MMBTA05
Abstract: MMBTA06 MMBTA55 MMBTA56
Contextual Info: MMBTA55 . MMBTA56 MMBTA55 . MMBTA56 General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz PNP PNP Version 2006-08-09 Power dissipation – Verlustleistung 2.9 1.1 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse
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mmbta55mmbta56ot-23o-236+3ul94v-0mmbta05mmbta06
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Thyristor Tabelle
Abstract: 74ACT11244 SN74ABT16501 SN74ABT244 induktiv schaltungen mit cmos cmosschaltungen
Contextual Info: EB200 Widebus-Bustreiber EB200 Widebus-Bustreiber Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 22.05.1991 Überarbeitet Januar 1996 Rev.: A 1 Applikationslabor EB200 Widebus-Bustreiber Der Trend zu 16- und 32-Bit breiten Bussystemen in Verbindung mit kontinuierlichen
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eb20032-bitthyristor tabelle74act11244+5sn74abt16501sn74abt244induktivschaltungen mit cmoscmosschaltungen
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TRANSISTOR 132-gd
Abstract: TRANSISTORS 132 GD equivalent io transistor 131-G bbc ds diodes DS 1,8 transistor vergleichsliste aeg diode Si 61 L AF124 Transistor Vergleichsliste DDR OC1044 bbc ds diodes
Contextual Info: Vergleichsliste Halbleiter Bauelemente In h a lt: Einleitung Typenbezeichnung und Form elzeichen G e g e n ü b e r s t e ll u n g n a c h A l p h a b e t : T ransistoren G leichrichterdioden Leistungs-Zenerdioden V e rg le ic h nach T y p e n g ru p p e n
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06o3htransistor 132-gdtransistors 132 gdequivalent io transistor 131-g+7bbc ds diodes ds 1,8transistor vergleichslisteaeg diode si 61 laf124transistor vergleichsliste ddroc1044bbc ds diodes
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b589n
Abstract: B511N information applikation b589 mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik B589nm "Mikroelektronik" Heft aktive elektronische bauelemente ddr applikation heft
Contextual Info: r r j f c n B e le l- f t e n o n f l- t Information Applikation raeo [ n n f l k l n i B ] B l B | < t i n a r * < Information Applikation HEÏI 4 4 : B 5 1 1 N Twnperatur-Sensor-IS B 5 8 9 I Bandgap-Referenzepannungaguelle m KAMMER OER TECHNIK Ebvftuu traft« 2, Frankfurt (Od*r
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b589nb511ninformation applikationb589+6mikroelektronik heft 12information applikation mikroelektronikb589nmmikroelektronik" heftaktive elektronische bauelemente ddrapplikation heft
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UEI 20 SP 010
Abstract: Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D
Contextual Info: e l e k t r o m k - b a u e ì e m e n t e * W UKaÊÊi I Ä I L I I m V w •1 vît M •'4 n, ' I ill ■ DATEN BLATTSAMM LU NG elektronische bauelemente ?: V' I j| D A I Ï K B L A U S A MML ÜHG "E lektronische Bauelemente1' Ausgabe 1/89 14 : "Neue und weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente"
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64-kbit-sehreib--iese-speicher086/11/b9uei 20 sp 010datenblattsammlung+8u82720mikroelektronik datenblattsammlungveb mikroelektronikub8820mhalbleiterwerk frankfurtuei 15 sp 020aktive elektronische bauelemente 1988 teil 2b4207d
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ku 606
Abstract: KT808AM transistor d 808 transistor kt transistor 805A 2110-B1 KT 805 RFT Transistoren KT808 2107B-2
Contextual Info: SERVICE-M ITTEILUNGEN VEB IN D U S T R IE V E R T R IE 8 R U N D F U N K U N D F E R N S EH EN ra d io -television AUSGABE: SEITE 1-4 DATUM: 3.84 Mitteilung aus dem VEB RFT Industrievertrieb R.u.F. Leipzig / SI E I H B A U A N L E I T Ü H G für den äquivalenten ?DE-Steckbaustein mit Transistor, der die Rohre 6 Sch 5 P in den Sü-Paxbfernseh^eraten RADUGA 726/730 ersetzt«
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05a-kkt808ku 606kt808am+7transistor d 808transistor kttransistor 805a2110-b1kt 805rft transistoren2107b-2
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"halbleiterwerk frankfurt"
Abstract: VEB mikroelektronik A220D mikroelektronik RFT rft mikroelektronik bauelemente Kombinat VEB Kombinat Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt
Contextual Info: A 220 D M onolithisch integrierter FM - ZF - V erstärker und D em odulator vorzugsw eise fü r den Einsatz Im Ton - ZF - Teil von Fernseh geräten und als FM - ZF - V erstärker in R undfunkgeräten. Der S chaltkreis enthält einen sym m etrischen B reitbandverstär
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halbleiterwerk frankfurtveb mikroelektronika220dmikroelektronik rft+5rft mikroelektronikbauelemente kombinatveb kombinatscans-048halbleiterwerk
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technische Daten SFE 235
Abstract: Scans-048 sfe235 DSAGER00059
Contextual Info: WWT SFE 235 Vorläufige technische Daten Silizium-npn—Epitaxie-Pl anar-Transistor im hybridgerechten Minlaturplastgehau.se für den Einsatz als HF-Verstärker in Basisschaltung FOOA8BO Massei -<0,02 g Grenzwerte« gültig für den Betriebetemperatarbereich
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140/2/b1technische daten sfe 235scans-048sfe235+1dsager00059
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B083D
Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
Contextual Info: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik
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b083du82720a110dtda4100+6ub8830dv40511dtaa981a109dsy 710ic 7447
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Quarzoszillator
Abstract: leistungstransistoren schaltungen 1N4001 SN74ALS138 SN74BCT2414 SN74HC138 SN74HCT138 TIP32 TL7705A
Contextual Info: EB181A Datensicherung EB181A Datensicherung in batteriegepufferten Speichern mit dem Dekoder SN74BCT2414 Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 27.07.1988 Rev.: A Überarbeitet: 13.10.1995 1 Applikationslabor EB181A Datensicherung Dieser Bericht beschreibt die Funktion und Anwendung des Dekoders SN74BCT2414, der
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eb181asn74bct2414quarzoszillatorleistungstransistoren+7schaltungen1n4001sn74als138sn74hc138sn74hct138tip32tl7705a
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74S487
Abstract: information applikation cdb 4121 e CDB 447 FZH 195 mh 3212 applikation heft 74LS125N MH 74141 FZH195
Contextual Info: m ô D ^ n iœ lo M s n a n ilK Information Applikation INTERFACE SCHALTUNGEN RGW mit internationaler Typen übersicht ¿ kH KKÄÄÄÄAZJ, r in iO lk r t^ B lo lK b n a in H K I Information Applikation H a f t I N T E E F A C E E 4 8 » - S C G H A L T U N G E N
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74s487information applikationcdb 4121 ecdb 447+6fzh 195mh 3212applikation heft74ls125nmh 74141fzh195
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transistor vergleichsliste
Abstract: Transistor Vergleichsliste DDR telefunken transistoren VALVO BSW69 vergleichsliste DDR vergleichsliste transistor BC-148 rft transistoren Transistoren DDR
Contextual Info: TRANSISTOR VERGLEICHSLISTE Teil 2: Siliziumtransistoren r a d io - t e le v is io n Transistorverglèich& liste T eil 2 : S iliziu in tra n sistoren TRA N SISTO R, V ER G LEICH S LIS T E Teil 2: Siliziumtransistoren DER D EU TSCH EN M IL IT Ä R V E R L A G
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transistor vergleichslistetransistor vergleichsliste ddrtelefunken transistorenvalvo+6bsw69vergleichsliste ddrvergleichslistetransistor bc-148rft transistorentransistoren ddr
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ITT transistoren
Abstract: nf schaltungen Schaltungen TDA4605-3 S910N diode sg 5 ts bus08a BD139 25EK ITT bzx 85
Contextual Info: S IE M E N S ICs für die Unterhaltungs elektronik SNTs Ausgabe 5.86 S IE M E N S ICs für die Unterhaltungselektronik SNTs Datenblätter der Typen TDA 4600-3, TDA 4601, TDA 4601 D, TDA 4605 Problemlos bestellen mit der SBS-Preis- und Lagerliste F ür Kunden in d er B undesrepublik D eutschlan d und Berlin W est .
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itt transistorennf schaltungenschaltungentda4605-3+6s910ndiode sg 5 tsbus08abd13925ekitt bzx 85
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Contextual Info: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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halbleiterbauelemente ddrbel 639 transistorsowjetische halbleiter-bauelementekbc111+6k4213germanium transistor katalogradio fernsehen elektronikelektronik ddrkt904kt372
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c 337 25
Abstract: SC160D tic 2160 triac V130HE150 General electric SCR C220 ES5449 4533 gem 2n4401 2n3904 2222a 1N21 es5451
Contextual Info: GENERAL ^ E L E C T R I C SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTEURS * HALBLEITER CONTENTS SOMMAIRE INHALT I N D E X . 3 I N D E X . 3
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c 337 25sc160dtic 2160 triacv130he150+6general electric scr c220es54494533 gem2n4401 2n3904 2222a1n21es5451
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Contextual Info: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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mikroelektronik ddrhalbleiterbauelemente ddrveb mikroelektronikvqb 71+6a910dvqb71halbleiterwerk frankfurtdiode sy-170vqb 37u112d
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
Contextual Info: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK
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halbleiterbauelemente ddrmikroelektronik heft 12veb mikroelektronikinformation applikation+6mikroelektronik information applikationtransistoren ddrinformation applikation mikroelektronikmikroelektronik heftsy 710applikation heft
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BUW58
Abstract: BUW57 BUW73 Q62702 Q62901-B11-A Q62901-B50 Q62702-U263
Contextual Info: BUW 57 BUW 58 BUW 73 N P N -S iliziu m -Leistu n g stra n sisto ren V o r lä u f ig e D a te n B U W 57, B U W 58 und B U W 73 sind N PN -Silizium -Leistungstransistoren in D reifachdiffu sionstechnik im Gehäuse 3 A 2 DIN 41 872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch
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q62702-u263q62702-u262q62702q62901-b11-a+4q62901-b50buw58buw57buw73
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tfk 731
Abstract: N100700 bcy 79 BCY58 BCY 65 BCY 59
Contextual Info: BCY 58 • BCY 59 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Allgem ein und NF-Verstärker Applications: General and AF am plifiers Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 1 W 0 Power dissipation 1 W
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tfk 731n100700bcy 79bcy58+2bcy 65bcy 59
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acy transistor
Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP ACY33 uz00 legiert
Contextual Info: PN P-Transistor für NF-Treiber- und Endstufen A C Y 33 ACY 33 ist ein legierter PNP-Germanium-Transistor im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. , Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet.
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acy33q62901-b1q60103-y33-gq60103+7y33-gq60103-y33-h10zk8acy transistortransistor acy pnpuz00legiert
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la 7518
Abstract: TFK 450 BCW60C BCW60D BCW60
Contextual Info: G estem pelt m it: 'W BCW60A BCW 60B BCW60C BCW60D BCX70G BCX70H BC X70J BCX70K M a r k e d w ith : AA AB AC AD AG AH AJ AK BCW 60 * BCX 70 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar A F Transistor Anwendungen: Vorstufen und Schalter in Dick- und Dünnfilmschaltungen
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bcw60cbcw60d200hzla 7518+2tfk 450bcw60
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BCV26
Abstract: BCV27 BCV46 BCV47
Contextual Info: BCV26, BCV46 PNP Darlington Transistors Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage PNP Version 2004-01-20 Power dissipation – Verlustleistung Plastic case Kunststoffgehäuse 1.1 2.9 ±0.1 0.4
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bcv26bcv46ot-23o-236+3ul94v-0bcv27bcv47
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BD237
Abstract: BD 235 BD233 SD235 BD235 BD 100 V BD 237 to 126 leistungstransistoren 32-DIN BD NPN transistors
Contextual Info: BD 233 * BD 235 - BD 237 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: Audio-Treiber- und Endstufen Applications: Audio driver and output stages Besondere Merkmale: • Hohe Spitzenleistung Features: • High peak power
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2din125a150ma1bd237bd 235+8bd233sd235bd235bd 100 vbd 237to 126 leistungstransistoren32-dinbd npn transistors
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103MA
Abstract: 1D2 SOT-23 BCW68 BCW58 BCW57A BCW57 OES45 JR-101
Contextual Info: BCW 67 BCW 68 PIMP-Transistoren für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen BCW 67 und BCW 68 sind epitaktische PNP-Silizium -Planar-Transistoren m it Plastikum hüllung 23 A 3 DIN 41 86 9 S O T -2 3 für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen. Sie
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ot-23bcw68q62702-c463q62702-c464+10q62702-c465q62702-c466q62702-c467103ma1d2 sot-23bcw58bcw57abcw57oes45jr-101
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