D2011A
Abstract: FTD2011A N7476
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A No. N7476 22004 新 FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロード S / W 用 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・実装高 1.1mm。 ・複合タイプであり高密度実装可能。
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Original
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ftd2011an74761300mm2it05439+3it05131it05440d2011a
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O1002
Abstract: IT05136 IT05130 MCH6408 N7286
Contextual Info: 注文コード No. N 7 2 8 6 MCH6408 No. N7286 O1002 新 MCH6408 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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mch6408n7286o1002900mm2+3it05135it05136it05130
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d2011a
Abstract: 7476 d2011a datasheet FTD2011A
Contextual Info: Ordering number : ENN7476 FTD2011A N-Channel Silicon MOSFET FTD2011A Load Switching Applications • • • • Package Dimensions Low ON-resistance. 2.5V drive. Mounting height 1.1mm. Composite type, facilitating high-density mounting. unit : mm 2155A [FTD2011A]
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Original
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enn7476ftd2011ad2011a7476+1d2011a datasheet
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MCH6408
Abstract: O1002
Contextual Info: Ordering number : ENN7286 MCH6408 N-Channel Silicon MOSFET MCH6408 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2193A [MCH6408] 0.25 • Package Dimensions 0.3 5 6 3 2 0.65 1 0.15 1.6
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Original
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enn7286mch6408o1002 |
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D2011A
Abstract: IT05130 1300mm2 FTD2011A IT05133
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A 三洋半導体データシート N FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロード S / W 用 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・実装高 1.1mm。 ・複合タイプであり高密度実装可能。
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Original
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ftd2011a1300mm2it05439it05131+4it05440d2011ait05130it05133
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