GET06625 Search Results

E7800

Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

BPX63

Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

E7800

Abstract: GET06625 Q62703-Q1090
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 483 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

din 40 040 gqg

Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 MSE16
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: LD242 SIEMENS GaAs Infrared Emitter Dimensions in inches mm .141 (3.6) .571i (14.5)_ ( _ .492r o( í ? ) 0.100 (2.54) Áíiode 0 .018 (0.45) 106(2.7) GET06625 Crap Location FEATURES • GaAs infrared emitting diode, fabricated In a liquid phase epitaxy process

E7800

Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 marking code diode 04 to-18
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g

opto 7800

Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

GET06625

Abstract: Q62702-P55 BPX63
Contextual Info: Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Sperrstromarm typ. 5 pA • TO-18, Bodenplatte, mit klarem

opto 7800

Abstract: E7800 GET06625 7800 opto opto 7800 a
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse

SFH302

Abstract: SFH203 IRF 426
Contextual Info: Si-Fotodetektoren und IR-Lumineszenzdioden Silicon Photodetectors and Infrared Emitters Outline drawings in mm Maßbilder (in mm) Figure 1 S u r 'a c e no* f la t in i Ö! °! Q .8 n a x ° G 1 GND 9.0 y t ' 0.5 S. ¡ 5.9 7.8 7.5 oo m ö o ¡ f t 1 C athode

opto 7800

Abstract: E7800 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 opto 7800 a
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse