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Contextual Info: VEC2611 VEC2611 Ordering number : ENA0425 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The VEC2611 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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vec2611ena0425900mm2vec2611/d |
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Contextual Info: VEC2813 Ordering number : ENA0384 VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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vec2813ena0384a0384-6/6 |
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diode sy 710
Abstract: VEC2813 N1407
Contextual Info: VEC2813 Ordering number : ENA0384B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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vec2813ena0384ba0384-6/6diode sy 710+1n1407
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MCH3406
Abstract: ENN7010 SANYO marking kf mosfet marking kf
Contextual Info: Ordering number : ENN7010 MCH3406 N-Channel Silicon MOSFET MCH3406 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-state resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3406] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2
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Original
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enn7010mch3406sanyo marking kfmosfet marking kf |
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CPH5611
Abstract: n715 N7154
Contextual Info: 注文コード No. N 7 1 5 4 CPH5611 No. N7154 41002 新 CPH5611 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 ・MOS 形電界効果トランジスタを１パッケージに２素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能
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Original
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cph5611n7154600mm2it04049+2it04050n715
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N7010
Abstract: MCH3406
Contextual Info: 注文コード No. N 7 0 1 0 MCH3406 No. N7010 71801 新 MCH3406 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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mch3406n7010900mm2it03499+1it03500
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VEC2813
Contextual Info: VEC2813 注文コード No. N A 0 3 8 4 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0384A をさしかえてください。 VEC2813 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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vec2813na0384a900mm2n0106+5tc-0000029952506petb-000002333a0384-1/6n1407
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SCH1402
Abstract: 75333 TA-100481
Contextual Info: 注文コード No. N 7 5 3 3 SCH1402 三洋半導体データシート N SCH1402 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。
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Original
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sch1402900mm2it05678it03497+3it0567975333ta-100481
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CPH5831
Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
Contextual Info: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用
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Original
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cph5831mch3406sbs010m600mm2+512805peta-100797it08545it00625cph58
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diode sy 710
Abstract: VEC2814
Contextual Info: VEC2814 Ordering number : ENA0390B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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vec2814ena0390ba0390-6/6diode sy 710 |
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CPH5811
Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
Contextual Info: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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cph5811enn8234mch3406sbs004+22171amarking qm
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Contextual Info: Ordering number : ENN7010 MCH3406 MCH3406 N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-state resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3406] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2
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Original
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enn7010mch3406mch3406/d |
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A0849
Abstract: SS10015M VEC2820
Contextual Info: VEC2820 注文コード No. N A 0 8 4 9 三洋半導体データシート N VEC2820 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオード SS10015M を 1 パッケージに内蔵した複
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Original
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vec2820ss10015m900mm260607pe+5tc-00000736a0849-1/6it07152it07153a0849
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ic 7533-1
Abstract: 7533-1 7533 datasheet SCH1402 75331
Contextual Info: Ordering number : ENN7533 SCH1402 N-Channel Silicon MOSFET SCH1402 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2221 [SCH1402] Top View 1.6 0.05 0.2 0.15
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Original
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enn7533sch1402ic 7533-17533-1+27533 datasheet75331
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MCH3406
Abstract: SBS004 CPH5811 2171A 4863s
Contextual Info: CPH5811 注文コード No. N 8 2 3 4 三洋半導体データシート N CPH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3406 とショットキバリアダイオード(SBS004)を 1 パッケージに
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Original
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cph5811mch3406sbs004600mm2+622805petb-00001212it00624it006232171a4863s
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Contextual Info: VEC2814 Ordering number : ENA0390 VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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vec2814ena0390a0390-6/6 |
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VEC2814
Contextual Info: VEC2814 Ordering number : ENA0390A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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vec2814ena0390aa0390-6/6 |
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IC rl46
Abstract: VEC2611
Contextual Info: VEC2611 Ordering number : ENA0425 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2611 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The VEC2611 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,
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Original
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vec2611ena0425900mma0425-6/6+1ic rl46
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enn7786
Abstract: SB07-03C MCH3406 CPH5826
Contextual Info: CPH5826 Ordering number : ENN7786 CPH5826 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3406 and a schottky barrier diode (SB07-03C)
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Original
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cph5826enn7786mch3406sb07-03c |
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A0425
Abstract: VEC2611 IT-1109
Contextual Info: VEC2611 注文コード No. N A 0 4 2 5 三洋半導体データシート N VEC2611 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合
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Original
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vec2611900mm2it11102it11103+4it11104a0425-6/6a0425it-1109
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CPH5826
Abstract: MCH3406 cph58
Contextual Info: CPH5826 注文コード No. N 7 7 8 6 三洋半導体データシート N CPH5826 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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cph5826mch3406sb07-03c600mm2+4ta-100747id00383id00384cph58
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VEC2814
Contextual Info: VEC2814 注文コード No. N A 0 3 9 0 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0390A をさしかえてください。 VEC2814 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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vec2814na0390a900mm2n0106+5tc-0000030142506petb-00002243a0390-1/6n1407
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SS10015M
Abstract: VEC2820
Contextual Info: VEC2820 Ordering number : ENA0849 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2820 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M contained in one
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Original
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vec2820ena0849ss10015ma0849-6/6 |
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15A50
Abstract: diode sy 710 VEC2813
Contextual Info: VEC2813 Ordering number : ENA0384A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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vec2813ena0384aa0384-6/615a50+1diode sy 710
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