2SC6060 Search Results

2sc6060

Contextual Info: 2SC6060 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6060 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High-transition frequency: fT = 100 MHz typ. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit

2SC6060

Contextual Info: 2SC6060 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6060 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High-transition frequency: fT = 100 MHz typ. Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage

Contextual Info: 2SC6060 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6060 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High-transition frequency: fT = 100 MHz typ. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit

2SC6060

Abstract: 2sc606
Contextual Info: 2SC6060 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6060 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High-transition frequency: fT = 100 MHz typ. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit

Contextual Info: 2SC6060 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6060 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High-transition frequency: fT = 100 MHz typ. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit

2SC6060

Contextual Info: 2SC6060 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC6060 単位: mm ○ 電力増幅用 ○ 励振段電力増幅用 ・トランジション周波数が高い。 :fT=100MHz 標準 絶対最大定格 (Tc = 25°C) 項 目 記 号 定

Contextual Info: 2SC6060 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6060 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High-transition frequency: fT = 100 MHz typ. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit

C6060

Abstract: 2SC6060
Contextual Info: 2SC6060 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC6060 単位: mm ○ 電力増幅用 ○ 励振段電力増幅用 ・トランジション周波数が高い。 :fT=100MHz 標準 絶対最大定格 (Ta = 25°C) 項 目 記 号 定

IGBT GT30F124

Abstract: IGBT GT30J124 GT30F124 GT30J124 GT50N322 tk25e06k3 TPCP8R01 TK12A10K3 GT30G124 2SK3075
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2011 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ

smd transistor h2a

Abstract: SMD TRANSISTOR H2A NPN transistor smd H2A 2sa1943 amplifier circuit diagram TPCP8L01 2sC5200, 2SA1943 H2A transistor SMD 2sc5200 power amplifiers diagram MARKING SMD PNP TRANSISTOR h2a SMD H2A
Contextual Info: 2008-9 PRODUCT GUIDE Power Transistors s e m i c o n d u c t o r h t tp://w w w.semico n .to shib a .co.jp /en g Using a minute pattern and a high-density MET design, Toshiba has achieved high levels of current efficiency. Package type can be selected to yield collector power output

GT30F124

Abstract: TPCP8R01 GT30J124 JAPANESE 2SC TRANSISTOR 2010 smd transistor h2a smd marking 8L01 tk25e06k3 GT45F122 gt30g124 GT30F123
Contextual Info: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs

transistor bc 245

Abstract: 247Y smd transistor h2a gt30g122 gt35j321 GT45F123 MARKING SMD PNP TRANSISTOR h2a GT45F122 GT45f122 Series gt30f122
Contextual Info: Transistors Bipolar Small-Signal Transistors z 190 Small-Signal FETs z 205 Combination Products of Different Type Devices z 215 Bipolar Power Transistors z 217 Power MOSFETs z 232 Power Transistor Modules z 242 Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors z 243

2SA1941 amp circuit

Abstract: 2SC3303 2SD880 TO3P package 2SA114 smd transistor h2a 2sb834 amplifier circuit using 2sa1943 and 2sc5200 TOSHIBA BIPOLAR POWER TRANSISTOR amplifier design tta1943
Contextual Info: Semiconductor Catalog Mar. 2013 Bipolar Power Transistors SEMICONDUCTOR & STORAGE PRODUCTS http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng Toshiba Bipolar Power Transistors Thank you for purchasing Toshiba semiconductor products. Semiconductor products are used in a wide range of fields, including

2sC5200, 2SA1943

Abstract: TPCP8L01 TPCP8602 2sC5200 2SA1943 2sc5200 TTC003 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 TTC13003L 2SC3180N
Contextual Info: 製品カタログ 2010-4 東芝半導体 製品カタログ パワートランジスタ h t t p : / / w w w. s e m i c o n . t o s h i b a . c o . j p / 東芝パワートランジスタについて 機能別・用途別選択早見表 • · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · · 4

GT45F122

Abstract: TK13A60U GT30F123 2SK4207 GT30J124 IGBT GT30F123 gt30f122 GT30G122 2SC5471 IGBT GT30J124
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2009 年 7 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ

GT30J124

Abstract: smd transistor h2a gt45f122 TPCP8R01 GT30F123 2sc1815 smd type smd marking 8L01 h2a smd 2SC5471 2sc5200 amplifiers circuit diagram
Contextual Info: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs

*45F122

Abstract: GT30f124 *30g122 *30f124 IGBT GT30F124 GT30J124 GT45F122 GT30F123 TPCA*8023 GT50N322
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2010 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ