OHF01402 Search Results

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Area n ot flat SFH 204 F SFH 204 FA Chip position 5.1 4.7 is W GE006964 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Q65110A2627

Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm

Q62702-P5014

Abstract: Q62702-P5200
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

850 nm LED

Abstract: GEOY6647 Q62702-P129 S8050
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar

Contextual Info: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

Contextual Info: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

Contextual Info: 2011-02-08 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR SFH 2400 FA Features: SFH 2400 FAR Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 750 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 5 ns • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von

Contextual Info: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

Contextual Info: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

Contextual Info: ! 2007-05-23 Ambient Light and Proximity Sensor Umgebungslicht- und Proximity Sensor Version alpha.1 SFH 7771 Features: • Proximity sensor PS - Detection range up to 250 mm - Suitable for Emitters with 850nm.940nm - Very good performance behind dark cover

GEOY6651

Abstract: Q62702-P102
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 205 F Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

p945

Abstract: p945 transistor transistor P945 GEOY6643 Q62702-P945
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns

Contextual Info: Opto Semiconductors 0.3 min 2.1 1.7 1.0 0.9 5.4 5.0 1.7 1.5 2.4 3.4 3.0 0.3 max 3.0 2.6 2.3 2.1 SFH 3211 SFH 3211 FA fpl06899 NPN-Silizium-Fototransistor im  SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in  SMT TOPLED RG-Package 0.0.1 Cathode/Collector marking

BPW34S

Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050
Contextual Info: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing

Q62702-P5043

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität

bpw 104

Abstract: C 34 f
Contextual Info: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPW 34 F, BPW 34 FS, BPW 34 FS (R18R) BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS (R18R)

Q65110A2626

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

.3211

Abstract: FA4 MARKING
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package SFH 3211 SFH 3211 FA SFH 3211 SFH 3211 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 3211 und bei

"rain sensor"

Abstract: Q65110A1130 Lambda Sensor GEOY6863 OHLY0597
Contextual Info: Silizium-Fotodiode mit Vλ Charakteristik Silicon Photodiode with Vλ Characteristics SFH 2430 Wesentliche Merkmale Features • Spektrale Empfindlichkeit angepasst an die Augenempfindlichkeit Vλ • Niedriger Temperaturkoeffizient der Fotoempfindlichkeit

OHFD1781

Abstract: OHF01430 Q65110A2672 GEOY6861 BP 104 FAS
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm

Q62702-P17-S1

Abstract: Q62702-P305 BPX48 diode bzw 06 BPX 48
Contextual Info: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Q62702-P1794

Abstract: GEO06972 Q62702-P5035
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei

2400FA

Abstract: OHFD0228 rainsensor SFH 2400FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400, SFH 2400FA, SFH 2400FAR SFH 2400 SFH 2400FA SFH 2400FAR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm SFH 2400 und von

Fotodiode

Abstract: GEOY6972 Q62702-P1794 Q62702-P5035
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei