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VEC2803

Contextual Info: VEC2803 Ordering number : ENN8202 VEC2803 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

VEC2803

Contextual Info: VEC2803 注文コード No. N 8 2 0 2 三洋半導体データシート N VEC2803 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

diode sy 710

Abstract: VEC2814
Contextual Info: VEC2814 Ordering number : ENA0390B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

"Marking SC"

Abstract: SS1003M
Contextual Info: SS1003M Ordering number : ENN8347 SS1003M Schottky Barrier Diode 30V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Small Switching noise. Low forward voltage(IF=500mA, VF max=0.39V) (IF=1A, VF max=0.45V).

VEC2812

Contextual Info: VEC2812 注文コード No. N A 0 3 9 2 三洋半導体データシート N VEC2812 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

Contextual Info: VEC2814 Ordering number : ENA0390 VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

VEC2814

Contextual Info: VEC2814 Ordering number : ENA0390A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

VEC2814

Contextual Info: VEC2814 注文コード No. N A 0 3 9 0 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0390A をさしかえてください。 VEC2814 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

SS1003M

Contextual Info: SS1003M 注文コード No. N 8 3 4 7 三洋半導体データシート N SS1003M ショットキバリアダイオード 30V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

VEC2812

Contextual Info: VEC2812 Ordering number : ENA0392 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package