ZSPA Search Results

DO-213AB

Contextual Info: ZMY 1…ZMY 200 1.3 W Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1.3 W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case MELF

zy 500

Abstract: DO-204AL zy zener zy 6.2
Contextual Info: ZY 1…ZY 200 2 W Silicon-Power-Z-Diodes Silizium-Leistungs-Z-Dioden Nominal Zener voltage Nominale Zener-Spannung Ø 2.6 max 1…200 V Standard tolerance of Zener voltage Standard-Toleranz der Zener Spannung ± 5 % (E24) Plastic case – Kunststoffgehäuse

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Contextual Info: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

veb mikroelektronik

Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft tesla schaltkreise DL000D "Mikroelektronik" Heft applikation heft Mikroelektronik Information Applikation information applikation b340d
Contextual Info: m io ß ^ r ^ e le k t e n a r iik Integrierte Schaltkreise CM OS - Logikbaureihe V4000 D Heft 1 Eigenschaften und Ein satzrich tlinien der C M O S - Logikbaureihe V 4000D veb mikroelekfcronik >karl m an« Brfurt im veb kombinat mikrooloktronik Inhaltsübersicht

"halbleiterwerk frankfurt"

Abstract: VEB mikroelektronik A220D mikroelektronik RFT rft mikroelektronik bauelemente Kombinat VEB Kombinat Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt
Contextual Info: A 220 D M onolithisch integrierter FM - ZF - V erstärker und D em odulator vorzugsw eise fü r den Einsatz Im Ton - ZF - Teil von Fernseh­ geräten und als FM - ZF - V erstärker in R undfunkgeräten. Der S chaltkreis enthält einen sym m etrischen B reitbandverstär­

B083D

Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
Contextual Info: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Contextual Info: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Contextual Info: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der

mikroelektronik ddr

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Contextual Info: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden

SEMIKRON ZENER DIODE

Contextual Info: SMZ 1 … SMZ 200 2 W Surface mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage 2W 0.5 Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF Dimensions / Maße in mm

Zener diode ZPY 18

Abstract: Zener diode ZPY 75 Zener diode ZPY 51 Zener diode ZPY 39 Zener diode ZPY 30 Zener diode ZPY 16 Zener diode ZPY 82 Zener diode ZPY 36 Zener diode ZPY 10 Zener diode ZPY 12
Contextual Info: ZPY 1…ZPY 200 1.3 W Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Z-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1.3 W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case Kunststoffgehäuse

Contextual Info: Z2SMB 1 … Z2SMB 200 2 W Surface mount Silicon Power Zener Diodes Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 2.2 2.1 ± 0.1 ± 0.2 5.4 ± 0.2 0.15 Type Typ 2W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case Kunststoffgehäuse 1…200 V ~ SMB

PALMDSPCORE

Contextual Info: Features • 16-bit Fixed-point Advanced Digital Signal Processing DSP Core • High Performance: • • • • • • • • • • • • • – 210 MHz (typical) on 0.18-micron CMOS, 1.8V – 3800 MOPS (3.8 GOPS) - Peak Performance on 0.18-micron CMOS

C47A

Abstract: MARKING W16 SOT23 W16 sot 23 C22A C20A C10A C11A C12A C15A C16A
Contextual Info: 2BZX84 C3V0A . 2BZX84 C47A Dual Surface Mount Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Common Anode Gemeinsame Anode Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 1 1.3 ±0.1 3 2.5 max 0.4 VZ for both diodes in one case

zy zener

Abstract: ZY 6,4
Contextual Info: MCC ZY1 THRU ZY200
  omponents 20736 Marilla Street Chatsworth    !"# $ %    !"# Features Silicon 2.0 Watt l Silicon Power Zener Diodes l 1.0 thru 200 Volt Voltage Range Standard Tolerance of Zener Voltage ±5%

diode zener 8v2

Abstract: DIODE BZV ZENER DIODES BZV 85 8V2
Contextual Info: BZV 58 C 8V2.C 200 5 W Silizium-Leistungs-Z-Dioden Silicon-Power-Z-Diodes m in 8.2.200 V Nominal breakdown voltage Nenn-Arbeitsspannung ^— ±5% Tolerance o f zener voltage Toleranz der Arbeitsspannung j/ 4.5:ai Plastic case Kunststoffgehäuse ~ D0-201

Contextual Info: H15721 HARRIS S E M I C O N D U C T O R 10-Bit, 125 M SPS, High Speed D/A C onverter December 1997 Features Description • Throughput R a t e . 125 MSPS The HI5721 is a 10-bit, 125 MSPS, high speed D/A converter. The converter incorporates a 10-bit, input data

VZ 9G

Abstract: DO-213AB ZMY10 ZMY11 ZMY12 ZMY13 ZMY15 ZMY16 ZMY200
Contextual Info: ZMY3.0G . ZMY9.1G 1.0 W , ZMY1, ZMY10 . ZMY200 (1.3 W) ZMY3.0G . ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 . ZMY200 (1.3 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-27 ZMY. non-planar 3.0.9.1 V Glass case – Glasgehäuse MELF

Z3SMC10

Abstract: Z3SMC11 Z3SMC12 Z3SMC13 Z3SMC15 Z3SMC16 Z3SMC200 zenerspannung
Contextual Info: Z3SMC1 . Z3SMC200 3 W Z3SMC1 . Z3SMC200 (3 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology) Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-24 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung ±0.2 2.2±0.2

mc13718

Abstract: Coin based mobile battery charger circuit diagram RBL 43 P TRANSISTOR MC13717 Delay linear sweep generator using 555 timer circuit diagram for Coin based mobile battery charger Coin Based Mobile Phone Charger RBL 43 P Transistor Circuits coin operated mobile phone charger inverter board monitor backlight
Contextual Info: Freescale Semiconductor Advance Information MC13790/D Rev. 1.1, 11/2004 MC13790 Package Information QFN Package Case 1506-01 QFN–76 MC13790 Ordering Information Integrated Power Management IC Device Operating Temperature Range Package MC13790 TA = –20°C to 70°C

zener die diode

Contextual Info: Z3SMC 1 … Z3SMC 200 3 W Surface mount Silicon Power Zener Diodes Silizium-Leistungs-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 3W Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung Plastic case Kunststoffgehäuse

zener diode zpd 6

Contextual Info: ZPD2B7 . ZPD47B 500 mW / ±2% ZPD2B7 . ZPD47B (500 mW / ±2%) Silicon Planar Zener Diodes Silizium-Planar-Zener-Dioden Version 2006-12-01 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung 3.9 62.5 Ø 1.9 500 mW Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung

DO-204AL

Abstract: ZPY10 ZPY11 ZPY12 ZPY13 ZPY15 ZPY200
Contextual Info: ZPY10 2% . ZPY200 2% 1.3 W ZPY10 2% . ZPY200 2% (1.3 W) Silicon Power Z-Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Z-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Version 2006-06-08 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung -0.1 -0.1 5.1 Type

3EZ10

Abstract: 3EZ11 3EZ12 3EZ13 3EZ15 3EZ200 DO-204AC
Contextual Info: 3EZ1 . 3EZ200 3 W 3EZ1 . 3EZ200 (3 W) Silicon-Power-Zener Diodes (non-planar technology) Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden) Version 2008-08-14 Maximum power dissipation Maximale Verlustleistung ±0.05 Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung