11205PE Search Results
11205PE Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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ENN8175
Abstract: CPH3430 marking zf
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Original |
cph3430enn8175900mm2marking zf | |
ECH8305Contextual Info: ECH8305 Ordering number : ENN8145 P-Channel Silicon MOSFET ECH8305 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage |
Original |
ech8305enn8145900mm2 | |
CPH5612Contextual Info: CPH5612 注文コード No. N 8 1 8 0 三洋半導体データシート N CPH5612 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 |
Original |
cph5612600mm2500mait08337+1 | |
Tf88
Abstract: ECH8608
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Original |
ech8608900mm2it04392--40a+2 | |
ECH8402Contextual Info: ECH8402 Ordering number : ENN8148 N-Channel Silicon MOSFET ECH8402 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage |
Original |
ech8402enn8148900mm2 | |
CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 MARKING X.R
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Original |
cph5839enn8181mch3409sbs005+1 | |
CPH3338Contextual Info: CPH3338 Ordering number : ENN8174 P-Channel Silicon MOSFET CPH3338 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol |
Original |
cph3338enn8174900mm2 | |
CPH3430Contextual Info: CPH3430 注文コード No. N 8 1 7 5 三洋半導体データシート N CPH3430 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 |
Original |
cph3430900mm2it06819it06818+2 | |
CPH5839
Abstract: MCH3409 SBS005 81812
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Original |
cph5839mch3409sbs005600mm2+5 | |
ECH8608Contextual Info: ECH8608 Ordering number : ENN8179 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs ECH8608 General-Purpose Switching Device Applications Features • • The ECH8608 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting. |
Original |
ech8608enn8179 | |
CPH3338Contextual Info: CPH3338 注文コード No. N 8 1 7 4 三洋半導体データシート N CPH3338 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 |
Original |
cph3338900mm2--10vit08957+1 | |
ECH8402
Abstract: IT08487
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Original |
ech8402900mm2it08489it08491+2 | |
CPH5612Contextual Info: CPH5612 Ordering number : ENN8180 N-Channel Silicon MOSFET CPH5612 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing-density mounting. |
Original |
cph5612enn8180600mm2 | |
ECH8608Contextual Info: ECH8608 注文コード No. N 8 1 7 9 ECH8608 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチングの N チャネルおよび P チャネル MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに |
Original |
ech8608900mm2it04392--40a+1 | |
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