IT08572 Search Results

Contextual Info: VEC2813 Ordering number : ENA0384 VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

Contextual Info: SBS811 Ordering number : ENN8254 SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Small Switching noise. Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).

vec8

Contextual Info: SBS811 Ordering number : EN8254A SANYO Semiconductors DATA SHEET SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Small Switching noise Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V)

diode sy 710

Abstract: VEC2813 N1407
Contextual Info: VEC2813 Ordering number : ENA0384B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

VEC2811

Abstract: 82871
Contextual Info: VEC2811 Ordering number : ENN8287 VEC2811 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

VEC2818

Contextual Info: VEC2818 注文コード No. N A 0 5 7 7 三洋半導体データシート N VEC2818 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

SBS811

Contextual Info: SBS811 注文コード No. N 8 2 5 4 SBS811 ショットキバリアダイオード 30V, 2.0A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・スイッチングノイズが小さい。

VEC2818

Contextual Info: VEC2818 Ordering number : ENA0577 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

SBS811

Abstract: 82543
Contextual Info: SBS811 注文コード No. N 8 2 5 4 三洋半導体データシート N SBS811 ショットキバリアダイオード 30V, 2.0A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

VEC2813

Contextual Info: VEC2813 注文コード No. N A 0 3 8 4 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0384A をさしかえてください。 VEC2813 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

Contextual Info: Ordering number : EN8254A SBS811 Schottky Barrier Diode http://onsemi.com 30V, 2A, Low VF, Non-Monolithic Dual VEC8 Common Cathode Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Small Switching noise

SBS811

Contextual Info: SBS811 Ordering number : ENN8254 SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Small Switching noise. Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).

VEC2811

Abstract: 82871
Contextual Info: VEC2811 注文コード No. N 8 2 8 7 三洋半導体データシート N VEC2811 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

Contextual Info: SBS811 Ordering number : ENN8254 SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Small Switching noise. Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).

Contextual Info: SBS811 Ordering number : EN8254A SANYO Semiconductors DATA SHEET SBS811 Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • Small Switching noise Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V)