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MCH3335 Abstract: MCH5810 SBS011 Contextual Info: MCH5810 Ordering number : ENN8194 MCH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3335 and a Schottky Barrier Diode (SBS011) contained in one package facilitating high-density mounting.	Original	mch5810 enn8194 mch3335 sbs011	PDF
MCH3335 Abstract: MCH5810 SBS011 Contextual Info: MCH5810 注文コード No. N 8 1 9 4 三洋半導体データシート N MCH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3335）	Original	mch5810 mch3335 sbs011 900mm2 +412505pe tb-00001111 it08704 it08703	PDF

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MCH3335

Abstract: MCH5810 SBS011
Contextual Info: MCH5810 Ordering number : ENN8194 MCH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3335 and a Schottky Barrier Diode (SBS011) contained in one package facilitating high-density mounting.

Original

mch5810 enn8194 mch3335 sbs011

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MCH3335

Abstract: MCH5810 SBS011
Contextual Info: MCH5810 注文コード No. N 8 1 9 4 三洋半導体データシート N MCH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3335）

Original

mch5810 mch3335 sbs011 900mm2 +4

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