OHF00327 Search Results

Q62702-P5014

Abstract: Q62702-P5200
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Q62702-P5043

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität

Q62702-P1796

Abstract: Q62702-P3605
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Q62702-P5209

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet

foto transistor

Abstract: P1103 phototransistor 500-600 nm TRANSISTOR C 460 GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 not connected 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Active area 0.55 0.7 0.3 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: 2008-07-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 3401 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 . 1080 nm • Package: Smart DIL • High linearity • Available only on tape and reel • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:

Q62702-P5200

Abstract: Q62702-P5014
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Q62702-P1103

Abstract: Q62702-P1796 Q62702-P1805 Q62702-P3605
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Q62702-P5014

Abstract: Q62702-P5200 fototransistor
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data 6.2 5.8 3.4 3.0 A B 2.45 spacing 2.1 1.7 0.0.1 Active area 0.55 6 1 2 3 5 4 0.7 0.4 0.5 0.3 4.2 3.8 1.27 spacing 0.15 0.13

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar

pdso6

Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06982
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data 6.2 5.8 3.4 3.0 A B 2.45 spacing 2.1 1.7 0.0.1 Active area 0.55 6 1 2 3 5 4 0.7 0.4 0.5 0.3 4.2 3.8 1.27 spacing 0.15 0.13

Contextual Info: 2013-08-20 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.1 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für

Q62702-P5043

Abstract: IC 3201
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.2 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity

Contextual Info: 2007-03-30 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.0 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity

Q65110A2629

Abstract: OHFD0228
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet

IC 3201

Abstract: Q65110A2479
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3201 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität

P1103

Abstract: GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 not connected 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Active area 0.55 0.7 0.3 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten

foto transistor

Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06973 Q62702-P5014
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 0.1 0.0 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

OHFD0228

Abstract: Q62702-P1796 Q62702-P3605
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten