645MM2 Search Results

NCP700BSN18T1G

Abstract: NCP700BSN30T1G transistor tip 3005 marking ADQ NCP700bsn33t1g
Contextual Info: NCP700B 200 mA, Ultra Low Noise, High PSRR, BiCMOS RF LDO Regulator Noise sensitive RF applications such as Power Amplifiers in cell phones and precision instrumentation require very clean power supplies. The NCP700B is 200 mA LDO that provides the engineer

Contextual Info: TPCP8604 東芝トランジスタ シリコンPNP三重拡散形 TPCP8604 ○ 高電圧スイッチング用 • 単位: mm 高耐圧です。: VCEO = −400 V 0.33±0.05 0.05 M A 記 号 定 格 単位 コ レ ク タ • ベ ー ス 間 電 圧 VCBO −400

TPCP8603

Contextual Info: TPCP8603 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TPCP8603 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 単位: mm ○ ストロボフラッシュ用 0.33±0.05 0.05 M A コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。:VCE sat = −0.2 V (最大)

2SA2214

Contextual Info: 2SA2214 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 2SA2214 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm 2.1±0.1 コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。: VCE sat = −0.14 V (最大)

SSM6N25TU

Contextual Info: SSM6N25TU シリコンNチャネルMOS形 U-MOSⅢ 東芝電界効果トランジスタ SSM6N25TU 単位: mm ○ 高速スイッチング 2.1±0.1 • オン抵抗が低い。 1.7±0.1 Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) 項 目 記 号 定 格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧

SSM6K22FE

Contextual Info: SSM6K22FE 東芝電界効果トランジスタ シリコンＮチャネルMOS形 U-MOS-Ⅲ SSM6K22FE ○ 高速スイッチング ○ DC-DC コンバータ 単位: mm • 小型パッケージで高密度実装に最適 • オン抵抗が低い。 : Ron = 170 mΩ (最大) (@VGS = 4 V)

Contextual Info: 2SAR542F3 Datasheet PNP -3.0A -30V Middle Power Transistor l Outline Parameter VCEO Value -30V IC -3A HUML2020L3 2SAR542F3 l Features 1 Suitable for Middle Power Driver. 2) Low V CE sat) VCE(sat)=-0.20V(Max.).

TH58NVG5

Abstract: TC58NVG4 TC58DVM92A5TA00 TH58NVG6 SSM3J307T TC58DVG02A5BAJ5 mp1484 TC58NVG3S TH58NVG5S2EBA20 SSM6J409TU
Contextual Info: 11 eye 東芝半導体情報誌アイ 2008 年 11 月号 Volume 195 CONTENTS 新製品情報 MOSゲートドライバ用バイポーラトランジスタ HN4B102J / TPC6901A / TPC6902 / TPCP8902 2 携帯機器向けロードスイッチ用 Pch MOSFET 3

TPCP8602

Abstract: 8602
Contextual Info: TPCP8602 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TPCP8602 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm 0.33±0.05 0.05 M A • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。

SSM3K102TU

Contextual Info: SSM3K102TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンＮチャネルMOS形 SSM3K102TU ○ パワーマネジメントスイッチ ○ 高速スイッチング 2.1±0.1 1.8V 駆動です オン抵抗が低い : Ron = 154mΩ max (@VGS = 1.8V) : Ron = 99mΩ (max) (@VGS = 2.5V)

SSM3K106TU

Contextual Info: SSM3K106TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 SSM3K106TU ○ DC-DC コンバータ ○ 超高速スイッチング 単位: mm 2.1±0.1 • 4V 駆動です • オン抵抗が低い : Ron = 530 mΩ max (@VGS = 4 V) 絶対最大定格 (Ta = 25°C)

TPCP8F01

Contextual Info: TPCP8F01 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8F01 Unit: mm ○ Swtching Applications ○ Load Switch Applications ○ Multi-chip discrete device; built-in PNP Transistor for main switch and N-ch MOS FET for drive

optically clear adhesive

Abstract: ecg master replacement guide 1115b silver conductive ink resins QTM-500 MGC 7805 CONDUCTIVE INK FOR FLEX CIRCUITS 3m 7815 8880-S7 UL-746
Contextual Info: 3M Electronics Assembly Solutions Product Selection Guide Smart Solutions for Building In Value 3M Company, operating in more than 60 countries, has over 60,000 products. These products, based on 40 technology platforms, have been developed by 6,500 3M Product Developers Worldwide.

Contextual Info: SSM6G18NU 東芝複合素子 シリコン P チャネルMOS形 ＋エピタキシャルショットキバリア形 SSM6G18NU パワーマネージメントスイッチ Pch MOSFET とショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵 低 RDS ON 低 VF のため低損失:

tny256

Abstract: EE16 core transformer TM 1343 transformer transformer tm 1343 S2 Schottky Rectifier P08A 22340 TNY256Y tny256 flyback transformer
Contextual Info: TNY256 TM TinySwitch Plus Energy Efficient, Low Power Off-line Switcher Product Highlights TinySwitch Plus Features • Extended power range • Fully integrated auto-restart reduces short circuit current • Line under-voltage sense eliminates turn-off glitches

Contextual Info: 2SC6033 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC6033 ○ 高速スイッチング用 ○ DC−DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 • 単位: mm : hFE = 250~400 IC = 0.3A 直流電流増幅率が高い。

Contextual Info: 2SC5976 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC5976 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm • 直流電流増幅率が高い。 • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。: VCE sat = 0.14 V (最大)

Contextual Info: NCV8570B 200 mA, Ultra Low Noise, High PSRR, LDO, Linear Voltage Regulator The NCV8570B is a 200 mA Low Dropout, Linear Voltage Regulator with ultra low noise characteristics. It’s low noise combined with high Power Supply Rejection Ratio PSRR make it especially

TNY256

Abstract: TNY256G TNY256Y TNY256P diode u2 7d diode zener smd a6 j2kl PO8A PI-250 PI-2362-012699
Contextual Info: TNY256 TM TinySwitch Plus Energy Efficient, Low Power Off-line Switcher Product Highlights TinySwitch Plus Features • Extended power range • Fully integrated auto-restart reduces short circuit current • Line under-voltage sense eliminates turn-off glitches

TTA007

Abstract: 23S1C
Contextual Info: TTA007 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TTA007 単位: mm 高速スイッチング用 DC-DC コンバータ用 • 直流電流増幅率が高い。 : hFE = 200~500 IC = −0.1 A • コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。

TTC007

Contextual Info: TTC007 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 TTC007 単位: mm 高速スイッチング用 DC-DC コンバータ用 • 直流電流増幅率が高い。 : hFE = 400~1000 IC = 0.1 A • コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。

TPCP8902

Contextual Info: TPCP8902 シリコンPNP / NPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ TPCP8902 ○ 携帯機器用 ○ スイッチング用 単位: mm 0.33±0.05 0.05 M A 5 小型薄型で実装面積が小さい。 • 直流電流増幅率が高い。

Contextual Info: SSM6L11TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type SSM6L11TU High Speed Switching Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low ON-resistance Q1: RDS ON = 395m Q2: RDS(ON) = 430m (max) (@VGS = 1.8 V) (max) (@VGS = -2.5 V)

Contextual Info: SSM6N25TU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOSIII SSM6N25TU High Speed Switching Applications Optimum for high-density mounting in small packages • Low on-resistance: Unit: mm (max) (@VGS = 2.5 V) 1.7±0.1 Ron = 145m (max) (@VGS = 4.0 V)