OHR01877 Search Results

BPX osram

Abstract: E7800 242-E7800
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,

E7800

Abstract: GETY6625 OHLY0598
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel

BPX osram

Abstract: E7800 GETY6625 Q62703Q015
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel

BPX osram

Abstract: E7800 GETY6625 Q62703-Q3509
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Contextual Info: 2007-12-07 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 242 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

BPX63

Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse

opto 7800

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel

opto 7800

Abstract: E7800 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 opto 7800 a
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse

din 40 040 gqg

Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 MSE16
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

BPX osram

Abstract: E7800 GETY6625 OHLY0598
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel