FTD2011 Search Results

D2011A

Abstract: FTD2011A N7476
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A No. N7476 22004 新 FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロード S / W 用 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・実装高 1.1mm。 ・複合タイプであり高密度実装可能。

D2011

Abstract: ta2077 FTD2011 28M30
Contextual Info: Ordering number:ENN6072A N-Channel Silicon MOSFET FTD2011 Load Switching Applications Package Dimensions • Low ON resistance. · 2.5V drive. · Mounting height 1.1mm. · Composite type, facilitating high-density mounting. unit:mm 2155A [FTD2011] 3.0 0.65

Contextual Info: MOSFET SMD Type Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET FTD2011 TSSOP-8 • Features Unit: mm ● RDS ON =30mΩ Max. @VGS=4V ● RDS(ON)=45mΩ Max. @VGS=2.5V D1 D2 S1 S2 S1 S2 G1 G2 1 : Drain1 2 : Source1 3 : Source1 4 : Gate1 5 : Gate2 6 : Source2 7 : Source2

d2011a

Abstract: 7476 d2011a datasheet FTD2011A
Contextual Info: Ordering number : ENN7476 FTD2011A N-Channel Silicon MOSFET FTD2011A Load Switching Applications • • • • Package Dimensions Low ON-resistance. 2.5V drive. Mounting height 1.1mm. Composite type, facilitating high-density mounting. unit : mm 2155A [FTD2011A]

D2011A

Abstract: IT05130 1300mm2 FTD2011A IT05133
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A 三洋半導体データシート N FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロード S / W 用 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・実装高 1.1mm。 ・複合タイプであり高密度実装可能。

d2011

Contextual Info: FTD2011 N- Channel Silicon MOS FET Load S/W Use TENTATIVE Features • Low ON-state resistance. • 2.5V drive. • Mount height of 1.1mm. • Complex Type enabling high density mount unit Absolute Maximum Ratings / Ta=25°C Drain to Source Voltage Gate to Source Voltage

FTD2011A

Abstract: 11E11
Contextual Info: FTD2011A SPICE PARAMETER Nch MOS FET model : BSIM3V3.2 Parameter Value LEVEL 8 VERSION 3.2 VTH0 0.95 NLX 1.7E-07 DVT2 -0.01 UB 1.0E-21 AGS -1.0 RDSW 1.342E+03 WINT NFACTOR 0.93 CDSCD PCLM 0.8 DROUT 0.96 PVAG 0.01 MOBMOD 1 CAPMOD 3 CGDO 1.1E-11 CGDL 9.1E-10

on line ups circuit diagrams

Abstract: 2SK3850 242M SSFP package K3492 3ln03 MCH3435 CPH5612 three phase on line ups circuit diagrams TN6R04
Contextual Info: Ordering number: EP51E MOSFET Series '05-05 TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN Telephone: 81- 0 3-3837-6339, 6340, 6342, Facsimile: 81-(0)3-3837-6377 ●SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor company Homepage URL: http://www.semic.sanyo.co.jp/index_e.htm

irfb4115

Abstract: BTY79 equivalent diode skn 21-04 marking CODE W04 sot-23 bbc 598 479 DIODE mw 137 600g TFK 401 S 673 Vishay Telefunken tfk transistor INFINEON transistor marking W31 JYs marking transistor
Contextual Info: 573 Technical portal and online community for Design Engineers - www.element-14.com Discrete & Power Devices Page 700 Bridge Rectifiers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Diodes Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

IRF1830G

Abstract: IRF1830 transistor IRF1830G APM2054N equivalent apm2054n AP85L02h AP70N03S 2SK3683 ap70l02h 2SK2696
Contextual Info: Power MOSFETs Cross-reference guide May 2005 www.st.com/pmos Contents 2 Alpha and Omega Semiconductor 3 AnalogicTech 3 Anpec 3 APEC 3 APT 4 AUK 4 Fairchild 4 Fuji 12 Hi-Sincerity 14 Hitachi 14 Infineon 14 IR 18 IXYS 22 Matsushita 23 Reneas 23 Motorola 23

ECH8301

Abstract: FTD2017 FSS237 SANYO Replacement list ECH8401 ECH8631 ECH8652 ECH8607 FSS131 FSS138
Contextual Info: Ordering number : E I 0 0 7 2 Announcement Regarding Discontinuation and Limited Availability of Discrete Devices Thank you for using SANYO semiconductor products. The following SANYO semiconductor products will be available to existing customers on a limited basis or discontinued.

RD1004

Abstract: 2SC5707 2sK4096 ECH81 rd1004ls 2SK4101 tf252th SFT1443 vf10bm3 RD2006
Contextual Info: ディスクリートデバイス 2010-7 環境にやさしい製品 超アナログ技術を極めるPower ＆RFデバイス Power 電 源 市 場 耐熱性 高アバランシェ 高耐圧・大電流 高効率 高ESD ・パワーマネジメント （LCDPDP、PC電源、照明）

2SC3953-SPICE

Abstract: 2sa1538 spice 2sc3953 spice 2SC5610 MJE-360 2SC4548 2sk4096 2SB631K 2SC5706 equivalent 2SC2911-SPICE
Contextual Info: 12A02CH-SPICE -* SANYO 12A02CH SPICE PARAMETER * .LIB 12A02CH * DATE : 2006/12/26 * Temp = 27 deg .MODEL 12A02CH PNP +NF = 1.0 IS VAF = 110.0f

RD2004

Abstract: 2SK4087 2SK4097 2sk4086 2SC5707 2sk4096 SBX201C 2SC5706 2sk3615 half-bridge power supply
Contextual Info: ディスクリートデバイス 2009-4 三洋ディスクリートデバイス 環境に配慮した三洋ディスクリートデバイス ECoP R ディスクリートデバイスExPD パワーデバイス）は、 様々な分野の機器の小型化・薄型化・高効率化・高信頼性化に

Flyback Transformers SANYO TV

Abstract: RD1004 2SC5707 uhf 150w mosfet 12v bfl4006 2SC5706 equivalent Si sw diode 20V 0.2A SOT323 SSFP package BBS3002 tv tube charger circuit diagrams
Contextual Info: Discrete Devices 2010-8 Mobile Equipment • Application Block ■ Charger [GSM, UMTS] Charger DC-DC Converter / Load SW P3 Down Converter Low end P6 5 to 6V 0.5 to 1A CPU AC Adapter AC Adapter [CDMA2000] Q2 Q3 +B D2 Q1 System AC Adapter RF Block Down Converter (High end)