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86886 Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001 Contextual Info: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)	Original	cph5846 en8688 mch3309 ss10015m +486886 diode sy 710 mch5846 ss-1001	PDF
MCH5846 Abstract: SS10015M CPH5846 MCH3309 Contextual Info: CPH5846 注文コード No. N 8 6 8 8 三洋半導体データシート N CPH5846 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに	Original	cph5846 mch3309 ss10015m 900mm2 +5n0106pe tc-00000270 it07150 it07152 mch5846	PDF

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86886

Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001
Contextual Info: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)

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cph5846 en8688 mch3309 ss10015m +4

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MCH5846

Abstract: SS10015M CPH5846 MCH3309
Contextual Info: CPH5846 注文コード No. N 8 6 8 8 三洋半導体データシート N CPH5846 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに

Original

cph5846 mch3309 ss10015m 900mm2 +5

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