86886
Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001
Contextual Info: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
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Original
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cph5846en8688mch3309ss10015m+486886diode sy 710mch5846ss-1001
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SCH1310
Abstract: A0155
Contextual Info: SCH1310 注文コード No. N A 0 1 5 5 三洋半導体データシート N SCH1310 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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sch1310900mm2it02737--10v+4it10065it10061a0155-3/4a0155
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a 69104
Abstract: 69104 MCH3309
Contextual Info: Ordering number : ENN6910 MCH3309 P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2167 [MCH3309] 0.25 • 0.3 0.15 2
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Original
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enn6910mch3309a 6910469104 |
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CPH5807
Abstract: MCH3309 SBS004
Contextual Info: CPH5807 Ordering number : EN7751B CPH5807 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in
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Original
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cph5807en7751bmch3309sbs004 |
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CPH5835
Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
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Original
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cph5835mch3309sbs010m600mm2+512805petb-00001006it05882it05881mch5835
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a 69104
Abstract: 69104 TA-3058 MCH3309
Contextual Info: Ordering number : ENN6910 MCH3309 P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2167 [MCH3309] 0.25 • 0.3 0.15 2
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Original
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enn6910mch3309pw10sa 69104+269104ta-3058
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SCH1310
Contextual Info: SCH1310 Ordering number : ENA0155 P-Channel Silicon MOSFET SCH1310 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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sch1310ena0155900mm2a0155-4/4 |
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CPH5857
Contextual Info: CPH5857 Ordering number : ENA0547 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5857 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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cph5857ena0547a0547-6/6 |
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MCH5846
Abstract: SS10015M CPH5846 MCH3309
Contextual Info: CPH5846 注文コード No. N 8 6 8 8 三洋半導体データシート N CPH5846 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
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Original
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cph5846mch3309ss10015m900mm2+5n0106petc-00000270it07150it07152mch5846
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82074
Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
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Original
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cph5835mch3309sbs010m600mm2+612805petb-00001006it05882it0588182074mch5835
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CPH5807
Abstract: MCH3309 SBS004
Contextual Info: CPH5807 Ordering number : ENN7751 CPH5807 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in
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Original
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cph5807enn7751mch3309sbs004 |
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CPH5857
Abstract: Id003
Contextual Info: CPH5857 注文コード No. N A 0 5 4 7 三洋半導体データシート N CPH5857 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ
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Original
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cph5857900mm2d2006petc-00000405+5a0547-1/6it11207it11206it11208id003
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CPH5807
Abstract: D2005 MCH3309 SBS004
Contextual Info: CPH5807 注文コード No. N 7 7 5 1 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7751A とさしかえてください。 CPH5807 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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cph5807n7751amch3309sbs004+5600mm2d2005tb-00001994d1504peta-100107
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CPH3309
Abstract: CPH5835 MCH5835 SBS010M
Contextual Info: CPH5835 Ordering number : ENN8207 CPH5835 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET CPH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained
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Original
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cph5835enn8207cph3309sbs010m+1mch5835
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