foto transistor
Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06973 Q62702-P5014
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 0.1 0.0 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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geo06973phas33ohf00309ohf00334+3foto transistorphototransistor 500-600 nmq62702-p5014
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GEO06973
Abstract: Q62702-P5014
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 Active area 0.55 0.7 0.3 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Base Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06973 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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geo06973suitabl33ohf00309ohf00334+1q62702-p5014
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Q62702-P5200
Abstract: Q62702-P5014
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
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ohf00309ohf00334geo06973q62702-p5200+1q62702-p5014
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