CD 4093 N Search Results

4093 BP

Abstract: cd 4093 equivalent V40098D V40511D 40511 4017 BP MC 4011 BCP MC 4093 ZUD 132 ci 4093 equivalent
Contextual Info: i iriilk if^ B c lG l-c te n a n il-i Übersicht CMOS-Schaltkreise CMOS-IC’s Übersicht CMOS-Schaltkreise - CMOS-IC’s V4001 D V 4007 D V4011 D V 4012 D V 4013 D V4015D V4017D V4019D V 4023 D V 4027 D V 4028 D V 4029 D V 4030 D V 4034 D V 4035 D V 4042

information applikation

Abstract: Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation mikroelektronik 40098 Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation MIKROELEKTRONIK Frankfurt applikation heft 40511
Contextual Info: in j^ D lk ^ im iB lB l- c t e n n r iil- c KaD Information Applikation CMOSLOGIKSCHALTKREISE i - : d o l - i t s n a n i l - c Information Applikation • Heft 12: CMOS-Logilc-IS ^ K»D T veb halbleiterwerkfrankfurt oder ' VEB ZENTRUM FÜR FO R SC H U N G

2N4092

Abstract: 2M4092 2n4093 2N4091
Contextual Info: TYPES 2N4091 THRU 2N4093 N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTORS B U L L E T IN N O . D L -S 7311914, M A R C H 1973 S Y M M E T R IC A L N -C H A N N E L F IE L D -E F F E C T T R A N S IS T O R S FOR H IG H -SP EE D C O M M U T A T O R A N D CHO PPER A P P L IC A T IO N S

PN4860

Abstract: PN4857 2N5639 J106 PN4858 2N5555 2N5638 2N5640 J105 J107
Contextual Info: N o. P kg . Signal T T r^ t ? ? ? ? 00 ^ in t" io ^ io CM CM CM CM O O) o CM CM CN CM O O O O CM CM CM CM 0) 0 ) 0 0) CM CM CN CN 0)0 in in in in in in in in in o ^ <5 q o to in co 2 2 in ^ o m 2 2 2 s £ ! °9 <9 _ O _ O _ O CN *- o o o in s in « in 50

VEB mikroelektronik

Abstract: 4011 BP TOSHIBA V40511D Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik Heft SCL4001BE information applikation mikroelektronik SCL4030BE SCL4011BE
Contextual Info: ö=ü ] k :n ^ G le l- c t 3 n o n il- c Integrierte Schaltkreise Funktion und Einsatzmöglichkeiten CMOS-Logikschaltkreise V 4001 D, V 4011 D, V 4012 D, V 4023 D und V 4030 D CM OS - Logikbaureihe V 4 0 0 0 D Heft 2 Funktion und Einsatzm öglichkeiten der

VEB mikroelektronik

Abstract: Datenblattsammlung SY 625 V40511D mikroelektronik datenblattsammlung Diode KD 514 KD512A mikroelektronik Berlin "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat mikroelektronik Erfurt
Contextual Info: \ñ ñ lB rW *m X S á B Í4 ti& * 311' ill c e l e k t r o n i k - b a u e i e m e n t e ? 2/86 . Die vorliegenden Datenblätter beinhalten Listen i Infonmatic-aen ü b e r elektronischer Sie können abgeleitet beinhalten n ur z u r Information» Halbleiterbauelemente

3866S

Abstract: BF247 equivalent brochage des circuits integres Triac GK transistor bc 564 BC547E TI Small Signal FET Catalogue bcw 91 transistor SESCO SESCOSEM
Contextual Info: GENERAL INFORMATION , , v^ INFORMATION GENERALE ” ; V Index Index 3 ' v.»A* K \ a 1 Selection guide Guide de sélection Qualified devices Dispositifs homologués Quality Qualité Symbols Symboles DATA SHEETS NOTICES SILICON SIGNAL TRANSISTORS TRANSISTORS DE SIGNAL AU SILICIUM

MH1SS1

Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
Contextual Info: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR
Contextual Info: íx}i3í iu ]9n;g'q s p o s i l i o j p j S j © DNmiAf W¥S±±na N31¥Q >l!UDüq>|! ZUR B E A C H T U N G Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elektronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" LEB)

MSD 7818

Abstract: MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN
Contextual Info: In n in ik ü r Q fâ lI Information Applikation RGW Typen­ übersicht + Vergleich TeiM UdSSR JitfÆÊL JUUUUUUL&JJJUL i m i n i ^ r ^ c z l c i c b p o n Information Applikation , 9 H E F T 4 9 * R G W T y p e n ü b e r s i c h t + V e r g l e i c h Teil 1

k3882

Abstract: TAA 981 E25C5 TC8066PB sn 8400 sn 8408 selen-gleichrichter Halbleiterbauelemente DDR A109D SY 170
Contextual Info: [ n r D D lk D ^ i^ B lB k f a n a n ilK Halbleiter-Bauelemente Kurzinformation D ie M ik ro e le k tro n ik e rw e is t sich in te rn a tio n a l m e h r u n d m eh r a ls e in e n ts c h e id e n d e r F a k to r be i d e r D u rc h s e tz u n g d e s w isse n s c h a ftlic h -te c h n is c h e n F o rts c h ritte s a lle r B ere ich e d e r W irts c h a ft un d

d 1877 transistor

Abstract: 251c nec DOD-H-7390 tube 1L4 7390
Contextual Info: DOD-H-7390 1/44 TFT COLOR LCD MODULE Type: NL160120AC27-01 54cm 21.3 Type , UXGA Analog, Full-color SPECIFICATIONS First edition PRELIMINARY This document is preliminary. All information in this document is subject to change without prior notice. NEC Corporation

sot208a

Abstract: SE-1111 str w 5667 3M Philippines TL 2336 ic circuit diagram
Contextual Info: A 6 1993 YIP& 1 INTEGRATED CIRCUITS SAA5246A Integrated VIP and Teletext IV T 1 .0 Preliminary specification Supersedes data of August 1992 File under Integrated Circuits, IC02 January 1993 Philips Semiconductors PHILIPS PHILIPS Philips Semiconductors Preliminary specification

32-PIN

Abstract: DS2172 PS24 PS26 PS27 PS28 PS29 PS30 335 PR10
Contextual Info: DS2172 1 DALLAS s e m ic o n d u c t o r DS2172 Bit Error Rate Tester BERT PIN ASSIGNMENT FEATURES • Generates/Detects digital bit patterns for analyzing, evaluating and troubleshooting digital communica­ tions systems r • Operates at speeds from DC to 52 MHz

NAND FLASH DDP

Abstract: SAMSUNG MCP MCP 256M nand 128M mobile sdram 137FBGA MCP 67 MV- A2 8188 KBE00F005A KBE00F005A-D411 MCP NOR FLASH SDRAM UtRAM Density
Contextual Info: KBE00F005A-D411 MCP MEMORY MCP Specification 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS, AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

information applikation

Abstract: transistor vergleichsliste information applikation mikroelektronik c5658c DS8205D mikroelektronik DDR applikation heft VEB mikroelektronik 14-Bit-DAC mikroelektronik applikation
Contextual Info: rr uni Information Applikation . m nlkif^eiBktana rTik / Information Applikation H E F T 51 : D/A - Wandler-Famili«H F 0 1988 v b hafcW t r w rk fmkfurfc loömr im v«t>kombinot mlcmiWiti Ontt KAMMER DER TECHNIK Ebartu u traB * 2, Frankfurt O tU r V o rilo n d d«> M iir k n « r b a n d « t

kbe00f003m

Abstract: SAMSUNG MCP Flash MCp nand DRAM 107-ball NAND FLASH DDP samsung mcp 107-ball d411 KBE00G003M-D411 NNDD512512256256BBFF UtRAM Density MCP 1Gb 512Mb 130
Contextual Info: KBE00G003M-D411 MCP MEMORY NNDD512512256256BBFF NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS, AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: information applikation MAA725 information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR applikation heft
Contextual Info: LnnJütkilr'l; E l d - t = n a | - | i l - C Information Applikation D/A WandlerFamilie wvReferenz Stromquellen­ schalter /« Widerstands­ netzwerk 1 J • -CCI w f f i ni ö l k ä r i' t s i s l s S - t f c s n o r i i l - t i iforma t l o n pplikation

74LS82

Abstract: 74245 BIDIRECTIONAL BUFFER IC ic 4583 schmitt trigger core bit excess 3 adder using IC 7483 advantages for ic 7473 4 BIT COUNTER 74669 la 4508 ic schematic diagram XF107 74295 random number generator by using ic 4011 and 4017
Contextual Info: General Features The SCxD4 series of high performance CMOS gate arrays offers the user the ability to realise customised VLSI inte­ grated circuits featuring the speed performance previously obtainable only with bipolar technologies whilst retaining all the advantages of CMOS technology; low power consum p­

cd40001

Abstract: SN74AHC2G russian transistor cross-reference CD4000 SERIES BOOK NXP 74LVC1G datasheet IC CD 40106 4093 ic for bcd counter sn 16861 741HC REGULATOR IC 7804
Contextual Info: Logic Guide www.ti.com/logic 3Q 2009 2 Logic Guide 2009 ➔ Important Notice Texas Instruments Incorporated and its subsidiaries TI reserve the right to make corrections, modifications, enhancements, improvements, and other changes to its products and services at any time and to discontinue any

VEB mikroelektronik

Abstract: "Mikroelektronik" Heft GWS servo VEB Kombinat zf filter lm 7803 3V Positive Voltage Regulator E355D "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft U706D VQB71
Contextual Info: H albleiter-B auelem ente Semiconductors D ie vorliegend e Übersicht en th ält in g ed rä n g te r Form d ie wichtigsten G renz- und Kenn­ d aten d e r in d er D D R g efertigten H a lb le ite rb au e le m e n te . Dem A n w en der soll durch diese Übersicht die Auswahl der jew eils in Frage kom menden

74HC4096

Abstract: EQUIVALENT TIMER IC WITH CD 4060 rs flip-flop IC 7400 C4050A shiftregister PIPO C148A LS 7476 L1AA C4051A LS294
Contextual Info: Selection Guide C2MOS Logic TC74HC/HCT Series 2. High Speed CMOS Selection Guide GATE NAND HCOOA NOR AND OR INVERTER, BUFFER EXCLUSIVE OR/NOR SC HM ITT TRIGGER HC02A HC08A H C31A H C04A H C86A H C14A H C51A H C4049A M ULTI FUNCTION LEVEL SHIFTER HCTOOA HCT02A

Contextual Info: 123456777 123245663 123456789ABC DEF289BCBA 992424EF93953622F3675E727 !7"92#75F$9#%& '5E!239 F3E4429 9*9+AA92#75F$9*923#E7, - ) 2#E58957F23.6EF5673"2#E22#75F$B 29*942%89B"2#E22#75F$B 2

D147D

Abstract: C520D vqb 71 VQB71 D347D d348d VQE23 D346D Halbleiterbauelemente DDR VQE24
Contextual Info: electronica ] Nullpunktabgleich [T j ~8~| Nullpunktabgleich | Eingang L [ u Masse l i Eingang H T I Betriebsarten - Umschaltung T ] LSD ( letztes Digit) integrations-C f/2 Endwertabgleich \l3 MSD (höchstwertiges Digit) Betriebsspannung Us Z I BCD-Ausgang OC