OHF00078 Search Results

BPX osram

Abstract: GMOY6011 BPX61
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) • Especially suitable for applications from 400 nm

850 nm LED

Abstract: GEOY6647 Q62702-P129 S8050
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar

Contextual Info: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

Contextual Info: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

BPW34S

Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050
Contextual Info: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing

GEO06861

Abstract: Q62702-P1605
Contextual Info: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Q65110A2626

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

Q62702-P129

Abstract: GEOY6647 S8050
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar Features

GEOY6861

Abstract: GPLY7049 Q65110A2626
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

Q62702-P1602

Abstract: Q62702-P1790 Q62702-P73
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S R18R BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

BPX61

Abstract: GMOY6011 OHLY0598
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich

GEOY6861

Abstract: Q62702-P1605 OHF00078
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig

GEOY6647

Abstract: OHLY0598 S8050
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

GEO06861

Abstract: Q62702-P1605 OHF02283
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig

OHF00078

Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und

E9087

Abstract: Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 BPW 40 BPW 14 A BPW34S S8050 BPW34 BPW 20 k
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S E9087 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm

Contextual Info: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 206 K Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • 5 mm LED plastic package • Also available on tape and reel

Contextual Info: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 SR BPW 34 SR Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

OHF01066

Abstract: bpw 104 BPW 34 datasheet bpw 50 Q65110A1209 BPW34S 34-s
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S (R18R) BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

GEOY6647

Abstract: OHLY0598
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

bpw 104

Abstract: E9087 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 BPW34S
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S E9087 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (E9087) Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm

GEO06647

Abstract: Q62702-P129 sfh 206
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar Features

GMOY6011

Abstract: OHLY0598
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich

Q62702-P1605

Abstract: GEO06861
Contextual Info: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.