MCH3307
Abstract: MCH5836 SS10015M
Contextual Info: MCH5836 Ordering number : ENA0780 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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mch5836ena0780mch3307ss10015m+1a0780-6/6
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SS1001
Abstract: MCH5837 mosfet yb SS10015M TA72
Contextual Info: MCH5837 Ordering number : ENA0781 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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mch5837ena0781ss10015ma0781-6/6+3ss1001mosfet ybta72
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Contextual Info: CPH5848 Ordering number : EN8690 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5848 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Applications • DC / DC converters. Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3306 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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en8690cph5848mch3306ss10015m |
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Contextual Info: SS10015M Ordering number : ENN7979 Schottky Barrier Diode SS10015M 15V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.32V) (IF=0.5A, VF max=0.35V).
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Original
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ss10015menn7979 |
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86886
Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001
Contextual Info: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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cph5846en8688mch3309ss10015m+486886diode sy 710mch5846ss-1001
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SS10015M
Abstract: 138SF 15VIO sanyo SS10015M
Contextual Info: SS10015M 注文コード No. N 7 9 7 9 三洋半導体データシート N ショットキバリアダイオード SS10015M 15V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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ss10015m15v1a100ma600mm2+853104sbta-101012it07150it07152it07153138sf15viosanyo ss10015m
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A0849
Abstract: SS10015M VEC2820
Contextual Info: VEC2820 注文コード No. N A 0 8 4 9 三洋半導体データシート N VEC2820 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオード SS10015M を 1 パッケージに内蔵した複
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Original
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vec2820ss10015m900mm260607pe+5tc-00000736a0849-1/6it07152it07153a0849
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MCH5846
Abstract: SS10015M CPH5846 MCH3309
Contextual Info: CPH5846 注文コード No. N 8 6 8 8 三洋半導体データシート N CPH5846 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
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Original
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cph5846mch3309ss10015m900mm2+5n0106petc-00000270it07150it07152mch5846
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D1004
Abstract: MCH3405 MCH5811 SS10015M
Contextual Info: MCH5811 Ordering number : ENN8059 MCH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3405 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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mch5811enn8059mch3405ss10015m+1d1004
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SS1001
Abstract: ENA0781A MCH5837 SS10015M
Contextual Info: MCH5837 Ordering number : ENA0781A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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mch5837ena0781ass10015ma0781-6/6+1ss1001
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SS1001
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M
Contextual Info: MCH5836 Ordering number : ENA0780A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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mch5836ena0780amch3307ss10015m+3pw10sa0780-6/6ss1001
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ss1001
Abstract: MCH3445 MCH5812 SS10015M
Contextual Info: MCH5812 Ordering number : ENN7998 MCH5812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3445 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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mch5812enn7998mch3445ss10015m+1ss1001
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SS10015M
Abstract: VEC2820
Contextual Info: VEC2820 Ordering number : ENA0849 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2820 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M contained in one
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vec2820ena0849ss10015ma0849-6/6 |
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MCH3339
Abstract: MCH5823 SS10015M
Contextual Info: MCH5823 注文コード No. N 7 7 5 7 三洋半導体データシート N MCH5823 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
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mch5823mch3339ss10015m900mm2+3d2004petb-00001070it07151
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on line ups circuit diagrams
Abstract: 2SK3850 242M SSFP package K3492 3ln03 MCH3435 CPH5612 three phase on line ups circuit diagrams TN6R04
Contextual Info: Ordering number: EP51E MOSFET Series '05-05 TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN Telephone: 81- 0 3-3837-6339, 6340, 6342, Facsimile: 81-(0)3-3837-6377 ●SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor company Homepage URL: http://www.semic.sanyo.co.jp/index_e.htm
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ep51ecph6605mch6613ech8609+16cph3424cph3427k3614fw343fw356fw360on line ups circuit diagrams2sk3850242mssfp packagek34923ln03mch3435cph5612three phase on line ups circuit diagramstn6r04
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A0780
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M a07801
Contextual Info: MCH5836 注文コード No. N A 0 7 8 0 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0780 をさしかえてください。 MCH5836 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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mch5836na0780mch3307ss10015m+6900mm241807petc-00000614a0780-1/6a0780a07801
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SBE001
Abstract: SB20015M SS2003M SS3003CH ec2d02b SB007-W03C SB10015M SBS004M ss200 SS10015M
Contextual Info: Schottky Barrier Diodes Shortform Table Surfacemount Type Package Series CONTENTS •Packages ■Quick selection guide ■Recommendation circuit diagram ■Lineup according to packages ・ECSP1006-2 ・ECSP1008-2 ・ECSP1608-4 ・SSFP ・SCH6 ・SMCP ・MCP
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ecsp1006-2ecsp1008-2ecsp1608-4sb30w03t+13sb40w03tsb10w05tsb25w05tsbe001sb20015mss2003mss3003chec2d02bsb007-w03csb10015msbs004mss200ss10015m
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D1004
Abstract: MCH3405 MCH5811 SS10015M 40V 60A MOSFET SS1001
Contextual Info: MCH5811 注文コード No. N 8 0 5 9 三洋半導体データシート N MCH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3405 とショットキバリアダイオード
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mch5811mch3405ss10015m900mm2+6d1004tb-00000604it07150it0715240v 60a mosfetss1001
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yb 27 BR MOSFET
Abstract: MCH5837 SS10015M SS1001 A0781
Contextual Info: MCH5837 注文コード No. N A 0 7 8 1 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0781 をさしかえてください。 MCH5837 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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mch5837na0781ss10015m900mm2+741807petc-00000616a0781-1/6it07150yb 27 br mosfetss1001a0781
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TT2140
Abstract: transistor TT2140 TT2190 transistor horizontal TT2190 TT2170 TT2190 DATASHEET tt2140 equivalent tt2170 equivalent 2sd2689 inverter transistor TT2140
Contextual Info: Ordering number: EP106A Discrete Devices for Video Equipment '04-08 TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN Telephone: 81- 0 3-3837-6339, 6340, 6342, Facsimile: 81-(0)3-3837-6377 ●SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor company Homepage
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ep106ao-220fi5htt2140transistor tt2140+8tt2190transistor horizontal tt2190tt2170tt2190 datasheettt2140 equivalenttt2170 equivalent2sd2689inverter transistor tt2140
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MCH3445
Abstract: MCH5812 SS10015M
Contextual Info: MCH5812 注文コード No. N 7 9 9 8 三洋半導体データシート N MCH5812 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3445 とショットキバリアダイオード
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mch5812mch3445ss10015m900mm2+4d2004petb-00001089it07150it07152
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