OHF00309 Search Results

Q62702-P5014

Abstract: Q62702-P5200
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Q62702-P5043

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität

Q62702-P1794

Abstract: GEO06972 Q62702-P5035
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei

Fotodiode

Abstract: GEOY6972 Q62702-P1794 Q62702-P5035
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei

Q62702-P1796

Abstract: Q62702-P3605
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Q62702-P5209

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet

foto transistor

Abstract: P1103 phototransistor 500-600 nm TRANSISTOR C 460 GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 not connected 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Active area 0.55 0.7 0.3 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Q62702-P5200

Abstract: Q62702-P5014
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Q62702-P1103

Abstract: Q62702-P1796 Q62702-P1805 Q62702-P3605
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data 6.2 5.8 3.4 3.0 A B 2.45 spacing 2.1 1.7 0.0.1 Active area 0.55 6 1 2 3 5 4 0.7 0.4 0.5 0.3 4.2 3.8 1.27 spacing 0.15 0.13

pdso6

Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06982
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data 6.2 5.8 3.4 3.0 A B 2.45 spacing 2.1 1.7 0.0.1 Active area 0.55 6 1 2 3 5 4 0.7 0.4 0.5 0.3 4.2 3.8 1.27 spacing 0.15 0.13

Contextual Info: 2013-08-20 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.1 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity

Q62702-P5043

Abstract: ee 3201 IC 3201 Q62702-P5209
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität

GEOY6972

Abstract: Q62702-P1794 Q62702-P5035 lichtschranke 2400FA MARKING CODE FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.2 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity

Contextual Info: 2007-03-30 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.0 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity

GEO06972

Abstract: Q62702-P1794 SFH2400
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA Vorläufige Daten / Preliminary Data 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position not connected 0.5 0.3 1.1 0.9 0.9 0.6 2.1 1.9 0.8 0.6 Active area

IC 3201

Abstract: Q65110A2479
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3201 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität

P1103

Abstract: GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 not connected 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Active area 0.55 0.7 0.3 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

foto transistor

Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06973 Q62702-P5014
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 0.1 0.0 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Chip position CO CM O o ¿mm 4.8 4.4 Active area C3 CD not Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im

Q65110A2479

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3201 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität

GEO06973

Abstract: Q62702-P5014
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.