TSOPII50P4000 Search Results

Contextual Info: E2G0144-18-11 ¡ Semiconductor MD51V65160 ¡ Semiconductor This version:MD51V65160 Mar. 1998 4,194,304-Word ¥ 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MD51V65160 is a 4,194,304-word ¥ 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS

active suspension

Abstract: MSM56V16160F MSM56V16160F-8 TSOPII50-P-400-0
Contextual Info: This version : Sep.1999 Semiconductor MSM56V16160F 2-Bank ´ 524,288 Word ´ 16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160F is a 2-Bank ´ 524,288-word ´ 16 bit Synchronous dynamic RAM, fabricated in OKI’s CMOS silicon-gate process technology. The device operates at 3.3V. The inputs and outputs are LVTTL

Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

TSOPII50-P-400-0

Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

MSM56V16160J

Contextual Info: FEDD56V16160J-07 OKI Semiconductor MSM56V16160J Issue Date: Oct. 26, 2005 2-Bank x 524,288-Word × 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160J is a 2-Bank × 524,288-word × 16-bit Synchronous dynamic RAM. The device operates at 3.3V. The inputs and outputs are LVTTL compatible.

Contextual Info: TSOPII50-P-400-0.80-1K Unit in millimeters typ., unless otherwise specified. Semiconductor Please consult OKI for soldering, assembly and storage recommendations. Specification are subject to change without notice. The drawings do not substitute or replace a product’s datasheet or the Package Information Databook.

Contextual Info: TSOPII50-P-400-0.80-K Unit in millimeters typ., unless otherwise specified. Semiconductor Please consult OKI for soldering, assembly and storage recommendations. Specification are subject to change without notice. The drawings do not substitute or replace a product’s datasheet or the Package Information Databook.

MSM56V16160F

Abstract: active suspension
Contextual Info: FEDD56V16160F-02 1Semiconductor MSM56V16160F This version: March. 2001 Previous version : January. 2001 2-Bank x 524,288-Word × 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160F is a 2-Bank × 524,288-word × 16-bit Synchronous dynamic RAM fabricated in

Contextual Info: E2G0143-18-11 ¡ Semiconductor MD51V64160 ¡ Semiconductor This version:MD51V64160 Mar. 1998 4,194,304-Word ¥ 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MD51V64160 is a 4,194,304-word ¥ 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS

MD51V65165

Abstract: MD51V65165-50 MD51V65165-60
Contextual Info: Dear customers, About the change in the name such as "Oki Electric Industry Co. Ltd." and "OKI" in documents to OKI Semiconductor Co., Ltd. The semiconductor business of Oki Electric Industry Co., Ltd. was succeeded to OKI Semiconductor Co., Ltd. on October 1, 2008.

MD51V65165

Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

Contextual Info: FEDD51V65165E-02 Issue Date: Aug. 28, 2002 OKI Semiconductor MD51V65165E 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO DESCRIPTION The MD51V65165E is a 4,194,304-word × 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki’s silicon-gate CMOS technology. The MD51V65165E achieves high integration, high-speed operation, and low-power

425M

Abstract: DIP18 DIP20 DIP28 DIP32 DIP40 SOJ28-P-400-1 PGA wire bonding IPGA400-C-S33U-1 PGA240
Contextual Info: 2. 外形寸法図 2. 外形寸法図 2 2-1. パッケージ外形寸法 - 2 2-1-1. パッケージ寸法表示記号 - 2 2-1-2. リード位置許容値について - 3

Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

a9la

Abstract: MSM54V24616 msm54v24616-10
Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

MSM54V24616

Abstract: QA1 power amplifier
Contextual Info: in im el Pr MSM54V24616 131,072-Word ¥ 16-Bit ¥ 2-bank SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM54V24616 is a 131,072-word ¥ 16-bit ¥ 2-bank synchronous dynamic RAM, fabricated in OKI's CMOS silicon gate process technology. The device operates at 3.3 V. The inputs and

QSJ-50074

Abstract: QSJ-44403 QFJ28-P-S450-1 QSJ-44574 SSOP60-P-700-0 SSOP30-P-56-0 SOP8-P-250-1 QSJ52627 sop44-p-600-1.27-k QFJ20
Contextual Info: 7.包装 7. 包装 7-1. 包装形態 - 2 7-1-1. 通常包装 - 2 7-1-2. 防湿包装 - 3 7-2. 個装仕様 - 4

Contextual Info: O K I Semiconductor MSM5 1 V6 5 1 6 0 _ E 2G 1018-17-43 4,194,304-Word x 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MSM51V65160 is a 4,194,304-word x 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS technology. The MSM51V65160 achieves high integration, high-speed operation, and low-power

MD51V65165E

Abstract: MD51V65165E-50 27A6 MD51V65165E-60
Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

Contextual Info: お客様各位 資料中の「沖電気」「ＯＫＩ」等名称の OKI セミコンダクタ株式会社への変更について 2008 年 10 月 1 日を以って沖電気工業株式会社の半導体事業は OKI セミコン ダクタ株式会社に承継されました。 従いまして、本資料中には「沖電気工業株

msm56v16160d-8

Abstract: cs 3144
Contextual Info: J2G1060-18-X1 作成：1998年10月 ¡ 電子デバイス MSM56V16160D l MSM56V16160D 2-Bankx524,288-Word×16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM n 概要

Contextual Info: FEDD56V16160F-01 1Semiconductor MSM56V16160F This version: January. 2001 Previous version :  2-Bank x 524,288-Word × 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160F is a 2-Bank × 524,288-word × 16-bit Synchronous dynamic RAM fabricated in

Contextual Info: E2G0145-18-11 ¡ Semiconductor MD51V64165 ¡ Semiconductor This version:MD51V64165 Mar. 1998 4,194,304-Word ¥ 16-Bit DYNAMIC RAM : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO DESCRIPTION The MD51V64165 is a 4,194,304-word ¥ 16-bit dynamic RAM fabricated in Oki's silicon-gate CMOS