RL76
Abstract: 2SK3485 2SK34
Contextual Info: 2SK3485 Ordering number : EN7180A 2SK3485 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage
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Original
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2sk3485en7180apw10s250mm20+2rl762sk34
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Contextual Info: Ordering number : ENN7180 2SK3485 N-Channel Silicon MOSFET 2SK3485 Ultrahigh-Speed Switching Applications Preliminary Features • • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2062A [2SK3485] 4.5 1.6 0.4 1.0
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Original
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enn71802sk348525max |
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TA306
Abstract: CPH3413
Contextual Info: Ordering number : ENN6924 CPH3413 N-Channel Silicon MOSFET CPH3413 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2152A [CPH3413] 2.9 0.15 0.4 0.6 3 0.2 • 2 1
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Original
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enn6924cph3413ta306 |
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CPH6602
Abstract: ta3452 IT02688
Contextual Info: 注文コード No. N 7 1 4 5 CPH6602 No. N7145 11502 新 CPH6602 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 ・MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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cph6602n7145900mm2it02694+5it02693it04055it04056ta3452it02688
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77704
Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004 77705 77701
Contextual Info: CPH5808 注文コード No. N 7 7 7 0 三洋半導体データシート N CPH5808 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
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Original
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cph5808mch3409sbs004600mm2+7ta-100106it00624it00623it00622777047770577701
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CPH6602
Contextual Info: 注文コード No. N 7 1 4 5 CPH6602 三洋半導体データシート N CPH6602 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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cph6602900mm2it02694it02693+2it04055it04056
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TA-3524
Abstract: RL76 2SK3485 D1306 TR-53
Contextual Info: 2SK3485 注文コード No. N 7 1 8 0 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.N7180 をさしかえてください。 2SK3485 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長
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Original
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2sk3485n7180250mm2it04283+6it04288it04289ta-3524rl76d1306tr-53
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CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 MARKING X.R
Contextual Info: CPH5839 Ordering number : ENN8181 CPH5839 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-Channel Sillicon MOSFET MCH3409 and a schottky barrier diode (SBS005)
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Original
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cph5839enn8181mch3409sbs005+1marking x.r
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CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 81812
Contextual Info: CPH5839 注文コード No. N 8 1 8 1 三洋半導体データシート N CPH5839 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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cph5839mch3409sbs005600mm2+511205petb-00001085ds360it0062981812
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CPH5808
Abstract: MCH3409 SBS004 77705
Contextual Info: CPH5808 Ordering number : ENN7770 CPH5808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3409 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained
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Original
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cph5808enn7770mch3409sbs004+177705
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CPH6602
Abstract: TA345
Contextual Info: Ordering number : ENN7145 CPH6602 N-Channel Silicon MOSFET CPH6602 Ultrahigh-Speed Switching Applications • • • Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2202 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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enn7145cph6602ta345 |
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marking QJ
Abstract: CPH5808 MCH3409 SBS004
Contextual Info: CPH5808 Ordering number : ENN7770 CPH5808 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET MCH3409 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained
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Original
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cph5808enn7770mch3409sbs004+1marking qj
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