12505PE Search Results
12505PE Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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VEC2803Contextual Info: VEC2803 Ordering number : ENN8202 VEC2803 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package |
Original |
vec2803enn8202 | |
VEC2803Contextual Info: VEC2803 注文コード No. N 8 2 0 2 三洋半導体データシート N VEC2803 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。 |
Original |
vec2803900mm212505petb-00001017+3 | |
MCH3335
Abstract: MCH5810 SBS011
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Original |
mch5810enn8194mch3335sbs011 | |
CPH6610
Abstract: MCH3335 CPH6610 marking
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Original |
cph6610enn8167mch3335cph6610 marking | |
CPH6613
Abstract: MARKING FZ
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Original |
cph6613enn8182900mm215ltd+1 | |
marking ZY
Abstract: MCH3447
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Original |
mch3447enn8200900mm2marking zy | |
CPH6613Contextual Info: CPH6613 注文コード No. N 8 1 8 2 三洋半導体データシート N CPH6613 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 |
Original |
cph6613900mm2it07191it07192 | |
CPH6610
Abstract: MCH3335 MCH3408
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Original |
cph6610mch3335mch3408900mm2+3 | |
ECH8616Contextual Info: ECH8616 Ordering number : ENN8191 N-Channel Silicon MOSFET ECH8616 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C |
Original |
ech8616enn8191900mm2 | |
MCH3335
Abstract: MCH5810 SBS011
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Original |
mch5810mch3335sbs011900mm2+4 |