A1208
Abstract: RD1006LS
Contextual Info: RD1006LS Ordering number : ENA1208 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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Original
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rd1006lsena1208pw100scycle50+2a1208-3/3a1208
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rg2006
Abstract: A1847 ENA1847 RG2006JS-SB
Contextual Info: RG2006JS-SB Ordering number : ENA1847 SANYO Semiconductors DATA SHEET RG2006JS-SB Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • VRRM=600V trr=16ns typ. Low noise at the time of reverse recovery Specifications
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Original
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ena1847rg2006js-sbo-220mlsc-67+4ot-186usea1847-3/3rg2006a1847
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Contextual Info: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.
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Original
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rd1006ls-sb5ena1608a1608-3/3 |
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RG2006
Abstract: RG2006n RG2006JN to220ml ENA1784 A1784
Contextual Info: RG2006JN Ordering number : ENA1784 SANYO Semiconductors DATA SHEET RG2006JN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • VRRM=600V trr=16ns typ. Low noise at the time of reverse recovery Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
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Original
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rg2006jnena1784pw100scycle50+5a1784-3/3rg2006rg2006nto220mla1784
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A1442
Abstract: A1442-3 A-1442
Contextual Info: RD1006LN 注文コード No. N A 1 4 4 2 三洋半導体データシート N RD1006LN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。 ・高信頼性である。 ・取り付け作業性放熱性が良い。
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Original
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rd1006ln51309satc-00001965a1442-1/3+7it13677it14509it13676it13678a1442a1442-3a-1442
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Contextual Info: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.
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Original
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rd1006ls-sb5ena1608a1608-3/3 |
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A1608
Abstract: RD1006
Contextual Info: RD1006LS-SB5 注文コード No. N A 1 6 0 8 三洋半導体データシート N RD1006LS-SB5 シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。 ・高信頼性である。 ・取り付け作業性放熱性が良い。
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Original
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rd1006ls-sb5n1109satc-00002179a1608-1/3+7it13677it14499it13676it13678a1608-2/3a1608rd1006
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RG2006
Abstract: RG2006ln A1434-1
Contextual Info: RG2006LN 注文コード No. N A 1 4 3 4 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA1434 をさしかえてください。 RG2006LN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。
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Original
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rg2006lnna1434it13677it14499+6it14498it13678a1434-2/3a1434-3/3rg2006a1434-1
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A1208
Abstract: A12081 RD1006LS
Contextual Info: RD1006LS 注文コード No. N A 1 2 0 8 三洋半導体データシート N RD1006LS シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。 ・高信頼性である。 ・取り付け作業性放熱性が良い。
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Original
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rd1006ls82708satc-00001550a1208-1/3+6it13677it13679it13676it13678a1208a12081
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RD1006LS-SB
Contextual Info: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.
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Original
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rd1006ls-sb5ena1608a1608-3/3rd1006ls-sb |
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a1442
Abstract: RD1006 transistor a1442
Contextual Info: RD1006LN Ordering number : ENA1442 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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Original
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rd1006lnena1442a1442-3/3a1442+2rd1006transistor a1442
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RG2006
Abstract: A1434-1 TC-00002137 ENA1434A
Contextual Info: RG2006LN Ordering number : ENA1434A SANYO Semiconductors DATA SHEET RG2006LN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic mold package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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rg2006lnena1434apw100scycle50+4a1434-3/3rg2006a1434-1tc-00002137
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RG2006
Abstract: ENA1434 A1434-1 VRRM600V
Contextual Info: RG2006LN Ordering number : ENA1434 SANYO Semiconductors DATA SHEET RG2006LN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic mold package facilitating easy mounting and heat dissipation.
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rg2006lnena1434a1434-3/3rg2006+2a1434-1vrrm600v
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RG2006
Abstract: RG2006n RG2006JN A1784 TO-220ML VRRM600V
Contextual Info: RG2006JN 注文コード No. N A 1 7 8 4 三洋半導体データシート N RG2006JN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・VRRM=600V ・trr=16ns typ. ・逆回復時のノイズが小さい 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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rg2006jno-220mlsc-67ot186a+8rg200663010sait13677it14499rg2006na1784to-220mlvrrm600v
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