FAST DIODEN 400 V Search Results

Contextual Info: DAF 811 A /K . DAF 814 A/K Fast Switching Diode Arrays Schnelle Dioden Sätze Nominal power dissipation Verlustleistung 1-1 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Glasgehäuse 100.400 V 24 x 3 x 5.1 [mm] Weight approx.

dsdi 7-015 A

Abstract: DSDI 17-04 DSD 17-14 b DSDI 71-16 DSD 12-16 dsdi 7-015 DSDI DSDI 7-01 B DSDI 20-01 b DSDI 17-14 b
Contextual Info: A S E A BROUN/ABB SENICON Schnelle Dioden Diode DSD Vrrm Fast switching diodes If r m s Ki If a v i Tc - 100°C A °C A(°C) DSDI 5-04 A DSD1 5-06 A DSDI 5-08 A 400 600 800 10 DSDI 7-01 A DSDI 7-015 A DSDI 7-02 A 100 10 ft vF If Ir r m (10 ms) 10 ms T y j =• 45°C

IEC1287

Abstract: Dioden DD800S33K1
Contextual Info: Technische Information / Technical Information Schnelles Dioden Modul Fast Diode Module DD 800 S 33 K1 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage

EUPEC DD 105 N 16 L

Abstract: all type of thyristor EUPEC tt 162 n 16 EUPEC Thyristor thyristor tt 162 n EUPEC Thyristor TT thyristor tt 162 n 12 tt 162 n 16 module bsm 25 gp 120 Eupec bsm 25 gb 120
Contextual Info: IGBT SCR / Diode Modules Presspacks Stacks Outlines Accessories Explanations 96 Type designations Presspacks IGBT Modules T 930 S 18 T M C T D A 930 1 4 6 7 8 9 3 thyristor diode asymmetric thyristor average on state current A standard ceramic disc high power ceramic disc

TMS44C256

Abstract: widerstandsnetzwerke Bergeron-Diagramm widerstandsnetz fast dioden 400 v 74AC11240 SN74S1050 TMS4256 MikroC
Contextual Info: EB194A Schottky-Dioden-Arrays EB194A SCHOTTKY DIODEN ARRAYS UND NETZWERKE Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 7. Februar 1990 Rev.:A Überarbeitet 30.08.1995 1 Applikationslabor EB194A Schottky-Dioden-Arrays Der Trend zu immer schnelleren Systemen zwingt den Schaltungsentwickler sich

811 100

Contextual Info: Diotec DAF 811 A/K … DAF 814 A/K 1.2 W Fast Switching Rectifier Arrays Schnelle Gleichrichter Sätze Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Dimensions / Maße in mm 9 Pin-Plastic case

diode BA 159

Abstract: in4937
Contextual Info: BA 157.BA 159 Fast Silicon Rectifier Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current Nennstrom 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 400. 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse DO-41 Weight approx. Gewicht ca. —f6 O.E 0.4 g

3H DIODE smd

Abstract: VERPACKUNGSVORSCHRIFT diode smd 3H
Contextual Info: FE 3A .FE 3H Sunerschnelle Silizium Gleichrichter Super Fast Silicon Rectifier 3A Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung / 50.400 V 4 .5 ” Plastic case Kunststoffgehäuse ~ D 0201 Weight approx. Gewicht ca.

FE6H

Abstract: smd diode 6F FE6G
Contextual Info: FE 6A .FE 6H Super Fast Silicon Rectifler Superschnelle Silizium Gleichrichter Nominal current Nennstrom 6A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50. 400 V Plastic case Kunststoffgehäuse 0 8 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca.

Contextual Info: MR 820.MR 828 Fast Silicon Rectifier Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current Nennstrom 5A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50. 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 0 8 X 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.4 i

Contextual Info: BY 2 9 6 .BY 299 Schnelle Silizium Gleichrichter Fast Silicon Rectifier 2A Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 100. 800 V /4,5" Plastic case Kunststoffgehäuse ~ D 0 -2 0 1 Weight approx. Gewicht ca.

Contextual Info: SA 154.SA 160 Schnelle Si-Gleichrichter für die Oberflächenmontage Fast Switching Surface Mount Si-Rectifier 1A Nominal current Nennstrom 50. 1000 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 0 2,5 x 5 [mm] Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF

Contextual Info: F R 2 A .F R 2 M Fast Switching Surface Mount Si-Rectifier Schnelle Si-Gleichrichter für die Oberflächenmontage Nominal current Nennstrom 1.5 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50. 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse

rgp30

Abstract: diode RGP 20
Contextual Info: BY 396.BY 399, RGP 30 K .M Fast Silicon Rectifier Schnelle Silizium Gleichrichter Nominal current Nennstrom 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 100. 1000 V /4.5iai Plastic case Kunststoffgehäuse ~ D0-201 Weight approx.

ITT transistoren

Abstract: kme-3 baustein nf schaltungen kme-3 baustein ES II 21-12111 sy170 selen-gleichrichter SF136 oszillograf frankfurt widerstandsnetz
Contextual Info: li,li l | W r j »< ' w r -y, Inhaltsverzeichnis Nr. des Artikels / Titel Seite 1 Netzteil für NF-Leistungsverstärker 4 2 Ladegerät für Kfz.-Batterien 6/12 Volt 6 3 Akku-Universal-Ladegerät 8 4 Kaskadenschaltung mit Selengleichrichtern 10 5 Niederspannungsnetzgerät ohne Transformator

N4937

Contextual Info: 1 N 4933.1 N4937 Schnelle Silizium Gleichrichter Fast Silicon Rectifier 1A Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50. 600 V Plastic case Kunststoffgehäuse - DO-41 Weight approx. Gewicht ca. ¿ 0.8 0.4 g

Contextual Info: BY 500-50.-1000 Schnelle Silizium Gleichrichter Fast Silicon Rectifier 5A Nominal current N ennstrom 5 0 . 1000 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 0 5.6 X 7.5 [mm] W eight approx. Gewicht ca.

Contextual Info: B40FS.B380FS Schnelle Si-Briickengleichrichter für die Oberflächenmontage Fast Switching Surface Mount Si-Bridee Rectifiers 1A Nominal current Nennstrom Alternating input voltage Eingangswechseispannung J_ L n= B — Q- Plastic case Kunststoffgehäuse

Contextual Info: B40FD. .B380FD Fast Switching Si-Bridge Rectifiers Schnelle Si-Brttckengleichrichter Nom inal current N ennstrom 1A Alternating input voltage Eingangswechselspannung G |R 6.0 -“1 h—6.6—i 4 0 . 3 80 V D IL-plastic case D IL-Kunststoffgehäuse - — 8 . 7 10-6

mikroelektronik Heft 12

Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
Contextual Info: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER­ SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH­ SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:

VEB mikroelektronik

Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
Contextual Info: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: transistor vergleichsliste u82720 Datenblattsammlung VEB mikroelektronik aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung je 3055 Motorola mikroelektronik DDR Transistor Vergleichsliste DDR
Contextual Info: íx}i3í iu ]9n;g'q s p o s i l i o j p j S j © DNmiAf W¥S±±na N31¥Q >l!UDüq>|! ZUR B E A C H T U N G Die vorliegenden Datenblätter beinhalten ausführliche technische Angaben von aktiven elektronischen Bauelementen des in den "Listen Elektronischer Bauelemente und Bausteine" LEB)

service-mitteilungen

Abstract: Ziphona funkschau VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN servicemitteilungen Zittau Scans-048 color antenne Mitteilungen Sonneberg
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D FE R N S E H E N iR jie ri 1r a d i o -teievision 1 SEITE NOVEMBER 19 7 6 11 01-10 Radio-Phono-Kombinationen schienen umgekehrt proportional zur Entwicklung von Bausteinanlagen aus der Mode gekommen zu sein.

b589n

Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
Contextual Info: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r