7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M 
 
Contextual Info: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm  MCH3339  and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
 
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Original
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ENN7447 
CPH5818 
MCH3339)
SBS007M)
CPH5818]
7447
CPH5818
MCH3339
SBS007M
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sw 13003
Abstract: 13003 MOSFET 13003 sd 74144 13003 MOSFET transistor transistor sd 13003 IC 74141 MCH3339 15a diode sw 13003 A MOSFET 
 
Contextual Info: Ordering number : ENN7414 MCH3339 P-Channel Silicon MOSFET MCH3339 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. unit : mm 2167A [MCH3339] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65 0.07 1.6 2.1 3
 
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Original
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ENN7414 
MCH3339 
MCH3339]
sw 13003
13003 MOSFET
13003 sd
74144
13003 MOSFET transistor
transistor sd 13003
IC 74141
MCH3339
15a diode
sw 13003 A MOSFET
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MCH5818
Abstract: MCH3339 SBS007M 
 
Contextual Info: MCH5818 注文コード No. N 7 7 5 4 三洋半導体データシート N MCH5818 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SBS007M)を 1 パッケージに
 
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Original
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MCH5818 
MCH3339)
SBS007M)
900mm2 
TA-3839
--10V 
IT05619 
900mm2
MCH5818
MCH3339
SBS007M
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PDF
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MCH3339
Abstract: MCH5818 SBS007M 
 
Contextual Info: MCH5818 Ordering number : ENN7754 MCH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET  MCH3339  and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) contained in one package facilitating high-density mounting.
 
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Original
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MCH5818 
ENN7754 
MCH3339)
SBS007M)
MCH3339
MCH5818
SBS007M
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7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M 
 
Contextual Info: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm  MCH3339  and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
 
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Original
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ENN7447 
CPH5818 
MCH3339)
SBS007M)
CPH5818]
7447
CPH5818
MCH3339
SBS007M
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MCH3339
Abstract: MCH5823 SS10015M 
 
Contextual Info: MCH5823 注文コード No. N 7 7 5 7 三洋半導体データシート N MCH5823 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
 
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Original
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MCH5823 
MCH3339)
SS10015M)
900mm2 
D2004PE
TB-00001070
IT07151 
MCH3339
MCH5823
SS10015M
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MCH3339
Abstract: MCH5823 SS10015M 
 
Contextual Info: MCH5823 Ordering number : ENN7757 MCH5823 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET  MCH3339  and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
 
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Original
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MCH5823 
ENN7757 
MCH3339)
SS10015M)
MCH3339
MCH5823
SS10015M
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on line ups circuit diagrams
Abstract: 2SK3850 242M SSFP package K3492 3ln03 MCH3435 CPH5612 three phase on line ups circuit diagrams TN6R04 
 
Contextual Info: Ordering number: EP51E MOSFET Series '05-05 TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN Telephone: 81- 0 3-3837-6339, 6340, 6342, Facsimile: 81-(0)3-3837-6377 ●SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor company Homepage URL: http://www.semic.sanyo.co.jp/index_e.htm
 
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Original
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EP51E 
CPH6605 
MCH6613 
ECH8609 
CPH3424 
CPH3427 
K3614 
FW343 
FW356 
FW360 
on line ups circuit diagrams
2SK3850
242M
SSFP package
K3492
3ln03
MCH3435
CPH5612
three phase on line ups circuit diagrams
TN6R04
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TA-3843
Abstract: SBS007M CPH5818 MCH3339 N7447 
 
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
 
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Original
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CPH5818 
N7447 
MCH3339 
SBS007M 
600mm2 
IT02953 
IT05891 
IT02955 
IT02956 
TA-3843
SBS007M
CPH5818
MCH3339
N7447
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TA-3843
Abstract: MOSFET MCH33 N7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M TA384 
 
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 No. N 7 4 4 7 A 91003 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
 
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Original
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CPH5818 
N7447 
MCH3339 
SBS007M 
600mm2 
IT02953 
IT05891 
IT02955 
IT02956 
TA-3843
MOSFET MCH33
N7447
CPH5818
MCH3339
SBS007M
TA384
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