GEX06630 Search Results

Contextual Info: SIEMENS Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA Area not flat 5.9 5.5 JX6 0.4 GEX06630 Collector Transistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH415 SFH 416 Area not flat o Cathode Diode Collector (Transistor) CO (O (O o X 0) GEX06630 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale

Contextual Info: SIEMENS Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit New: Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA Area not flat c\l in CD CD oo CD Cathode Diode GEX06630 Collector (Transistor) CM Ifi CD CO 'S CD Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

transistor 495

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 5.9 5.5 0.6 0.4 GEX06971 Area not flat 5-9. 5.5 'M p ' 0.6 0.4 Cathode Diode GEX06630 Collector (Transistor) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

TRANSISTOR K 314

Abstract: GEX06630 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758
Contextual Info: SFH 314 SFH 314 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA feo06652 .Neu: Area not flat 1.8 1.2 5.9 5.5 4.0 3.4 0.6 0.4 Chip position GEX06630 feof6652 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor) 6.9 6.1 5.7 5.5

GEO06645

Abstract: GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54 mm 1.8 1.2 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen

214 opto

Abstract: GEX06630 Q62702-P1672 Q62702-P922
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)

SFH 314

Abstract: Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758 TRANSISTOR K 314
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform

TRANSISTOR K 314

Abstract: foto transistor SFH 314 phototransistor 500-600 nm GEX06630 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757
Contextual Info: SFH 314 SFH 314 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 5.9 5.5 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor) ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 SFH 314 SFH 314 FA feo06652 .Neu: 4.0

transistor 495

Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 OHF00328 SFH495P
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale Features • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen

transistor 415

Abstract: GEO06645 GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 transistor sr 61
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat 0.6 0.4 fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54mm 1.8 1.2 9.0 8.2 GEO06645 Chip position Approx. weight 0.2 g 5.9 5.5 0.6 0.4 4.0

transistor 415

Abstract: MARKING 416 OPTO OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 SFH 960
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,

a850

Abstract: N70a GEX06630
Contextual Info: SIEMENS SFH214 SFH214FA Very Short Switching Time Silicon NPN Photodiode Dimensions in inches mm A rea r>o< flat 100(2 54 ) icing CW hode (D iode) > C ottectof (Trarmiator) FEATURES • Especially suitable for application« - SFH 214:440 nm to 1100 ran - SFH214FA: 880nm

80 ESP 12

Abstract: GEX06630 GEX06971 Q62702-P5054 Q62703-Q7891 OHF00329 transistor sr 61
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 SFH 495 P SFH 4552 3.85 3.35 0.6 0.4 Area not flat fex06971 1.8 1.2 Chip position GEX06971 Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor)