IT07153 Search Results

A0780

Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M a07801
Contextual Info: MCH5836 注文コード No. N A 0 7 8 0 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0780 をさしかえてください。 MCH5836 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

MCH3307

Abstract: MCH5836 SS10015M
Contextual Info: MCH5836 Ordering number : ENA0780 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)

SS1001

Abstract: MCH5837 mosfet yb SS10015M TA72
Contextual Info: MCH5837 Ordering number : ENA0781 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M

Contextual Info: CPH5848 Ordering number : EN8690 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5848 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Applications • DC / DC converters. Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3306 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)

a0670-1

Abstract: CPH5855
Contextual Info: CPH5855 Ordering number : ENA0670 CPH5855 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • DC / DC converters. Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

Contextual Info: SS10015M Ordering number : ENN7979 Schottky Barrier Diode SS10015M 15V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.32V) (IF=0.5A, VF max=0.35V).

86886

Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001
Contextual Info: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)

SS10015M

Abstract: 138SF 15VIO sanyo SS10015M
Contextual Info: SS10015M 注文コード No. N 7 9 7 9 三洋半導体データシート N ショットキバリアダイオード SS10015M 15V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

D1004

Abstract: MCH3405 MCH5811 SS10015M 40V 60A MOSFET SS1001
Contextual Info: MCH5811 注文コード No. N 8 0 5 9 三洋半導体データシート N MCH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3405 とショットキバリアダイオード

A0670

Abstract: a0670-1 CPH5855
Contextual Info: CPH5855 注文コード No. N A 0 6 7 0 三洋半導体データシート N CPH5855 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

A0849

Abstract: SS10015M VEC2820
Contextual Info: VEC2820 注文コード No. N A 0 8 4 9 三洋半導体データシート N VEC2820 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオード SS10015M を 1 パッケージに内蔵した複

MCH5846

Abstract: SS10015M CPH5846 MCH3309
Contextual Info: CPH5846 注文コード No. N 8 6 8 8 三洋半導体データシート N CPH5846 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに

D1004

Abstract: MCH3405 MCH5811 SS10015M
Contextual Info: MCH5811 Ordering number : ENN8059 MCH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3405 and a schottky barrier diode (SS10015M)

SS1001

Abstract: ENA0781A MCH5837 SS10015M
Contextual Info: MCH5837 Ordering number : ENA0781A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M

ss1001

Abstract: MCH3445 MCH5812 SS10015M
Contextual Info: MCH5812 Ordering number : ENN7998 MCH5812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3445 and a schottky barrier diode (SS10015M)

yb 27 BR MOSFET

Abstract: MCH5837 SS10015M SS1001 A0781
Contextual Info: MCH5837 注文コード No. N A 0 7 8 1 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0781 をさしかえてください。 MCH5837 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

SS10015M

Abstract: VEC2820
Contextual Info: VEC2820 Ordering number : ENA0849 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2820 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M contained in one

Contextual Info: Ordering number : ENA0444B SB10015M Schottky Barrier Diode http://onsemi.com 15V, 1A, Low IR, Single MCPH3 Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • Small switching noise • Halogen free compliance

MCH3339

Abstract: MCH5823 SS10015M
Contextual Info: MCH5823 注文コード No. N 7 7 5 7 三洋半導体データシート N MCH5823 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに

MCH3445

Abstract: MCH5812 SS10015M
Contextual Info: MCH5812 注文コード No. N 7 9 9 8 三洋半導体データシート N MCH5812 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3445 とショットキバリアダイオード

MCH3339

Abstract: MCH5823 SS10015M
Contextual Info: MCH5823 Ordering number : ENN7757 MCH5823 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)