GEO06861
Abstract: Q62702-P1605
Contextual Info: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06861
Q62702-P1605
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Q62702-P1605
Abstract: GEO06861
Contextual Info: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
Q62702-P1605
GEO06861
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GEO06861
Abstract: Q62702-P1605 OHF02283
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig
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Original
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OHF01402
GEO06861
GEO06861
Q62702-P1605
OHF02283
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Fotodiode
Abstract: GEO06075 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104FS BP104F
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
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Original
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GEO06075
GEO06861
Fotodiode
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
BP104FS
BP104F
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GEO06861
Abstract: OHFD1781 Q62702-P1646
Contextual Info: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 FS 0.2 0.1 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Cathode lead feo06861 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm
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Original
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feo06861
GEO06861
OHFD1781
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06861
OHFD1781
Q62702-P1646
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GEO06075
Abstract: GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104
Contextual Info: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BP 104 F BP 104 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8
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Original
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feo06861
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06075
GEO06861
OHFD1781
Q62702-P1646
Q62702-P84
BP104
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