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acy transistor

Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP ACY33 uz00 legiert
Contextual Info: PN P-Transistor für NF-Treiber- und Endstufen A C Y 33 ACY 33 ist ein legierter PNP-Germanium-Transistor im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. , Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet.

103MA

Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP Q60103-Y32-F ACY 23 V legiert
Contextual Info: ACY 23 ACY 32 PIVIF’-Transistoren fü r NF-Vorstufen ACY 23 und ACY 32 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41 871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders

AUY 10

Abstract: AUY19 legiert Q62901-B11-A pnptransistor W130 AUY20V PNP-Germanium
Contextual Info: PNP-Transistoren für Schalteranw endungen bis 3 A A U Y 19 A U Y 20 A U Y 19, A U Y 20 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 3 A 2 DIN 41872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Die Transistoren sind besonders für den Einsatz als NF-Leistungsschalter geeignet.

emitter

Abstract: zo 103 ma Q62901-B17-B AUY18 transistor 7g legiert
Contextual Info: PN P-Transistor für Schalteranw endungen bis 8 A A U Y 18 A U Y 18 ist ein legierter PNP-Germanium-Transistor mit Gehäuse 8 A 3 DIN 41878 T O -8 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Für die Befestigung auf einem Chassis sind die Isolierteile bzw. Befestigungsteile Q 62910B 13-B , Q 62901-B 17-A und Q 62901-B 17-B vorgesehen. Diese sind zusätzlich zu bestellen.

Asy transistor

Abstract: ASY 15 asy70 Asy 00 ASY48-V germanium transistor asy Q62901-B1 semix igbt GAL ASY50 ASY48
Contextual Info: ASY48 A SY 70 PNP-Transistoren für Schalteranwendungen A S Y 48 und A S Y 70 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders

P3078

Abstract: transistor* tf 78/30 TF78-60 legiert
Contextual Info: Nicht für N e u e n tw ick lu n g PISIP-Transistoren fü r N F -E n d stu fe n und Sc h a lte ra n w e n d u n ge n TF 78/30 TF 78/60 TF 7 8 /3 0 und TF 7 8 /6 0 sind legierte P N P -G e rm a n iu m -T ra n sisto re n m it dem Gehäuse 8 A 3 D IN 41 8 7 8 T O -8 ä h n lic h . Die A n schlüsse sin d vo m Gehäuse ele ktrisch iso liert. Für die

transistor ac 127

Abstract: AC127 AC 127 npntransistor Transistor AC
Contextual Info: AC 127 npn-Transistor legierter npn-GermaniumTransistor Der Transistor AC 127 ist für die Verwendung als NF-Verstärker geeignet. Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert

PA66-GF30 RELAY

Abstract: PA66-GF30 RELAis PA66-GF30 RELAY schema PA66-GF30 Miniature glass fuses color coding subminiature fuses color coding JASO d 611 PA66-GF30 start relais PIV RATING 36 V DIODE with peak repetitive current 60A STK 4252
Contextual Info: Automotive Circuit Protection Products Contents Fuseology 1 Fuseology Relays 8 Relays ISO MINI Relays MICRO Relays STARTER Relays Surface Mount Varistors Multilayer Transient Voltage Surge Surpressor Resettable PTCs 1206L Series Surface Mount PTCs 1812L Series Surface Mount PTCs

SAE AS33671

Abstract: stk 5340 MS3367-4-9 MS90387-1 AS23190 MS3367-4-4 B-1108 RAMH-S10-D Cinch 2 fach QPL-AS23190-2
Contextual Info: E LEKTROINSTALLATIONS L ÖSUNGEN A KABELBINDER PANDUIT bietet die umfangreichste Auswahl an Kabelbinderformen, -größen, -materialien und -farben für die verschiedensten Anforderungen unserer Kunden. Mit Kabelbindern von PANDUIT werden unzählige Anwendungen im Innen- und Außenbereich sowie unter schwierigen

BFT65

Abstract: D1279 Siemens 1414 D1275 germanium Germanium drift transistor diode a811 Siemens Halbleiter germanium transistor legiert
Contextual Info: Table of Contents Selection Guide Ordering Codes Inhaltsverzeichnis Typeniibersicht Bestellnummern Scope of Applications Technical Information Quality Specifications Einsatzhinweise Technische Angaben Qualitatsangaben Package Outlines Mounting Instructions

Contextual Info: Technologie der KTY-Familie Technology of the KTY-Famlly SIEM ENS 3 3 Technologie des Temperatur­ sensors KTY Technology of the KTY Temperature Sensor Zur Herstellung des KTY-Temperatursensors wird eine Fotolithographie eingesetzt, die Abbildungstoleranzen im Submikronbereich

gc 301

Abstract: selen-gleichrichter GAZ17 GY125 GD244 VEB M ik ro e le k tro n ik 04A657 ITT transistoren ga106 selen
Contextual Info: Erläuterung der Kurzzeichen von Halbleiterbauelem enten Transistoren B b C 1 15 C 22 b C 1h 2 i ä f h2 1o fT f F 1121 o | Il I2Tj| I E> Im o 11 • i>; o le n s IrKV Io Ic I K Bo In I d l^tot B ung Basisschaltung, Basis E in g an g sk ap azität MOS -FE T )

60800-123

Abstract: DIJM0033 DIN 41612 type h 15 DIJM0024 DIJM0025 DIJM0026 DIJM0071 DIJM0072 DIJM0088 DIJM0089
Contextual Info: Aufbau / Assembly / Montage DIJM0025 Maßbilder / Dimensions / Dimensions TE = HP = F Pos. Benennung Item Description Repère Désignation Netzgerät, Teileinsatz 3 HE nach DIN 41494, Teil 5 1 Power Supply, Plug-in unit 3 U to DIN 41494, part 5 Alimentation, Module enfichable 3 U, selon DIN 41494 partie 5

60800-123

Abstract: D-75334 DIN 41612 connector 32 pin schroff power supply bridge faston 250 anti tamper AND destroy circuit diagram of automatic mains failure DIJM0024 DIJM0025 DIJM0026
Contextual Info: Buch für druck 060411.book Seite 8 Dienstag, 11. April 2006 5:36 17 Power supplies– 19" compatible – AC/DC switched-mode power supply Triple, 100 W maxpower 19" compatible – AC/DC switched-mode power supply ࡯ Wide range mains/line input voltage from 90 – 254 VAC and