FOTODIODEN Search Results

Contextual Info: SIEMENS 6fach-Silizium-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon Photodiode Array KOM 2033 A KOM 2033 AF Maße in mm, w enn nicht anders a ngegeben/D im ensions in mm. unless otherw ise specified W esentliche M erkm ale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im

PHOTOVOLTAIC CELL

Abstract: Din 5033 fotodiode BPW12 high sensitivity photodiode visible light "PHOTOVOLTAIC CELL"
Contextual Info: Silizium-PN-Planar-Fotoelement/Fotodiode Silicon PN Planar Photovoltaic Cell/Photodiode Anwendung: Empfänger in elektronischen Steuer- und Regeleinrichtungen Application: Detector in electronic control and drive circuits Besondere Merkmale: • Für Fotodioden- und Fotoelem ent-Betrieb

2057

Abstract: siemens im 365
Contextual Info: SIEMENS 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array KOM 2057 L 7.8 7 -4 6.5 6.3 ^ ¡ - I in m ° LICS'— r in o 0.20 i io fd 7.62m m spacing 7.62 Circuit diagram Plastic Pin flesh X| x 8 7 l 6 5 / m a r k in g 7J J / " 1 2 3 4 5 6 7

bpw 104

Abstract: photodiode 1100 nm 104 b diode diode 22 16 BPW 34 FAS BP 104 FAS
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN Package Type SILICON PHOTODETECTORS ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IP λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2, VR = 5 V µA IR (VR = 10 V) λ10% tr,tf (VR = 20 V, RL = 50 Ω) nA nm ns 2.2 SMT-Dioden 2.2 SMT-Diodes (cont’d) 2.2.2 SMT-PIN-Fotodioden mit Filter

Q62702-P1606

Abstract: fotodioden BP 104 FAS
Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 6.2 PIN Fotodioden Type *ab 4/95 (*asof 4/95) <l> Radiant sensitive area h ^R Fig. 2.2x2.2 55 (>40) 2 (£30) 400. 1100 20ns/50i! Q62702-P1605 28 ±60 2 65x2.65 2 (£ 3 0 ) 400. .1100 20ns/50ii Q62702-P1602 27 BPX90S

BPY 10

Abstract: C 82 siemens SFH nm Bpy 43 Q60215-Y65
Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 8. Fotodioden für spezielle Anwendungen 8. Photodiodes for Special Applications Tk = 2 5 C r A = 25 C 8.2 Zwei- und Vierfach-Fotodioden Package Radiant sensitive area ? K„ = 5 V , £ v = 1000 Ix, standard light A

SFH100

Abstract: germanium photodiode PIN fotodioden BPY12 SFH231 fotodiode Q62702-P1052 400nm photodiode germanium BPW 61
Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 7. Fotodioden für spezielle Wellenlängen Package Type <6 Radiant sensitive 7. Photodiodes for Special Wavelengths s, ^•Smax W e10V 7.1 mm2 A/W nA UV-empfindliche Fotodiode SFH291 7.2 ±55 2.73x2.73 0.3 (£ 1 )/5 V

Contextual Info: S il ic o n P h o t o d e t e c t o r s <P deg. R adiant sensitive area mm2 /p X = 950 nm, = 1 m W /cm 2, VR = 5 V HA ^•10% ■R iy „ = io V) nm nA 2.2 SMT-Dioden 2.2 2.2.1 SMT PIN Fotodioden 2.2.1 SMT-PIN Photodiodes 2.2 X 2.2 t„r, (V'„ = 2 0 V.

cDFN6

Abstract: foto transistor TO18 G003 G100 4513-2 IC-LQNP
Contextual Info: iC-LQNP PULS- UND WECHSELLICHTSENSOR Ausgabe B1, Seite 1/10 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Schneller, rauscharmer Stromverstärker mit integrierter Fotodiode ♦ Hohe Störsicherheit durch monolithischen Aufbau ♦ Aktive Fotodiodenfläche ca. 1 mm² ♦ Geeignet für den Bereich des sichtbaren Lichts und des nahen

Schieberegister

Abstract: LF3C LF2C zeilensensor foto transistor iC-LF1401 G003 TSL1401 analoge schaltkreise
Contextual Info: iC-LF1401 128x1-ZEILENSENSOR Ausgabe B1, Seite 1/10 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 128 aktive Pixel mit Fotodioden der Größe 56 µm x 200 µm im 63.5 µm Raster 400 DPI ♦ Integrierende Licht-Spannungswandlung mit nachgeschalteter Sample-and-Hold-Schaltung

BPW34S

Abstract: Q62702-P1794 bpw 104
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN Package Type SILICON PHOTODETECTORS ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IP λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2, VR = 5 V µA IR (VR = 10 V) λ10% tr,tf (VR = 20 V, RL = 50 Ω) nA nm ns 2.2 SMT-Dioden 2.2 SMT-Diodes 2.2.1 SMT PIN Fotodioden 2.2.1 SMT-PIN Photodiodes

PHOTOVOLTAIC CELL

Abstract: "PHOTOVOLTAIC CELL" bpw20 photovoltaic cell sensor photovoltaic sensor BPW 10 nf fotodiode 74138 DIN5033 0175A1
Contextual Info: BPW 20 'W Silizium-PN-Planar-Fotoelement/Fotodiode Silicon PN Planar Photovoltaic Cell/Photodiode Anwendung: Sensor für die Lichtmeßtechnik Application: Sensor for light m easuring purposes Besondere Merkmale: Features: • Für Fotodioden- und Fotoelem ent-Betrieb

Q627021

Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 4. PIN-Fotodioden Package Type C vorher * formerly) 4. PIN Photodiodes <f> deg. Radiant sensitive area mm2 950 nm, E , = 1 mW/cm2. K„ = 5 V ) HA (X = 4.1 im klaren Plastikgehäuse B PW 34 ^•10% l? (!'■„= 10 V)

k 2057

Abstract: 2057
Contextual Info: SIEMENS 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array 7.8 —1 7.4 i— 6.5 . 6.3 KOM 2057 L o o ° j° 0 .3 0 1 0.20 7.6 2 m m spocing C ircu it d ia g ra m 3 4 Plastic fla s h \, 5 6 7 8 —I— 5 / m a r k in g BEEf 25 a Ib .e Pin 8 7 6

Q62702-K0244

Abstract: k0244 KOM2108 diode bzw 06
Contextual Info: KOM 2108 KOM 2108 feo06868 NEU: 5 x 5-Silizium-PIN-Fotodiodenarray NEW: 5 × 5 Silicon PIN Photodiode Array Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Geeignet im Bereich des sichtbaren Lichts

Contextual Info: Inhaltsverzeichnis Typenübersicht Symbolverzeichnis Table of Contents Selector Guide Symbols and Term Technische Erläuterungen Technical Information Fotoelemente Photovoltaic Cells Fototransistoren Phototransistors Fotodioden Photodiodes Kundenspezifische

silizium diode

Abstract: scintillation radiation detector SFH 873 radiation detector chip sfh 520
Contextual Info: Technische Erläuterungen SIEMENS u-p-y-Strahlungsdetektoren Für die M essung hochenergetischer Strahlung hat Siem ens sein Fotodiodenspektrum um Teilchendetektoren erweitert. Es stehen Detektoren mit vier verschiedenen aktiven Flächen SFH 520 bis SFH 523 auf einer kleinen Leiterplatte zur Verfügung. Die Detektoren sind auch als

fotodiode

Abstract: foto transistor Fotodiode array ir SMD Dioden foto fotodiode array DPB 500
Contextual Info: iC-OR 5-FACH FOTODIODEN-ARRAY EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ Monolitisch integrierte Fotodioden ♦ Hoher Gleichlauf ♦ Hohe Fotoempfindlichkeit im Bereich des sichtbaren Lichts und des nahen Infrarots ♦ Kleiner Dunkelstrom ♦ Diodenfläche 0.95x0.74mm2

Contextual Info: SIEMENS 6fach-Silizium-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon Photodiode Array KOM 2100 A KOM 2100 AF Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1070 nm KOM

Contextual Info: SIEMENS 4-Quadranten-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 4-Chip Silicon PIN Photodiode Array KOM 2085 Maße in mm, w enn nicht anders a ngegeben/D im ensions in m m , unless otherw ise specified. W esentliche M erkm ale Features • • • Speziell geeignet für Anwendungen im

Contextual Info: SIEMENS 4-Quadranten-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 4-Chip Silicon PIN Photodiode Array KOM 2084 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm

256x1-ZEILENSENSOR

Abstract: Schieberegister TSL1402 256x1 iC-LFL1402 G003 LFL1402
Contextual Info: ar y n i im prel iC-LFL1402 256x1-ZEILENSENSOR Ausgabe A3, Seite 1/8 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 256 aktive Pixel mit Fotodioden der Größe 56 µm x 200 µm, lückenlos und verzerrungsfrei im 63.5 µm-Raster 400 DPI ♦ Integrierende Licht-Spannungswandlung mit Sample-and-Hold

Schieberegister

Abstract: OPTO 701 Schieberegister encoder NDIR sensor circuit E001 G003 monoflop schiebe konstant stromquelle K1621
Contextual Info: iC-LV 5-BIT OPTO ENCODER Ausgabe A3, Seite 1/12 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN Ë Ë Hoher Gleichlauf und technische Zuverlässigkeit durch monolithischen Aufbau mit integrierten Fotodioden Gleichlichtbewertete Abtastung mit 600 µm Spurabstand Fotostromverstärker mit hoher Grenzfrequenz

Schieberegister

Abstract: cDFN10 fotodiode lfl1c G003 I002 ALS 32 analoge schaltkreise
Contextual Info: ar y n i im prel iC-LFS 32x1-ZEILENSENSOR Ausgabe A1, Seite 1/9 EIGENSCHAFTEN ANWENDUNGEN ♦ 32 aktive Pixel mit Fotodioden der Größe 56 µm x 200 µm, lückenlos und verzerrungsfrei im 63.5 µm-Raster 400 DPI ♦ Integrierende Licht-Spannungswandlung mit Sample-and-Hold