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Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 313 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 740 . 1080 nm • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy • Special: 5 mm plastic package • High photosensitivity
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Original
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d-93055 |
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Q62702-P1667
Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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ohf02340gex06260q62702-p1667q62702-p1674+3q62702-p1751q62702-p1752q62702-p1754
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TRANSISTOR K 314
Abstract: SFH 314 SFH314FA
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) und bei 880 nm (SFH 314 FA)
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Original
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q62702p1668transistor k 314sfh 314sfh314fa |
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transistor 313
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA)
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Original
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q62702p1667transistor 313 |
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p5050
Abstract: LED "1060 nm" "MA 3500" IC emitter "1060 nm" fototransistor led phototransistor 500-600 nm GEO06968 GEO06969 Q62702-P5031 Q62702-P5032
Contextual Info: NPN Silizium Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3500/FA SFH 3505/FA 2.05 R 1.95 3.2 (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.4 Vorläufige Daten / Preliminary Data (3.2) -0.1.0.1 3.7 3.3 14.7 13.1 6.0 5.4 2.54 mm spacing
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Original
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3500/fa3505/fageo06968geo06969+11ohf00346ohf00384ohf00349p5050led "1060 nmma 3500" icemitter "1060 nmfototransistor ledphototransistor 500-600 nmq62702-p5031q62702-p5032
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Contextual Info: 2007-04-03 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 314, SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 nm.1080 nm SFH 314 , 740 nm. 1080 nm (SFH 314 FA) • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy
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Original
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d-93055 |
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SFH 314
Abstract: Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758 TRANSISTOR K 314
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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ohf02342gex06630sfh 314q62702-p1668+6q62702-p1675q62702-p1755q62702-p1756q62702-p1757q62702-p1758transistor k 314
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OS-PCN-2006-015-A
Abstract: GEXY6710 OHLY0598 Q62702-P3596
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Not for new design (valid till DC0837, additional information see OS-PCN-2006-015-A) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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dc0837os-pcn-2006-015-agexy6710ohly0598+1q62702-p3596
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GEX06260
Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753 Q62702-P1754
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 1.8 1.2 29 27 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fexf6626 Cathode Diode Collector (Transistor)
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Original
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fex06626gex06260fexf6626ohf02336+8ohf02342ohf02340q62702-p1667q62702-p1674q62702-p1751q62702-p1752q62702-p1753q62702-p1754
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P3596
Abstract: GEXY6710 Q62702-P1673 Q62702-P3595 Q62702-P3596 Q62702-P874
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität
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Original
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q62702-p874p3596gexy6710q62702-p1673+2q62702-p3595q62702-p3596
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P3596
Abstract: Q62702-P3595 Q62702-P1673 Q62702-P3596 Q62702-P874
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität • 3 mm-Plastikbauform
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Original
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ohf00871ohf01524gex06710p3596+4q62702-p3595q62702-p1673q62702-p3596q62702-p874
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Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)
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q62702p0874q62702p3595q62702p1673q62702p3596 |
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TRANSISTOR K 314
Abstract: foto transistor SFH 314 phototransistor 500-600 nm GEX06630 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757
Contextual Info: SFH 314 SFH 314 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 5.9 5.5 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor) ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 SFH 314 SFH 314 FA feo06652 .Neu: 4.0
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Original
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feo06652gex06630feof6652ohf02340+11ohf02338ohf02342transistor k 314foto transistorsfh 314phototransistor 500-600 nmq62702-p1668q62702-p1675q62702-p1755q62702-p1756q62702-p1757
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TRANSISTOR K 314
Abstract: foto transistor Q62702-P1668 Q62702-P1675
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität
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Original
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q62702-p1668q62702-p3600q62702-p16anytransistor k 314+2foto transistorq62702-p1675
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p5050
Abstract: GEO06968 GEO06969 Q62702-P5031 Q62702-P5032 Q62702-P5050 Q62702-P5051 FA 8 600
Contextual Info: 2.05 R 1.95 3.2 (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 SFH 3500/FA SFH 3505/FA 2.7 2.4 NPN Silizium Fototransistor Silicon NPN Phototransistor (3.2) -0.1.0.1 3.7 3.3 14.7 13.1 6.0 5.4 2.54 mm spacing GEO06968 SFH 3500/FA 4.5 3.9 7.7 7.1
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Original
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3500/fa3505/fageo06968geo06969+8ohf00346ohf00384p5050q62702-p5031q62702-p5032q62702-p5050q62702-p5051fa 8 600
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Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform
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Original
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gexy6630 |
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foto transistor
Abstract: OHF02331 p1752 phototransistor 500-600 nm GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753
Contextual Info: SFH 313 SFH 313 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.6 0.4
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Original
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fex06626gex06260fexf6626ohf02336+11ohf02342ohf02340foto transistorohf02331p1752phototransistor 500-600 nmq62702-p1667q62702-p1674q62702-p1751q62702-p1752q62702-p1753
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foto transistor
Abstract: phototransistor 600 nm GEX06710 Q62702-P1673 Q62702-P874
Contextual Info: SFH 310 SFH 310 FA 4.8 4.4 1.1 0.9 1.8 1.2 29.0 27.0 3.7 3.5 6.1 5.7 0.6 0.4 Chip position GEX06710 feof6653 Collector/ Cathode 3.4 3.1 ø2.9 ø2.7 2.7 2.1 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat SFH 310 SFH 310 FA feo06653 Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
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Original
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gex06710feof6653feo06653310fa+7ohf02331ohf00871ohf01524foto transistorphototransistor 600 nmq62702-p1673q62702-p874
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p5050
Abstract: Q62702-P5031 Q62702-P5050 Q62702-P5205 Q62702-P5206 Q62702-P5207 GEOY6969 Q62702-P5051
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor in SMR Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMR® Package SFH 3500/FA SFH 3505/FA SFH 3500 SFH 3500FA SFH 3505 SFH 3505FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1060 nm SFH 3500/3505 und
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3500/fa3505/fa3500fa3505fa+10fa/3505geoy6968p5050q62702-p5031q62702-p5050q62702-p5205q62702-p5206q62702-p5207geoy6969q62702-p5051
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p5050
Abstract: Q62702-P5031 Q62702-P5050 Q62702-P5205 Q62702-P5206 Q62702-P5207
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor in SMR Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMR® Package SFH 3500/FA SFH 3505/FA SFH 3500 SFH 3500FA SFH 3505 SFH 3505FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1060 nm SFH 3500/3505 und
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Original
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3500/fa3505/fa3500fa3505fa+7fa/3505p5050q62702-p5031q62702-p5050q62702-p5205q62702-p5206q62702-p5207
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foto transistor
Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702P3598
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität
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Original
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q62702-p1667q62702-p3598q62702-panyfoto transistor+2q62702-p1674q62702p3598
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Q62702-P5031
Abstract: Q62702-P5050 Q62702-P5205 Q62702-P5206 Q62702-P5207 FA 8 600 SFH 340
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor in SMR Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMR Package SFH 3500/FA SFH 3505/FA SFH 3500 SFH 3500FA SFH 3505 SFH 3505FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1060 nm SFH 3500/3505 und
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3500/fa3505/fa3500fa3505fa+8fa/3505q62702-p5031q62702-p5050q62702-p5205q62702-p5206q62702-p5207fa 8 600sfh 340
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GEOY6969
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor in SMR Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMR® Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3500/FA SFH 3505/FA SFH 3500 SFH 3500FA SFH 3505 SFH 3505FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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3500/fa3505/fa3500fa3505fa+2fa/3505geoy6969
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Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität • 3 mm-Plastikbauform
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ohf01524gexy6710 |
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