11205PE Search Results
11205PE Price and Stock
Texas Instruments DCR011205PE4DCR011205PE4 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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DCR011205PE4 | Tube | 60 |
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DCR011205PE4 |
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11205PE Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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ENN8175
Abstract: CPH3430 marking zf
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Original |
CPH3430 ENN8175 900mm2 ENN8175 CPH3430 marking zf | |
ECH8305Contextual Info: ECH8305 Ordering number : ENN8145 P-Channel Silicon MOSFET ECH8305 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage |
Original |
ECH8305 ENN8145 900mm2 ECH8305 | |
CPH5612Contextual Info: CPH5612 注文コード No. N 8 1 8 0 三洋半導体データシート N CPH5612 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 |
Original |
CPH5612 600mm2 500mA 500mA, IT08337 600mm2 IT08344 CPH5612 | |
Tf88
Abstract: ECH8608
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Original |
ECH8608 900mm2 IT04392 --40A 900mm2 IT04376 Tf88 ECH8608 | |
ECH8402Contextual Info: ECH8402 Ordering number : ENN8148 N-Channel Silicon MOSFET ECH8402 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage |
Original |
ECH8402 ENN8148 900mm2 ECH8402 | |
CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 MARKING X.R
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Original |
CPH5839 ENN8181 MCH3409) SBS005) CPH5839 MCH3409 SBS005 MARKING X.R | |
CPH3338Contextual Info: CPH3338 Ordering number : ENN8174 P-Channel Silicon MOSFET CPH3338 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol |
Original |
CPH3338 ENN8174 900mm2 CPH3338 | |
CPH3430Contextual Info: CPH3430 注文コード No. N 8 1 7 5 三洋半導体データシート N CPH3430 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 |
Original |
CPH3430 900mm2 IT06819 IT06818 900mm2 IT06821 IT09129 CPH3430 | |
CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 81812
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Original |
CPH5839 MCH3409) SBS005) 600mm2 11205PE TB-00001085 DS360° IT00629 CPH5839 MCH3409 SBS005 81812 | |
ECH8608Contextual Info: ECH8608 Ordering number : ENN8179 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs ECH8608 General-Purpose Switching Device Applications Features • • The ECH8608 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. |
Original |
ECH8608 ENN8179 ECH8608 | |
CPH3338Contextual Info: CPH3338 注文コード No. N 8 1 7 4 三洋半導体データシート N CPH3338 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 |
Original |
CPH3338 900mm2 --10V 900mm2 IT08957 IT08958 CPH3338 | |
ECH8402
Abstract: IT08487
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Original |
ECH8402 900mm2 IT08489 900mm2 IT08491 IT08492 ECH8402 IT08487 | |
CPH5612Contextual Info: CPH5612 Ordering number : ENN8180 N-Channel Silicon MOSFET CPH5612 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing-density mounting. |
Original |
CPH5612 ENN8180 600mm2 CPH5612 | |
ECH8608Contextual Info: ECH8608 注文コード No. N 8 1 7 9 ECH8608 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに |
Original |
ECH8608 900mm2 IT04392 --40A 900mm2 IT04376 ECH8608 | |
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