Q62702P945 Search Results

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Cathode marking spacing ' Photosensitive area 2.65 mm X 2.65 mm Approx. weight 0.1 g GE006643 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

p945

Abstract: p945 transistor transistor P945 GEOY6643 Q62702-P945
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Cathode marking spacing Photosensitive area 2.65 mm X 2.65 mm CO Approx. weight 0.1 O CO GE006643 o o 0 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

FP 310

Abstract: Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A
Contextual Info: Alphanumerisches Typenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Typ Type Bestellnummer Ordering code 4N25 4N26

SFH100

Abstract: germanium photodiode PIN fotodioden BPY12 SFH231 fotodiode Q62702-P1052 400nm photodiode germanium BPW 61
Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 7. Fotodioden für spezielle Wellenlängen Package Type <6 Radiant sensitive 7. Photodiodes for Special Wavelengths s, ^•Smax W e10V 7.1 mm2 A/W nA UV-empfindliche Fotodiode SFH291 7.2 ±55 2.73x2.73 0.3 (£ 1 )/5 V

p945

Abstract: transistor P945 GEOY6863 p945 transistor GEOY6643 Q62702-P945 BPW34BS
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit; in SMT Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity; in SMT BPW 34 B BPW 34 BS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns

lg 6154

Abstract: KTY 10-8 DL1416 KTY 20-5 DL440 O62902-B156-F222 Q62901-B64
Contextual Info: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummern Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: NeueTypenbezeichnungen bei Si-Fotodetektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer lyp

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

HC390

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity A p p ro x . w e ig h t 0.1 BPW 34 B g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified W esentliche M erkmale

bpy 79

Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
Contextual Info: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2

KTY 88

Abstract: KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222
Contextual Info: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummem Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer Ordering code

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

p945

Abstract: transistor p945 ir p945 p945 transistor GEO06643 Q62702-P945
Contextual Info: Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 B 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity 0.6 0.4 0.8 0.6 0.35 0.2 0.5 0.3 0.6

GEO06643

Abstract: Q62702-P945
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Q62702-P945

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Cathode marking 4.0 o o^r J 1r f ^ 1 -Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm Approx. weight 0.1 g GE006643 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

fototransistor BPW 39

Abstract: BPW21 photodetectors Q62702P945 SFH 3410 BPX 48 fototransistor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS 6. Fotodetektoren für spezielle Anwendungen Package Type ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 6. Photodetectors for Special Applications IP IR VR = 10 V Sλ rel tr,tf (VR = 5 V) µA nA % µs 6.1 Blau-empfindliche Fotodiode