ith 2 PN P tran sisto rs in one package.facilitating high-density m ounting. • The FP208 is composed of 2 chips each equivalent to the 2SB1121.

Mys 99 178

Abstract: MYS 99 cj1w-cort21 NT31C-ST143-Ev3 MYS 99 133 E5CS-R1KJ 8203-M TL-X1R 4503m st MYS 99 102
Contextual Info: Product Code Description AA994896G 537.019.200 E2A 7033A 02A-M18KS08-WP-C1 5M OMC PF 1234C 11PFA PF 1235A 14PFA VAP 1001D 1VAP-1W VAP21001C 1VAP2-1 VAP21004H 1VAP2-2 VAP21015C 1VAP2-6 VE 2001G 1VE-10CA-11 VE 2002E 1VE-10CA-12 VE 2003C 1VE-10CA-13 VE 3001B

2097b

Contextual Info: Ordering number: EN4919 ^ _ FP216 No.4919 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor SA IVO, LCD Backlight Drive Applications F eatures - Composite type with 2 transistors contained in the PCP5 package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.

2097B

Abstract: 2SB1397 FP213 ITR11022 ITR11023 ITR11024 ITR11025 ITR11026 ITR11027 D2993
Contextual Info: 注文コード No. N 4 7 2 4 FP213 No. N 4 7 2 4 81000 FP213 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ モータドライブ用 ・PNP トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。

2097B

Abstract: 2SB1122 2SD1622 FP203 ITR10886 ITR10887 ITR10889 500ma pnp
Contextual Info: 注文コード No. N 4 4 9 6 FP203 No. N4496 81000 FP203 特長 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ プッシュプル回路用 ・PNP トランジスタ , NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が

D2493

Abstract: 2097B 2SB1123 2SD1623 FP204 ITR10903 ITR10904
Contextual Info: 注文コード No. N 4 4 9 3 FP204 No. N4493 81000 FP204 特長 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ プッシュプル回路用 ・PNP トランジスタ , NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が

BX-1387

Abstract: 4535A BX1387
Contextual Info: Ordering number: EN 4535A FP208 No.4535A PNP Epitaxial P lanar Silicon Transistor SAIÊYO i Driver Applications F eatu re s • Composite type with 2 PNP transistors in one package,facilitating high-density mounting. •The FP208 is composed of 2 chips each equivalent to the 2SB1121.

FP216

Abstract: 2097B 2SC3646 BX145
Contextual Info: Ordering number:EN4919 FP216 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor LCD Backlight Drive Applications Features Package Dimensions • Composite type with 2 transistors contained in the PCP5 package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.

utilux

Contextual Info: r n THIS DRAWING IS UNPUBLISHED. COPYRIGHT RELEASED FOR PUBLICATION BY TYCO ELECTRONICS CORPORATION. REVISIONS ALL RIGHTS RESERVED. LTR DESCRIPTION RE-ISSUED UTILUX DRAWING DATE □WN APVD 12 FEB 08 MMI WR D WEDGE LENGTH [W | REF |V f u I REF \ f u VI H2097

RT 2070 L

Abstract: ansi y14.5m-1982 decimal 2097b MS-001 72741
Contextual Info: PACKAGE DIAGRAM OUTLINES PLASTIC DIP R E V ISIO N S DCN REV DESCRIPTION DATE 27853 06 REDRAW TO JEDEC FORMAT 03/15/95 APPROVED A A A — I— - E - - .0S0/.070 A I * 1 .01 0 I H lAdXBSX 1 1 - j- GlAUL HLANL It bad l-A -l SEATING PIANE

2097B

Abstract: 2SA1728 2SC4519 FP206 ITR10939 ITR10940 ITR11661 4778-3
Contextual Info: 注文コード No. N 4 7 7 8 FP206 No. N4778 81000 FP206 特長 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ プッシュプル回路用 ・PNP トランジスタ , NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が

D2993

Abstract: FP214 2SD2100 ITR11032 ITR11033 ITR11034 ITR11035 ITR11036 ITR11037 2097B
Contextual Info: 注文コード No. N 4 7 2 5 FP214 No. N 4 7 2 5 81000 FP214 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ モータドライブ用 ・NPN トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。