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    8126-1

    Abstract: D2004PE ECH8621
    Contextual Info: ECH8621 注文コード No. N 8 1 2 6 三洋半導体データシート N ECH8621 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・LIB 用途に最適。 ・2.5V 駆動。


    Original     		ech8621900mm2it08384it08322+3it083238126-1d2004pe PDF

    ss1001

    Abstract: MCH3445 MCH5812 SS10015M
    Contextual Info: MCH5812 Ordering number : ENN7998 MCH5812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3445 and a schottky barrier diode (SS10015M)


    Original     		mch5812enn7998mch3445ss10015m+1ss1001 PDF

    ECH8621

    Contextual Info: ECH8621 Ordering number : ENN8126 N-Channel Silicon MOSFET ECH8621 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Best suited for lithium battery applications. 2.5V drive. Composite type, facilitating high-density mounting.


    Original     		ech8621enn8126900mm20 PDF

    MCH3339

    Abstract: MCH5823 SS10015M
    Contextual Info: MCH5823 注文コード No. N 7 7 5 7 三洋半導体データシート N MCH5823 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに


    Original     		mch5823mch3339ss10015m900mm2+3d2004petb-00001070it07151 PDF

    MCH3445

    Abstract: MCH5812 SS10015M
    Contextual Info: MCH5812 注文コード No. N 7 9 9 8 三洋半導体データシート N MCH5812 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3445 とショットキバリアダイオード


    Original     		mch5812mch3445ss10015m900mm2+4d2004petb-00001089it07150it07152 PDF

    MCH3339

    Abstract: MCH5823 SS10015M
    Contextual Info: MCH5823 Ordering number : ENN7757 MCH5823 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)


    Original     		mch5823enn7757mch3339ss10015m PDF

    ECH8621

    Contextual Info: ECH8621 Ordering number : ENN8126 N-Channel Silicon MOSFET ECH8621 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Best suited for lithium battery applications. 2.5V drive. Composite type, facilitating high-density mounting.


    Original     		ech8621enn8126900mm2 PDF