23S1C Search Results

2SD2719

Contextual Info: 2SD2719 東芝トランジスタ シリコン NPN エピタキシャル形 ダーリントン接続 2SD2719 ○ ソレノイドドライブ用 ○ モータドライブ用 単位: mm • 直流電流増幅率が高い。: hFE = 2000 (最小) (VCE = 2 V, IC = 1 A)

2SA2058

Contextual Info: 2SA2058 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2058 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 200 to 500 IC = −0.2 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.19 V (max)

2SC5703

Contextual Info: 2SC5703 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC5703 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm • 直流電流増幅率が高い。 • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。 : VCE sat = 0.12 V (最大)

2SC6061

Contextual Info: 2SC6061 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6061 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm 0.4±0.1 1 3 2 Rating Unit Collector-base voltage VCBO 180 V Collector-emitter voltage VCEX 150 V Collector-emitter voltage

2SA20

Abstract: 2SA2056
Contextual Info: 2SA2056 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2056 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 200 to 500 IC = −0.5 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.2 V (max)

2SC5784

Contextual Info: 2SC5784 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5784 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 IC = 0.15 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max)

2SC5784

Contextual Info: 2SC5784 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC5784 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 • 単位: mm 直流電流増幅率が高い。 : hFE = 400~1000 IC = 0.15 A • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。

Contextual Info: 2SC6033 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC6033 ○ 高速スイッチング用 ○ DC−DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 • 単位: mm : hFE = 250~400 IC = 0.3A 直流電流増幅率が高い。

Contextual Info: 2SC5976 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC5976 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm • 直流電流増幅率が高い。 • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。: VCE sat = 0.14 V (最大)

TTA007

Abstract: 23S1C
Contextual Info: TTA007 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TTA007 単位: mm 高速スイッチング用 DC-DC コンバータ用 • 直流電流増幅率が高い。 : hFE = 200~500 IC = −0.1 A • コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。

TTC007

Contextual Info: TTC007 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 TTC007 単位: mm 高速スイッチング用 DC-DC コンバータ用 • 直流電流増幅率が高い。 : hFE = 400~1000 IC = 0.1 A • コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。

TTC007

Contextual Info: TTC007 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TTC007 Unit: mm High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications • High DC current gain: hFE = 400 to1000 IC = 0.1 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.12 V (max)

Contextual Info: 2SC5755 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5755 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 IC = 0.2 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max)

2SC5755

Contextual Info: 2SC5755 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5755 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 IC = 0.2 A · Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max)

2SC5755

Contextual Info: 2SC5755 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5755 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 IC = 0.2 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max)

Contextual Info: 2SA2058 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2058 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 200 to 500 IC = −0.2 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.19 V (max)

Contextual Info: 2SC5784 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5784 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 IC = 0.15 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.12 V (max)

Contextual Info: 2SD2719 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type Darlington Power 2SD2719 ○ Solenoid Drive Applications ○ Motor Drive Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 1 A) • Zener diode included between collector and base

Contextual Info: TTA007 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TTA007 Unit: mm High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications • High DC current gain : hFE = 200 to 500 IC = −0.1 A • Low collector-emitter saturation voltage : VCE(sat) = −0.2 V (max)

Contextual Info: 2SA2065 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2065 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 200 to 500 IC = −0.15 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = −0.14 V (max)

2SC5906

Contextual Info: 2SC5906 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5906 High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • Unit: mm High DC current gain: hFE = 200 to 500 IC = 0.5 A • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.2 V (max)

2SC5692

Abstract: 23S1C
Contextual Info: 2SC5692 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC5692 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 • 単位: mm : hFE = 400~1000 IC = 0.3 A 直流電流増幅率が高い。

2SC6033

Contextual Info: 2SC6033 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6033 Unit : mm Low collector-emitter saturation: VCE sat = 0.18 V (max) High-speed switching: tf = 38 ns (typ.) Characteristics Symbol Rating Unit VCBO 100 V VCEX 80 V VCEO 50 V VEBO 6 V DC IC 2.5

2SA2056

Contextual Info: 2SA2056 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 2SA2056 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm • 直流電流増幅率が高い。 • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。