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    OHR01461 Search Results

    OHR01461 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    GETY6090

    Abstract: SFH400
    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    gety6090sfh400 PDF

    opto 7800

    Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    ohr01461get06625opto 7800e7800+2q62702-q1745current sensor 7800 PDF

    GPLY6724

    Abstract: J-STD-020A
    Contextual Info: Rote Lumineszenzdiode Red Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4273 Wesentliche Merkmale Features • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse • Typische Emissionswellenlänge 660nm • Verbesserte Abbildungseigenschaften durch Absorption der Seitenstrahlung


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    660nmj-std-020agply6724 PDF

    GET06090

    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse


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    ohr01888get06090 PDF

    Contextual Info: Rote Lumineszenzdiode Red Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4273 Wesentliche Merkmale Features • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse • Typische Emissionswellenlänge 660nm • Verbesserte Abbildungseigenschaften durch Absorption der Seitenstrahlung


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    660nmj-std-020a PDF

    E7800

    Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
    Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


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    get06625fet06625ohr01461ohr01457+3e7800q62702-q1745sfh4641 PDF

    BPX osram

    Abstract: E7800
    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit


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    bpx osrame7800 PDF

    GPLY6724

    Contextual Info: Rote Lumineszenzdiode Red Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4273 Wesentliche Merkmale Features • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse • Typische Emissionswellenlänge 660nm • Verbesserte Abbildungseigenschaften durch Absorption der Seitenstrahlung


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    660nmj-std-020cgply6724 PDF

    7800 opto

    Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an


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    7800 optoopto 7800bpx osrame7800+2gety6625q62702-q1745 PDF

    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden


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    e7800q62702q1745103ou PDF

    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse


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    ohr01888gety6090 PDF

    E7800

    Abstract: GETY6625 OHLY0598
    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden


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    e7800gety6625ohly0598 PDF

    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


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    gety6625 PDF

    Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden


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    e7800q62702q1745103ou PDF

    GET06090

    Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Preliminary Data 2.7 ø4.8 ø4.6 5.3 5.0 7.4 6.6 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06090 fet06090 14.5 12.5 1.1 .9 0 Cathode Chip position 2.54mm spacing ø0.45 Wesentliche Merkmale ● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne


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    get06090fet06090ohr01869ohr01870+3ohr01462ohr01871ohr01888 PDF