IT00629 Search Results

CPH5809

Abstract: MCH3411 SBS005
Contextual Info: 注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 三洋半導体データシート N MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間

CPH5839

Abstract: MCH3409 SBS005 MARKING X.R
Contextual Info: CPH5839 Ordering number : ENN8181 CPH5839 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-Channel Sillicon MOSFET MCH3409 and a schottky barrier diode (SBS005)

CPH5801

Abstract: 2SK3119 SBS005 TA-2491
Contextual Info: Ordering number:EN6427 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5801 DC/DC Converter Applications Package Dimensions unit:mm 2171 [CPH5801] 2.9 0.15 0.2 4 3 0.6 5 0.05 2.8 1.6 • The CPH5801 composite device consists of following two devices to facilitate high-density mounting.

SBS005

Contextual Info: Ordering number:ENN6273 Schottky Barrier Diode SBS005 30V, 1A Rectifier Applications Package Dimensions • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit:mm 1293 [SBS005] 2.9 · Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.40V) (IF=1.0A, VF max=0.47V).

SBS005

Abstract: SBS805
Contextual Info: Ordering number : ENN6944A SBS805 Schottky Barrier Diode SBS805 30V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1294 • 3 0.4 0.4 1 0.05 2 0.95 0.7 4 2.8 1.6 1 Electrical Connection

CPH5839

Abstract: MCH3409 SBS005 81812
Contextual Info: CPH5839 注文コード No. N 8 1 8 1 三洋半導体データシート N CPH5839 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

SBS005

Abstract: SBS805
Contextual Info: SBS805 Ordering number : ENN6944B SBS805 Schottky Barrier Diode 30V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.40V) (IF=1.0A, VF max=0.47V).

CPH5809

Abstract: MCH3411 SBS005
Contextual Info: Ordering number : ENN7267 CPH5809 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5809 DC / DC Converter Applications Preliminary • Package Dimensions 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5809] 2.9 0.05 2.8 The CPH5809 composite device consists of followunit : mm

Contextual Info: Ordering number : ENN6944 SBS805-TL Schottky Barrier Diode SBS805-TL 30V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1294 • 3 0.4 0.4 1 0.05 2 0.95 0.7 4 2.8 1.6 1

62732

Abstract: SBS005 62731
Contextual Info: 注文コード No. N 6 2 7 3 SBS005 No. 6 2 7 3 三洋半導体ニューズ 62599 新 SBS005 ショットキバリアダイオード 30V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。

SBS005

Abstract: SBS805 TA-3239 3239 ir 30V1A
Contextual Info: SBS805 注文コード No. N 6 9 4 4 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N6944A とさしかえてください。 SBS805 ショットキバリアダイオード 30V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。

2SK3119

Abstract: CPH5801 IT01081 SBS005 TA-2491
Contextual Info: 注文コード No. N 6 4 2 7 CPH5801 No. N 6 4 2 7 N1999 新 CPH5801 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間

CPH5809

Abstract: MCH3411 SBS005
Contextual Info: 注文コード No. N 7 2 6 7 CPH5809 No. N 7 2 6 7 83002 新 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5809 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の N チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間